本公開涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，更具體地，涉及包括垂直溝道晶體管(vct)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

背景技術(shù)：

1、需要提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的集成度以滿足消費(fèi)者所需的優(yōu)異性能和低價(jià)格。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的情況下，因?yàn)榧啥仁菦Q定產(chǎn)品價(jià)格的重要因素，所以特別需要提高集成度。

2、在二維或平面半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的情況下，集成度主要由單位存儲(chǔ)單元占據(jù)的面積決定，因此，極大地受精細(xì)圖案形成技術(shù)水平影響。然而，因?yàn)樾枰嘿F的裝置來(lái)微型化圖案，所以二維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的集成度在提高，但仍然受限。因此，提出了包括具有在垂直方向上延伸的溝道的垂直溝道晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式提供了具有改善的集成度和電特性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

2、然而，本發(fā)明構(gòu)思的方面不限于在此所闡述的。通過(guò)參照下面給出的詳細(xì)描述，本發(fā)明構(gòu)思的上述和其他的方面對(duì)于本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更加明顯。

3、本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其包括：位線，包括金屬并且在襯底上沿第一方向延伸；在位線上的溝道結(jié)構(gòu)，溝道結(jié)構(gòu)包括沿第二方向延伸的第一溝道圖案，并且溝道結(jié)構(gòu)包括沿第一方向與第一溝道圖案間隔開并且沿第二方向延伸的第二溝道圖案；襯墊膜，在位線和溝道結(jié)構(gòu)之間，襯墊膜包括所述金屬；第一字線，在第一溝道圖案和第二溝道圖案之間，第一字線沿第二方向延伸；第二字線，在第一溝道圖案和第二溝道圖案之間，第二字線沿第二方向延伸，第二字線在第一方向上與第一字線間隔開；以及第一電容器和第二電容器，分別在第一溝道圖案和第二溝道圖案上，并且分別連接到第一溝道圖案和所述第二溝道圖案。

4、本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式還提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其包括：位線，在襯底上沿第一方向延伸；在襯底上的突出絕緣圖案，突出絕緣圖案包括暴露位線的溝道溝槽，突出絕緣圖案在與第一方向交叉的第二方向上延伸；襯墊膜，在暴露的位線的上表面上；溝道結(jié)構(gòu)，沿著溝道溝槽的下表面和側(cè)表面延伸，溝道結(jié)構(gòu)包括第一溝道圖案和在第一方向上與第一溝道圖案間隔開的第二溝道圖案；在溝道結(jié)構(gòu)上的第一字線和第二字線，第一字線和第二字線在第一方向上彼此間隔開并且每個(gè)在第二方向上延伸；柵極絕緣膜，在第一溝道圖案和第一字線之間，且柵極絕緣膜在第二溝道圖案和第二字線之間；以及第一電容器和第二電容器，分別在第一溝道圖案和第二溝道圖案上，第一電容器和所述第二電容器分別連接到第一溝道圖案和第二溝道圖案。

5、本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式還提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其包括：在襯底上的外圍柵極結(jié)構(gòu)；位線，在外圍柵極結(jié)構(gòu)上并且在第一方向上延伸；在襯底上的突出絕緣圖案，突出絕緣圖案包括暴露位線的溝道溝槽，突出絕緣圖案在與第一方向交叉的第二方向上延伸；在溝道溝槽中的溝道結(jié)構(gòu)，溝道結(jié)構(gòu)包括水平部分以及從水平部分突出的第一垂直部分和第二垂直部分；在位線和溝道結(jié)構(gòu)的水平部分之間的襯墊膜，襯墊膜包括氮化物；在溝道結(jié)構(gòu)上的第一字線，第一字線在第二方向上延伸；在溝道結(jié)構(gòu)上的第二字線，第二字線在第二方向上延伸，第二字線在第一方向上與第一字線間隔開；柵極絕緣膜，在溝道結(jié)構(gòu)的第一垂直部分和第一字線之間以及在溝道結(jié)構(gòu)的第二垂直部分和第二字線之間；在溝道結(jié)構(gòu)的水平部分上的柵極分隔圖案，柵極分隔圖案將第一字線和第二字線分開；以及在溝道結(jié)構(gòu)上的第一電容器和第二電容器，第一電容器和第二電容器分別連接到溝道結(jié)構(gòu)的第一垂直部分和溝道結(jié)構(gòu)的第二垂直部分。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，

13.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括：

20.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：位線，包括金屬并且在襯底上沿第一方向延伸；在位線上的溝道結(jié)構(gòu)，包括沿第二方向延伸的第一溝道圖案、以及沿第一方向與第一溝道圖案間隔開并且沿第二方向延伸的第二溝道圖案；襯墊膜，在位線溝道結(jié)構(gòu)之間，并且包括所述金屬；第一字線，在第一溝道圖案和第二溝道圖案之間，第一字線沿第二方向延伸；第二字線，在第一溝道圖案和第二溝道圖案之間并且沿第二方向延伸，第二字線在第一方向上與第一字線間隔開；以及第一電容器和第二電容器，分別在第一溝道圖案和第二溝道圖案上，并且連接到第一溝道圖案和第二溝道圖案。

技術(shù)研發(fā)人員：禹盛允,崔智旻,慎重垣,李瑌真
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6