技術特征：

1.一種鐵電存儲器，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的鐵電存儲器，其特征在于，所述電容器的內(nèi)部填充有電介質(zhì)材料，所述板線包括金屬導電層，所述金屬導電層通過形成于所述電介質(zhì)材料中的第二電容導電柱連接到所述第二電極板。

3.如權利要求1所述的鐵電存儲器，其特征在于，所述電容器的內(nèi)部填充有導電材料，所述板線形成于所述導電材料的表面，通過所述導電材料與所述第二電極板電連接。

4.如權利要求1所述的鐵電存儲器，其特征在于，所述電容器的內(nèi)部填充有導電材料，所述導電材料與所述第二電極板電連接，且被配置為板線。

5.如權利要求1所述的鐵電存儲器，其特征在于，還包括導電金屬層，其通過導電柱與所述板線電連接。

6.一種如權利要求1所述的鐵電存儲器的制造方法，其特征在于，包括步驟：

7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述填充層采用電介質(zhì)材料，且形成金屬互連及板線和位線包括步驟：

8.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述填充層采用鎢金屬，且形成金屬互連及板線和位線包括步驟：

9.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述填充層采用導電材料，且形成金屬互連及板線和位線包括步驟：

10.一種如權利要求1所述的鐵電存儲器的制造方法，其特征在于，包括步驟：

技術總結
本發(fā)明公開一種鐵電存儲器，其包括半導體襯底、設置在半導體襯底上方的第一互連結構，其中第一互連結構包括第一電容導電柱、第一位線導電柱以及導電柱之間的第一介質(zhì)層、層疊在第一介質(zhì)層上的第二介質(zhì)層、形成于第二介質(zhì)層深孔中的電容器以及板線和位線。其中電容器包括第一電極層、高K鐵電氧化物層和第二電極層，第一電極層沉積于第二介質(zhì)層的深孔內(nèi)，與第一電容導電柱電連接，高K鐵電氧化物層沉積于第一電極層表面，第二電極層沉積于高K鐵電氧化物層的表面。板線設置于第二電極層表面，與其電連接的。位線與板線位于同一高度，且通過設置于第二介質(zhì)層中的第二位線導電柱連接至第一位線導電柱。

技術研發(fā)人員：郭美瀾,沈魯威,胡禺石
受保護的技術使用者：無錫舜銘存儲科技有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/11/4