本技術(shù)涉及顯示面板，特別涉及一種micro-led顯示單元以及制作方法。

背景技術(shù)：

1、micro?led作為新一代顯示技術(shù)，比現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode，oled)技術(shù)亮度更高、發(fā)光效率更好、但功耗更低，具有極大的應(yīng)用前景。鑒于現(xiàn)在的巨量轉(zhuǎn)移以及巨量修補(bǔ)技術(shù)的良率與成本問(wèn)題仍然不能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)品化，因此行業(yè)為加速micro-led顯示的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,提出了micro-led顯示的mip(micro-ledinpackage)技術(shù)方案，就是提前將micro-led的芯片預(yù)先封裝在一個(gè)小的顯示單元，再借由比較成熟的技術(shù)將預(yù)先封裝micro-led芯片的顯示單元轉(zhuǎn)移到對(duì)應(yīng)的pcb與玻璃基顯示電路上，該技術(shù)方案具備技術(shù)成熟度高、預(yù)期成本低的可行性。但是由于紅光出光效率較低等原因，被封裝于顯示單元中的led芯片整體出光效率往往較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的目的在于提供一種micro-led顯示單元以及制作方法，其能夠改善上述問(wèn)題。

2、本技術(shù)的實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、第一方面，本技術(shù)提供一種micro-led顯示單元的制作方法，包括以下步驟s1至s8，其中,s1、s2等僅為步驟標(biāo)識(shí)，方法的執(zhí)行順序并不一定按照數(shù)字由小到大的順序進(jìn)行，比如可以是先執(zhí)行步驟s2再執(zhí)行步驟s1，本技術(shù)不做限制。

4、s1，提供一藍(lán)寶石基板，在所述藍(lán)寶石基板上制備陣列排布的m個(gè)濾光單元，m為大于2的正整數(shù)，每個(gè)濾光單元包括藍(lán)光濾光單元和紅綠濾光單元；

5、s2，通過(guò)水氧阻隔層覆蓋所述濾光單元之后，在所述水氧阻隔層上制備波長(zhǎng)變換單元，使得所述波長(zhǎng)變換單元在所述藍(lán)寶石基板的正投影區(qū)域落入所述紅綠濾光單元的覆蓋范圍內(nèi)，所述波長(zhǎng)變換單元用于將藍(lán)光光束轉(zhuǎn)換成紅光光束和綠光光束；

6、s3，在波長(zhǎng)變換單元之上也覆蓋水氧阻隔層；

7、s4，用黑膠填充所述波長(zhǎng)變換單元之間的空隙，并在所述波長(zhǎng)變換單元上制備一透光填平層；

8、s5，于所述填平層上固定m個(gè)發(fā)光單元組，所述發(fā)光單元組包括輸出第一波段的藍(lán)光m?icro-led芯片和輸出第二波段的藍(lán)光micro-led芯片，所述輸出第一波段的藍(lán)光micro-led芯片在所述填平層的正投影區(qū)域落入所述藍(lán)光濾光單元的正投影區(qū)域內(nèi)，所述輸出第二波段的藍(lán)光m?icro-led芯片在所述填平層的正投影區(qū)域落入所述波長(zhǎng)變換單元的正投影區(qū)域內(nèi)；

9、s6，繼續(xù)采用黑膠填充各個(gè)m?icro-led芯片之間的空隙；

10、s7，沿所述發(fā)光單元組的出光方向切斷各層結(jié)構(gòu)，以分離各個(gè)所述濾光單元，得到m個(gè)初始單元；

11、s8，于所述初始單元上制備連接各個(gè)所述micro-led芯片的信號(hào)接觸墊，得到m個(gè)micro-led顯示單元。

12、可以理解，本技術(shù)提供了一種m?icro-led顯示單元的制作方法，將紅綠藍(lán)三色發(fā)光單元封裝于一個(gè)m?icro-led顯示單元內(nèi)，減少了巨量轉(zhuǎn)移中焊接安裝的操作量。此外，本方法采用量子點(diǎn)材料層等波長(zhǎng)變換單元對(duì)藍(lán)光led芯片出射的藍(lán)光光束進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，避免了直接使用出光效率較低的紅光led芯片和綠光led芯片。為了保障波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換效率，本方法采用了波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換效率較好波段的藍(lán)光led芯片與波長(zhǎng)變換單元配合，以產(chǎn)生紅光光束和綠光光束；與此同時(shí)，本方法采用了另一波段的藍(lán)光led芯片，作為整個(gè)顯示單元的藍(lán)光輸出，以提高整體色域。

13、在本技術(shù)可選的實(shí)施例中，所述發(fā)光單元組包括第一藍(lán)光micro-led芯片、第二藍(lán)光micro-led芯片和第三藍(lán)光micro-led芯片，其中，所述第一藍(lán)光micro-led芯片用于出射第一波段的藍(lán)光光束，所述第二藍(lán)光micro-led芯片和所述第三藍(lán)光micro-led芯片用于出射第二波段的藍(lán)光光束。

14、可以理解，本技術(shù)中波長(zhǎng)變換單元為填充有量子點(diǎn)材料的轉(zhuǎn)換層，為了保障波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換效率，可采用中心波長(zhǎng)為450nm的第二波段的第二藍(lán)光micro-led芯片作為綠光轉(zhuǎn)換的光源；可采用中心波長(zhǎng)為450nm的第二波段的第三藍(lán)光micro-led芯片作為紅光轉(zhuǎn)換的光源；為了提高整體色域，可采用與第二波段不同的第一波段的第一藍(lán)光micro-led芯片，比如中心波長(zhǎng)為460nm的第一波段，作為藍(lán)光光源。

15、在本技術(shù)可選的實(shí)施例中，所述第一藍(lán)光micro-led芯片和所述第二藍(lán)光micro-led芯片的正電極排布于第一直線上；所述第一藍(lán)光micro-led芯片和所述第二藍(lán)光micro-led芯片的負(fù)電極排布第二直線上；所述第三藍(lán)光micro-led芯片的正電極排布于所述第二直線上，且所述第三藍(lán)光micro-led芯片的負(fù)電極排布于所述第一直線上。

16、可以理解，常規(guī)的顯示單元封裝中，往往會(huì)把三個(gè)led芯片依次排開(kāi)，使得三個(gè)led芯片的正電極均位于同一直線上，又使三個(gè)led芯片的負(fù)電極也位于同一直線上，但是在后續(xù)制備顯示單元的信號(hào)接觸墊時(shí)，往往造成某一led芯片的電極走線必須進(jìn)行邊緣走線，邊緣走線往往會(huì)減小金屬線的寬度，電流通過(guò)時(shí)電阻效應(yīng)明顯，導(dǎo)致顯示單元發(fā)熱嚴(yán)重等問(wèn)題。本方法中，逆向排布邊緣led芯片，可以避免邊緣芯片進(jìn)行邊緣走線，解決了顯示單元的發(fā)熱問(wèn)題。

17、在本技術(shù)可選的實(shí)施例中，所述紅綠濾光單元包括以下至少一項(xiàng)：

18、紅光濾光片和綠光濾光片；

19、第一長(zhǎng)波通濾光片和第二長(zhǎng)波通濾光片，所述第一長(zhǎng)波通濾光片的截止波長(zhǎng)等于綠光波段的最小值，所述第二長(zhǎng)波通濾光片的截止波長(zhǎng)也等于綠光波段的最小值；

20、膽甾相液晶組件，所述膽甾相液晶組件包括依次層疊的下電極、膽甾相液晶層和上電極，所述膽甾相液晶層在第一電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下形成第一形態(tài)的膽甾型光柵，可透過(guò)紅光波段且反射其他波段光束，在第二電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下形成第二形態(tài)的膽甾型光柵，用于透過(guò)綠光波段且反射其他波段光束。

21、在本技術(shù)可選的實(shí)施例中，所述波長(zhǎng)變換單元包括以下至少一項(xiàng)：

22、含有綠光量子點(diǎn)材料的第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換塊和含有紅光量子點(diǎn)材料的第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換塊；

23、含有紅光量子點(diǎn)材料和綠光量子點(diǎn)材料的第三波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換塊。

24、在本技術(shù)可選的實(shí)施例中，上述方法還包括以下至少一項(xiàng)：

25、所述第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換塊的覆蓋面積小于所述綠光濾光片的覆蓋面積，所述第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換塊的覆蓋面積小于所述紅光濾光片的覆蓋面積；

26、所述第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換塊的覆蓋面積小于所述第二長(zhǎng)波通濾光片的覆蓋面積，所述第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換塊的覆蓋面積小于所述第二一長(zhǎng)波通濾光片的覆蓋面積；

27、所述第三波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換塊的覆蓋面積之和小于所述膽甾相液晶組件的覆蓋面積。

28、在本技術(shù)可選的實(shí)施例中，所述s8還包括以下步驟：

29、s81，使用絕緣材料涂布于所述藍(lán)寶石基板上，包裹每個(gè)所述初始單元；

30、s82，對(duì)所述絕緣材料構(gòu)成的絕緣材料層進(jìn)行打孔，以露出led芯片的電極，并在所述絕緣材料層表面制備連接所述電極的信號(hào)接觸墊，得到m個(gè)mi?cro-led顯示單元。

31、在本技術(shù)可選的實(shí)施例中，所述m?icro-led顯示單元中的所述絕緣材料層的表面為矩形面；所述矩形面的第一邊角處設(shè)置有第一信號(hào)接觸墊，所述矩形面的第二邊角處設(shè)置有第二信號(hào)接觸墊，所述矩形面的第三邊角處設(shè)置有第三信號(hào)接觸墊，所述矩形面的第四邊角處設(shè)置有第四信號(hào)接觸墊；各個(gè)led芯片的負(fù)電極通過(guò)直線電路依次串聯(lián)后，構(gòu)成串聯(lián)電路段，選擇距離所述串聯(lián)電路段首端或尾端最近的所述第一信號(hào)接觸墊與所述串聯(lián)電路段連接；其他信號(hào)接觸墊分別與距離最近的led芯片的正電極連接。

32、在本技術(shù)可選的實(shí)施例中，在步驟s2之前，還包括以下步驟：s9，在所述藍(lán)寶石基板上制備m組液晶驅(qū)動(dòng)觸墊組，每個(gè)所述液晶驅(qū)動(dòng)觸墊組包括與所述上電極連接的上觸墊和與所述下電極連接的下觸墊；

33、在步驟s8之后，還包括以下步驟：s10，對(duì)所述絕緣材料層、所述填平層、所述黑膠進(jìn)行打孔，以露出所述上觸墊和所述下觸墊，并在所述絕緣材料層表面制備連接所述上觸墊的上驅(qū)動(dòng)接觸墊以及連接所述下觸墊的下驅(qū)動(dòng)接觸墊。

34、第二方面，本技術(shù)公開(kāi)了一種m?icro-led顯示單元，由第一方面任一項(xiàng)所述的方法制備而成。

35、有益效果：

36、本技術(shù)公開(kāi)了一種micro-led顯示單元以及制作方法。本方法將紅綠藍(lán)三色發(fā)光單元封裝于一個(gè)m?icro-led顯示單元內(nèi)，減少了巨量轉(zhuǎn)移中焊接安裝的操作量。此外，本方法采用量子點(diǎn)材料層等波長(zhǎng)變換單元對(duì)藍(lán)光led芯片出射的藍(lán)光光束進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，避免了直接使用出光效率較低的紅光led芯片和綠光led芯片。為了保障波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換效率，本方法采用了波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換效率較好波段的藍(lán)光led芯片與波長(zhǎng)變換單元配合，以產(chǎn)生紅光光束和綠光光束；與此同時(shí)，本方法采用了另一波段的藍(lán)光led芯片，作為整個(gè)顯示單元的藍(lán)光輸出，以提高整體色域。

37、為使本技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉可選實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。