本公開涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、專利文獻1公開了在一個半導(dǎo)體基板上設(shè)置有第1柵極電極和第2柵極電極的半導(dǎo)體裝置。專利文獻1所記載的半導(dǎo)體裝置在關(guān)斷(turn?off)時第2柵極電極以早于第1柵極電極的時刻關(guān)斷，在接通(turn?on)時第2柵極電極以晚于第1柵極電極的時刻接通。由此，開關(guān)損耗降低。

2、專利文獻1：日本專利第5742672號

3、在專利文獻1所記載的半導(dǎo)體裝置中，未考慮以高速對寄生于第2柵極電極的柵極電容進行充放電。因此，存在導(dǎo)通電壓低的期間短，傳導(dǎo)損耗大的問題。具體而言，由于第2柵極電極變?yōu)閷?dǎo)通(on)狀態(tài)，因此在第2柵極電極的周圍形成有n型的積蓄層，由于積蓄層成為空穴勢壘，因此能夠增加漂移層內(nèi)的空穴密度，從而導(dǎo)通電壓降低。當?shù)?柵極電極的充放電時間長時，存在第2柵極電極變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)的期間變短，傳導(dǎo)損耗惡化的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開是為了解決上述的問題點所做出的，其目的在于，在具備第1柵極電極和第2柵極電極的半導(dǎo)體裝置中改善傳導(dǎo)損耗。

2、本公開的半導(dǎo)體裝置具備：半導(dǎo)體基板，具有第1主面以及與第1主面對置的第2主面；上表面電極，形成于半導(dǎo)體基板的第1主面上；下表面電極，形成于半導(dǎo)體基板的第2主面上；第1柵極焊盤；以及第2柵極焊盤，與第1柵極焊盤獨立地被控制。半導(dǎo)體基板具備：第1導(dǎo)電型的漂移層；第2導(dǎo)電型的基極層，形成于漂移層的第1主面?zhèn)?；?導(dǎo)電型的源極層，形成于基極層的第1主面?zhèn)?；以及多個第1溝槽，從源極層貫通基極層并到達漂移層。半導(dǎo)體裝置具備經(jīng)由絕緣膜埋入到多個第1溝槽各自的內(nèi)部的柵極電極。柵極電極包含：第1柵極電極，與第1柵極焊盤電連接；和第2柵極電極，與第2柵極焊盤電連接。寄生于第2柵極電極的柵極電容的充電期間以及放電期間分別短于寄生于第1柵極電極的柵極電容的充電期間以及放電期間。

3、根據(jù)本公開的半導(dǎo)體裝置，寄生于第2柵極電極的柵極電容的充放電期間短于寄生于第1柵極電極的柵極電容的充放電期間。因此，能夠延長第2柵極電極的導(dǎo)通期間。其結(jié)果，導(dǎo)通電壓低的期間變長，傳導(dǎo)損耗改善。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求1～13中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求1～17中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求1～17中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求1～19中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
本公開的目的在于，在具備第1柵極電極和第2柵極電極的半導(dǎo)體裝置中改善傳導(dǎo)損耗。半導(dǎo)體裝置(101)具備經(jīng)由絕緣膜埋入到多個第1溝槽各自的內(nèi)部的柵極電極。柵極電極包含：第1柵極電極(12)，與第1柵極焊盤(30)電連接；和第2柵極電極(15)，與第2柵極焊盤(31)電連接。寄生于第2柵極電極(15)的柵極電容的充電期間以及放電期間分別短于寄生于第1柵極電極(12)的柵極電容的充電期間以及放電期間。

技術(shù)研發(fā)人員：小西和也
受保護的技術(shù)使用者：三菱電機株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/28