本公開涉及發(fā)光器件領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體器件，具有節(jié)能、高亮度、耐久性高、壽命長(zhǎng)和重量輕等優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)在照明和顯示等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

2、相關(guān)技術(shù)提供了一種發(fā)光二極管，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包括外延結(jié)構(gòu)、金屬結(jié)構(gòu)、絕緣結(jié)構(gòu)和電極結(jié)構(gòu)。

3、相關(guān)技術(shù)的金屬結(jié)構(gòu)包括金屬反射層和包裹金屬反射層的金屬保護(hù)層，金屬保護(hù)層用于防止金屬發(fā)生遷移，但導(dǎo)致金屬反射層的面積變小，從而減少了反射面積，影響出光亮度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管及其制備方法，能夠增加金屬反射層的有效反射面積，提高了發(fā)光二極管亮度。所述技術(shù)方案如下：

2、一方面，提供了一種發(fā)光二極管制備方法，所述方法包括：

3、制作外延結(jié)構(gòu)；

4、對(duì)所述外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形化處理，形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)；

5、在所述外延結(jié)構(gòu)上制作在上制作電流阻擋層，所述電流阻擋層具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于所述外延結(jié)構(gòu)表面，所述第二通孔位于所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面；

6、在所述電流阻擋層表面制作金屬反射層，所述金屬反射層具有暴露出所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的通孔，所述金屬反射層通過所述第一通孔與所述外延結(jié)構(gòu)電連接；

7、制作絕緣結(jié)構(gòu)，所述絕緣結(jié)構(gòu)包括覆蓋在所述金屬反射層上的保護(hù)層；所述保護(hù)層覆蓋所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的側(cè)壁以及所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的部分臺(tái)階面；所述保護(hù)層具有第三通孔以及第四通孔；所述第三通孔設(shè)置在所述金屬反射層上，所述第一電極結(jié)構(gòu)通過所述第三通孔與所述金屬反射層電連接；所述第四通孔位于所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的所述臺(tái)階面；

8、制作第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)，所述第一電極結(jié)構(gòu)通過所述第三通孔與所述金屬反射層電連接；所述第二電極結(jié)構(gòu)通過所述第四通孔以及所述第二通孔和所述外延結(jié)構(gòu)電連接。

9、可選地，在所述電流阻擋層表面制作金屬反射層，包括：

10、在所述電流阻擋層表面涂上一層光刻膠；

11、對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，得到掩膜圖案，所述掩膜圖案對(duì)應(yīng)所述通孔所在的區(qū)域；

12、濺射金屬薄膜；

13、去除所述掩膜圖案及所述掩膜圖案上的金屬薄膜，得到所述金屬反射層。

14、可選地，所述制作絕緣結(jié)構(gòu)，包括：

15、采用單原子沉積技術(shù)沉積al2o3，得到所述保護(hù)層。

16、可選地，所述保護(hù)層的厚度為300～1000埃。

17、可選地，所述金屬反射層的通孔的側(cè)壁到所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間的距離小于或等于11微米。

18、另一方面，提供了一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括：

19、外延結(jié)構(gòu)、電流阻擋層、金屬反射層、絕緣結(jié)構(gòu)、第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)；

20、所述外延結(jié)構(gòu)具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)；所述電流阻擋層和所述金屬反射層依次層疊在所述外延結(jié)構(gòu)上；所述金屬反射層具有暴露出所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的通孔，所述電流阻擋層具有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于所述外延結(jié)構(gòu)表面，所述第二通孔位于所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面；所述金屬反射層通過所述第一通孔與所述外延結(jié)構(gòu)電連接，所述絕緣結(jié)構(gòu)包括覆蓋在所述金屬反射層上的保護(hù)層；所述保護(hù)層覆蓋所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的側(cè)壁以及所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的部分臺(tái)階面；所述保護(hù)層具有第三通孔以及第四通孔；所述第三通孔設(shè)置在所述金屬反射層上，所述第一電極結(jié)構(gòu)通過所述第三通孔與所述金屬反射層電連接；所述第四通孔位于所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的所述臺(tái)階面，所述第二電極結(jié)構(gòu)通過所述第四通孔以及所述第二通孔和所述外延結(jié)構(gòu)電連接。

21、可選地，所述保護(hù)層為的al2o3層。

22、可選地，所述保護(hù)層的厚度為300～1000埃。

23、可選地，所述金屬反射層的通孔的側(cè)壁到所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間的距離小于或等于14微米。

24、可選地，所述金屬反射層的通孔的側(cè)壁到所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間的距離小于或等于11微米。

25、本公開實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

26、在相關(guān)技術(shù)中，通過保護(hù)層包裹金屬反射層的方式來防止金屬遷移的發(fā)生，會(huì)犧牲一定的線寬和金屬反射層面積。在本公開實(shí)施例中，保護(hù)層覆蓋金屬反射層的部分區(qū)域，且保護(hù)層覆蓋金屬反射層通孔暴露出的臺(tái)階結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和部分臺(tái)階面，也即保護(hù)層采用從金屬反射層延伸到的臺(tái)階結(jié)構(gòu)的側(cè)壁再延伸到部分臺(tái)階面的結(jié)構(gòu)，而非包裹整個(gè)金屬反射層，從而可以減小金屬反射層開設(shè)的通孔，減小金屬反射層的通孔的側(cè)壁到所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之間的距離，增加了外延結(jié)構(gòu)表面的金屬反射層線寬和金屬反射層面積，提高了發(fā)光二極管亮度。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光二極管制備方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管制備方法，其特征在于，在所述電流阻擋層(105)表面制作金屬反射層(106)，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管制備方法，其特征在于，所述制作絕緣結(jié)構(gòu)(30)，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管制備方法，其特征在于，所述保護(hù)層(107)的厚度為300～1000埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管制備方法，其特征在于，所述金屬反射層(106)的通孔的側(cè)壁到所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)(201)的側(cè)壁之間的距離小于或等于11微米。

6.一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管包括：外延結(jié)構(gòu)(10)、電流阻擋層(105)、金屬反射層(106)、絕緣結(jié)構(gòu)(30)、第一電極結(jié)構(gòu)(401)和第二電極結(jié)構(gòu)(402)；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述保護(hù)層(107)為al2o3層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述保護(hù)層(107)的厚度為300～1000埃。

9.根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬反射層(106)的通孔的側(cè)壁到所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)(201)的側(cè)壁之間的距離小于或等于14微米。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬反射層(106)的通孔的側(cè)壁到所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)(201)的側(cè)壁之間的距離小于或等于11微米。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種發(fā)光二極管及其制備方法。該方法包括：制作外延結(jié)構(gòu)；對(duì)外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形化處理，形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)；在外延結(jié)構(gòu)上制作在上制作電流阻擋層，電流阻擋層具有第一通孔和第二通孔；在電流阻擋層表面制作金屬反射層，金屬反射層具有暴露出臺(tái)階結(jié)構(gòu)的通孔，金屬反射層通過第一通孔與外延結(jié)構(gòu)電連接；制作絕緣結(jié)構(gòu)，絕緣結(jié)構(gòu)包括覆蓋在金屬反射層上的保護(hù)層；保護(hù)層具有第三通孔以及第四通孔；第三通孔設(shè)置在金屬反射層上，第四通孔位于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面；制作第一電極結(jié)構(gòu)和第二電極結(jié)構(gòu)，第一電極結(jié)構(gòu)通過第三通孔與金屬反射層電連接；第二電極結(jié)構(gòu)通過第四通孔以及第二通孔和外延結(jié)構(gòu)電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：張夢(mèng)竹,李文琦,崔偉豪,劉小亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方華燦光電（浙江）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9