本申請(qǐng)涉及彈性波器件以及使用該彈性波器件的模塊。詳細(xì)而言，涉及使用sh波的彈性表面波器件，例如濾波器、雙工器或多工器。

背景技術(shù)：

1、在以智能手機(jī)為代表的移動(dòng)通信終端的高頻通信用系統(tǒng)中，會(huì)使用高頻濾波器等設(shè)備，以去除在通信使用頻帶以外的不必要信號(hào)。

2、高頻濾波器等使用了具有彈性表面波(saw：surface?acoustic?wave)元件等的彈性波器件。saw元件是在壓電基板上形成有具有一對(duì)梳形電極的idt(interdigitaltransducer：叉指式換能器)的元件。

3、例如，彈性表面波器件的制造方法如下所述。首先，制作多層膜基板，該多層膜基板由使彈性波傳播的壓電基板、和熱膨脹系數(shù)小于該壓電基板的支撐基板接合而成。接著，在該多層膜基板上采用光刻技術(shù)形成多個(gè)idt電極，之后，通過(guò)切割切出規(guī)定的尺寸，形成彈性表面波器件。在該制造方法中，通過(guò)利用多層膜基板，可以通過(guò)支撐基板，來(lái)抑制壓電基板的尺寸隨溫度變化時(shí)而產(chǎn)生的變化，從而穩(wěn)定彈性波器件的頻率特性。

4、例如，根據(jù)專利文獻(xiàn)1(日本專利特開2009-278610號(hào)公報(bào))等所述，為了改善彈性波器件的溫度特性，已知將楊氏模量較高且線膨脹系數(shù)較小的藍(lán)寶石基板等支撐基板與壓電基板貼合，以抑制溫度變化引起的伸縮。

5、如專利文獻(xiàn)1所公開的內(nèi)容，為了改善彈性波器件的溫度特性，已知將楊氏模量較高且線膨脹系數(shù)較小的藍(lán)寶石基板等支撐基板與壓電基板貼合，以抑制由溫度變化引起的伸縮。然而，使用這種支撐基板的諧振器，特別是在高頻側(cè)，會(huì)產(chǎn)生雜散，導(dǎo)致濾波器特性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)是為了解決上述課題而完成的。本申請(qǐng)的目的在于，提供一種溫度特性良好、且進(jìn)一步抑制雜散的彈性波器件以及使用該彈性波器件的模塊。

2、第一個(gè)方面，在本實(shí)施例中提供了一種彈性波器件，其特征在于，具備支撐基板、介質(zhì)層、壓電基板以及諧振器；

3、所述介質(zhì)層形成在所述支撐基板上；

4、所述壓電基板形成在所述介質(zhì)層上；

5、所述諧振器包括形成在所述壓電基板上的idt電極；

6、其中，所述介質(zhì)層具有條紋狀的第一聲阻抗區(qū)域，所述第一聲阻抗區(qū)域具有長(zhǎng)邊方向和短邊方向；以及條紋狀的第二聲阻抗區(qū)域，所述第二聲阻抗區(qū)域與所述第一聲阻抗區(qū)域交替配置，且具有長(zhǎng)邊方向和短邊方向，并且所述第二聲阻抗區(qū)域具有不同于所述第一聲阻抗區(qū)域的聲阻抗。

7、在其中的一些實(shí)施例中，所述第一聲阻抗區(qū)域和所述第二聲阻抗區(qū)域的長(zhǎng)度方向配置為，與所述idt電極的電極指的長(zhǎng)度方向相同。

8、在其中的一些實(shí)施例中，所述第一聲阻抗區(qū)域和所述第二聲阻抗區(qū)域的間距，不同于所述idt電極的電極間距。

9、在其中的一些實(shí)施例中，在所述idt電極的電極間距所確定的彈性波的波長(zhǎng)被設(shè)為λ的情況下，所述壓電基板的厚度為0.4λ以上且1.0λ以下。

10、在其中的一些實(shí)施例中，在所述idt電極的電極間距所確定的彈性波的波長(zhǎng)被設(shè)為λ的情況下，所述介質(zhì)層的厚度為0.1λ以上且0.5λ以下。

11、在其中的一些實(shí)施例中，在所述第一聲阻抗區(qū)域和所述第二聲阻抗區(qū)域的短邊方向的剖視圖中，在配置有四條所述idt電極的電極指的范圍內(nèi)，所述第一聲阻抗區(qū)域和所述第二聲阻抗區(qū)域被配置為三個(gè)周期。

12、在其中的一些實(shí)施例中，在所述第一聲阻抗區(qū)域和所述第二聲阻抗區(qū)域的短邊方向的剖視圖中，在配置有八條所述idt電極的電極指的范圍內(nèi)，所述第一聲阻抗區(qū)域和所述第二聲阻抗區(qū)域被配置為五個(gè)周期至六個(gè)周期。

13、在其中的一些實(shí)施例中，所述第一聲阻抗區(qū)域由二氧化硅構(gòu)成。

14、在其中的一些實(shí)施例中，所述第二聲阻抗區(qū)域的構(gòu)成材料包括氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氮氧化硅、硅或碳化硅。

15、在其中的一些實(shí)施例中，所述支撐基板的構(gòu)成材料包括藍(lán)寶石、硅、氧化鋁、尖晶石、石英或玻璃。

16、第二個(gè)方面，在本實(shí)施例中提供一種模塊，具備如上述第一個(gè)方面的彈性波器件。

17、根據(jù)本申請(qǐng)，能夠提供一種溫度特性良好、且進(jìn)一步抑制雜散的彈性波器件及其制造方法。

18、本申請(qǐng)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的細(xì)節(jié)在以下附圖和描述中提出，以使本申請(qǐng)的其他特征、目的和優(yōu)點(diǎn)更加簡(jiǎn)明易懂。

技術(shù)特征：

1.一種彈性波器件，其特征在于，具備支撐基板、介質(zhì)層、壓電基板以及諧振器；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波器件，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波器件，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波器件，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波器件，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波器件，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波器件，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波器件，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波器件，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波器件，其特征在于，

11.一種模塊，其特征在于，具備權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的彈性波器件。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及一種彈性波器件，其特征在于，具備支撐基板、介質(zhì)層、壓電基板以及諧振器；介質(zhì)層形成在所述支撐基板上；壓電基板形成在介質(zhì)層上；諧振器包括形成在壓電基板上的IDT電極；其中，介質(zhì)層具有條紋狀的第一聲阻抗區(qū)域，第一聲阻抗區(qū)域具有長(zhǎng)邊方向和短邊方向；以及條紋狀的第二聲阻抗區(qū)域，第二聲阻抗區(qū)域與第一聲阻抗區(qū)域交替配置，且具有長(zhǎng)邊方向和短邊方向，并且第二聲阻抗區(qū)域具有不同于第一聲阻抗區(qū)域的聲阻抗。通過(guò)本申請(qǐng)，能夠提供一種溫度特性良好、且進(jìn)一步抑制雜散的彈性波器件及其制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：熊四輩,中村浩,塩井伸一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三安日本科技株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2