本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法，更具體地，例如但不限于，涉及一種用于減少或防止橫向漏電流和濕氣滲透的顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、隨著信息技術(shù)的發(fā)展，提出了各種類型的小而薄的顯示裝置，例如液晶顯示裝置、有機發(fā)光顯示裝置、等離子顯示裝置、微型led顯示裝置等。這些顯示裝置應(yīng)用于各種電子設(shè)備，例如智能手機、平板pc、膝上型電腦、導(dǎo)航裝置、照相機、多媒體播放器、游戲控制臺等。

2、在顯示裝置內(nèi)部形成包括有機發(fā)光層和各種電極的顯示元件。

3、在背景技術(shù)部分中提供的描述不應(yīng)僅因為在背景技術(shù)部分中被提及或者與背景技術(shù)部分相關(guān)聯(lián)而被認為是現(xiàn)有技術(shù)。背景技術(shù)部分可以包括描述主題技術(shù)的一個或更多個方面的信息。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在顯示裝置中，存在這樣的限制：當(dāng)來自外部的濕氣滲透到顯示裝置中時，電極受到腐蝕，并且有機發(fā)光層劣化。

2、此外，近來，通過減小或最小化子像素之間的距離來制造高分辨率顯示裝置。然而，在這種情況下，隨著相鄰子像素之間的距離減小，橫向漏電流在相鄰子像素之間流動，并且該橫向漏電流導(dǎo)致來自子像素的不期望出現(xiàn)的光發(fā)射。

3、本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠防止橫向漏電流和濕氣滲透的顯示裝置及制造方法。

4、本發(fā)明的另一目的是提供一種能夠簡化制造工藝的顯示裝置及制造方法。

5、根據(jù)本發(fā)明的一種顯示裝置包括：基板，其包括多個子像素和接觸單元；至少一個晶體管，其設(shè)置在每個子像素中；發(fā)光器件，其設(shè)置在每個子像素中，該發(fā)光器件包括第一電極、有機層和第二電極；輔助電極，其設(shè)置在接觸單元中，以向發(fā)光器件提供電壓；以及阻擋層，其位于輔助電極方上，以阻擋來自外部的濕氣；其中，阻擋層包括由正交材料制成的第一圖案和位于第一圖案上的第二圖案，其中，阻擋層的寬度小于輔助電極的寬度，使得輔助電極延伸到阻擋層的至少一側(cè)的外部，并且輔助電極暴露于外部，并且其中，第二電極從子像素延伸到阻擋層，使得第二電極形成在阻擋層的兩側(cè)和輔助電極的暴露區(qū)域上。

6、第一圖案由在碳-碳鍵以鏈結(jié)構(gòu)連續(xù)形成地同時在官能中含有大量氟(f)的含氟聚合物材料形成。此外，第一圖案具有疏水性和疏油性。第二圖案由光致抗蝕劑形成。

7、第一絕緣層覆蓋晶體管，并且堤層在第一絕緣層上方設(shè)置在多個子像素之間。晶體管包括：半導(dǎo)體層，其位于基板上方；第二絕緣層，其覆蓋半導(dǎo)體層；柵極，其位于第二絕緣層上；第三絕緣層，其覆蓋柵極；以及源極和漏極，其位于第三絕緣層上。

8、在接觸單元中形成移除了堤層和第三絕緣層的開口，并且輔助電極設(shè)置在開口內(nèi)。輔助電極與源極和漏極由相同的材料形成。

9、斷開單元在子像素的一側(cè)位于堤層上方以在相鄰子像素之間斷開第二電極。斷開單元包括：第一斷開層，其設(shè)置在堤層上；以及第二斷開層，其位于第一斷開層上，其中，第一斷開層的寬度小于第二斷開層的寬度，使得斷開單元形成為底切形狀。第一斷開層由在碳-碳鍵以鏈結(jié)構(gòu)連續(xù)形成的同時在官能中含有大量氟(f)的含氟聚合物材料形成，并且第二斷開層由光致抗蝕劑形成。設(shè)置在子像素的一側(cè)的斷開單元包括多個斷開單元。

10、根據(jù)本發(fā)明的一種制造顯示裝置的方法包括：提供包括多個子像素和接觸單元的基板；在每個子像素中形成晶體管；在接觸單元中形成輔助電極；在每個子像素中形成第一電極和有機層；在基板的整個區(qū)域上沉積正交材料和光致抗蝕劑；對光致抗蝕劑進行顯影以在接觸單元中在輔助電極上形成光致抗蝕劑圖案；通過光致抗蝕劑圖案過蝕刻正交材料以形成底切形狀的阻擋層；對阻擋層進行熱處理；以及在基板的整個區(qū)域上形成第二電極；其中，第二電極形成在阻擋層的側(cè)表面和上表面兩者上，并且電連接到從阻擋層的兩個側(cè)表面延伸的輔助電極。

11、形成絕緣層以覆蓋晶體管，并且在絕緣層上方在子像素之間形成堤層。形成開口以蝕刻接觸單元中的絕緣層和堤層。輔助電極形成在開口內(nèi)。

12、在堤層上方形成斷開單元。斷開單元包括由正交材料形成的第一斷開層和位于第一斷開層上的由光致抗蝕劑形成的第二斷開層。斷開單元和阻擋層同時形成。

13、形成有機層包括在基板的整個區(qū)域上連續(xù)地沉積正交材料和光致抗蝕劑；移除第一電極上方的光致抗蝕劑以形成光致抗蝕劑圖案；使用光致抗蝕劑圖案作為掩模而蝕刻正交材料；在基板的整個區(qū)域上沉積有機材料；以及通過移除正交材料以移除位于正交材料上方的光致抗蝕劑圖案和有機材料，來在多個子像素中形成有機層。

14、應(yīng)當(dāng)理解，前述一般性描述和下面的詳細描述都是示例性和解釋性的，并且旨在提供對所要求保護的發(fā)明構(gòu)思的進一步解釋。

技術(shù)特征：

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述阻擋層的寬度小于所述輔助電極的寬度，使得所述輔助電極延伸到所述阻擋層的至少一側(cè)的外部，以形成所述暴露部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述第二電極形成在所述阻擋層的兩側(cè)以及所述輔助電極的位于所述阻擋層的兩側(cè)的所述暴露部分上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一圖案由含氟有機材料形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一圖案由在碳-碳鍵以鏈結(jié)構(gòu)連續(xù)形成的同時在官能團中包含多個氟原子的含氟聚合物材料形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述第一圖案具有疏水性和疏油性。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述阻擋層還包括位于所述第一圖案上的第二圖案，并且

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述第二圖案的下表面的寬度等于或小于所述第一圖案的上表面的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述晶體管包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，在所述接觸單元中形成其中移除了所述堤層和所述第三絕緣層的開口，并且所述輔助電極設(shè)置在所述開口內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中，所述輔助電極與所述源極和所述漏極由相同的材料形成。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括在所述子像素的一側(cè)位于所述堤層上方的斷開單元以使所述第二電極斷開。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述斷開單元包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述第一斷開層由在碳-碳鍵以鏈結(jié)構(gòu)連續(xù)形成的同時在官能團中包含多個氟原子的含氟聚合物材料形成。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述第二斷開層由光致抗蝕劑形成。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，設(shè)置在所述子像素的一側(cè)的所述斷開單元包括彼此間隔開的多個部分。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括設(shè)置在所述第二電極上方的封裝層，

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述接觸單元設(shè)置在所述多個子像素中的每一個的一側(cè)。

20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述輔助電極電連接到用于向所述第二電極提供公共電壓的電源線。

21.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，蝕刻所述正交材料的步驟還包括以下步驟：

23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述第二電極形成在所述阻擋層的側(cè)表面和上表面兩者上，并且電連接到從所述阻擋層的兩個側(cè)表面延伸的所述輔助電極。

24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，所述方法還包括以下步驟：

25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述輔助電極形成在所述開口內(nèi)。

26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，所述方法還包括以下步驟：形成位于所述堤層上方的斷開單元。

27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述斷開單元包括由所述正交材料形成的第一斷開層和位于所述第一斷開層上的由所述光致抗蝕劑形成的第二斷開層，并且

28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述斷開單元具有底切形狀，并且

29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，在對所述阻擋層進行熱處理的步驟中，在基板側(cè)執(zhí)行熱處理，使得所述阻擋層不保持底切形狀而所述斷開單元保持底切形狀。

30.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，形成所述有機層的步驟包括以下步驟：

31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，經(jīng)蝕刻的所述正交材料和位于經(jīng)蝕刻的所述正交材料上的所述光致抗蝕劑圖案形成為底切形狀。

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及顯示裝置及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置包括：基板，其包括多個子像素和接觸單元；至少一個晶體管，其設(shè)置在每個子像素中；發(fā)光器件，其設(shè)置在每個子像素中，該發(fā)光器件包括第一電極、有機層和第二電極；輔助電極，其設(shè)置在接觸單元中以向發(fā)光器件提供電壓；以及阻擋層，其位于輔助電極上方以阻擋來自外部的濕氣；其中，阻擋層包括由正交材料制成的第一圖案和位于第一圖案上的第二圖案，其中，阻擋層的寬度小于輔助電極的寬度，使得輔助電極延伸到阻擋層的至少一側(cè)的外部，并且輔助電極暴露于外部，并且其中，第二電極從子像素延伸到阻擋層，使得第二電極形成在阻擋層的兩側(cè)和輔助電極的暴露區(qū)域上。

技術(shù)研發(fā)人員：金大熙,金文秀
受保護的技術(shù)使用者：樂金顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2