本發(fā)明涉及多層電路板，尤其涉及一種多層電路板及制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著大數(shù)據(jù)時代的到來，對功率管理集成電路的市場需求越來越廣泛，高速運算帶來產(chǎn)熱的問題越來越備受關注，受制于空間布局越來越小的要求，散熱問題更突出，載板設計上越來越趨向于設計更厚的銅、更多的層數(shù)來保證散熱。

2、然而，現(xiàn)有的電路板受空間限制無法預留更多散熱銅空間，散熱效果較差。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種多層電路板及制備方法，以解決現(xiàn)有的電路板散熱效果差的問題。

2、根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了多層電路板，包括：銅板；所述銅板包括相對的兩個表面；在所述銅板的任意一個表面上，設置有銅層堆疊結(jié)構(gòu)，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)包括第二銅層和至少一層第一銅層，所述至少一層第一銅層位于所述銅板和所述第二銅層之間；所述第一銅層開設有第一凹槽，所述第一凹槽貫穿所述第一銅層，所述第一凹槽內(nèi)填充有半固化材料，沿第一方向上所述第一凹槽的開口逐漸增大，所述第一方向為所述第二銅層指向所述銅板的方向。

3、可選地，所述第一凹槽包括靠近所述銅板的底部開口和遠離所述銅板的頂部開口；

4、沿第二方向上，所述頂部開口的尺寸與所述底部開口的尺寸的差值大于50μm，所述第二方向平行于凹槽徑向方向。

5、可選地，所述第二銅層的背離所述銅板的一側(cè)開設有若干個第二凹槽，至少一個所述第二凹槽與所述第一凹槽在所述第一方向上存在交疊。

6、可選地，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)包括層疊設置的n層所述第一銅層，n大于1，其中，第1層所述第一銅層靠近所述銅板，第n層所述第一銅層靠近所述第二銅層；

7、所述n層所述第一銅層滿足以下至少一種情況：

8、1)沿第二方向上，第i層所述第一銅層的第一凹槽的尺寸小于第n層所述第一銅層的第一凹槽的尺寸，所述第二方向平行于凹槽徑向方向，1≤i≤(n-1)；

9、2)至少兩層所述第一銅層的第一凹槽的中心軸重合；

10、3)至少兩層所述第一銅層的第一凹槽的尺寸相同。

11、可選地，銅層堆疊結(jié)構(gòu)表面平整度小于0.008mm。

12、可選地，所述銅板開設有第三凹槽，所述第三凹槽內(nèi)填充有樹脂材料，沿所述第一方向上，至少一個所述第一凹槽的投影覆蓋所述第三凹槽的投影。

13、可選地，沿第三方向上，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)至少包括第一側(cè)表面，所述第一側(cè)表面呈鋸齒狀，所述第一側(cè)表面上設置有半固化層，所述第三方向平行于所述銅板所在平面。

14、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種多層電路板的制備方法，用于制備本發(fā)明任一實施例所述的多層電路板，所述制備方法包括：

15、提供銅板；

16、在所述銅板上形成多個半固化材料塊，沿第一方向上，所述半固化材料塊呈正梯形；

17、在所述多個半固化材料塊上形成第一銅層，所述第一銅層與所述半固化材料塊平齊；

18、在所述第一銅層上形成第二銅層。

19、可選地，在所述銅板上形成多個半固化材料塊包括：

20、在所述銅板上依序形成半固化膜層和薄銅層，并進行圖案化，所述半固化材料塊上具有薄銅材料塊。

21、可選地，在所述多個半固化材料塊上形成第一銅層包括：

22、電鍍形成第一銅膜層，所述第一銅膜層的厚度大于或等于所述半固化材料塊的厚度；

23、對所述第一銅膜層進行減薄處理，直至去除所述薄銅材料塊。

24、本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，通過在銅板的表面上設置銅層堆疊結(jié)構(gòu)，使第一銅層和至少一層第二銅層堆疊設置，在第一銅層開設第一凹槽從而使得第一銅層呈現(xiàn)倒梯形結(jié)構(gòu)，倒梯形結(jié)構(gòu)的第一銅層堆疊設置可規(guī)避層間對準度的問題，從而增大銅層堆疊結(jié)構(gòu)的截面積，并且該銅層堆疊結(jié)構(gòu)在不影響第二銅層布線結(jié)構(gòu)的情況下，能夠?qū)⒌谝汇~層截面積最大化，進而增大銅層堆疊結(jié)構(gòu)的截面積提高了散熱效率。另外，銅板相對設置的兩個表面上的銅層堆疊結(jié)構(gòu)沿銅板呈對稱分布增加了多層電路板的對稱性進一步提升散熱效果。

25、應當理解，本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標識本發(fā)明的實施例的關鍵或重要特征，也不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。

技術(shù)特征：

1.一種多層電路板，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，所述第一凹槽包括靠近所述銅板的底部開口和遠離所述銅板的頂部開口；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，所述第二銅層的背離所述銅板的一側(cè)開設有若干個第二凹槽，至少一個所述第二凹槽與所述第一凹槽在所述第一方向上存在交疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)包括層疊設置的n層所述第一銅層，n大于1，其中，第1層所述第一銅層靠近所述銅板，第n層所述第一銅層靠近所述第二銅層；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，銅層堆疊結(jié)構(gòu)表面平整度小于0.008mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，所述銅板開設有第三凹槽，所述第三凹槽內(nèi)填充有樹脂材料，沿所述第一方向上，至少一個所述第一凹槽的投影覆蓋所述第三凹槽的投影。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層電路板，其特征在于，沿第三方向上，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)至少包括第一側(cè)表面，所述第一側(cè)表面呈鋸齒狀，所述第一側(cè)表面上設置有半固化層，所述第三方向平行于所述銅板所在平面。

8.一種多層電路板的制備方法，用于制備權(quán)利要求1-6任一項所述的多層電路板，其特征在于，所述制備方法包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述銅板上形成多個半固化材料塊包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，在所述多個半固化材料塊上形成第一銅層包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種多層電路板及制備方法，所述多層電路板包括：銅板；所述銅板包括相對的兩個表面；在所述銅板的任意一個表面上，設置有銅層堆疊結(jié)構(gòu)，所述銅層堆疊結(jié)構(gòu)包括第二銅層和至少一層第一銅層，所述至少一層第一銅層位于所述銅板和所述第二銅層之間；所述第一銅層開設有第一凹槽，所述第一凹槽貫穿所述第一銅層，所述第一凹槽內(nèi)填充有半固化材料，沿第一方向上所述第一凹槽的開口逐漸增大，所述第一方向為所述第二銅層指向所述銅板的方向。采用上述技術(shù)方案在不影響第二銅層布線結(jié)構(gòu)的情況下，能夠使第一銅層的截面積最大化以提升散熱效率。

技術(shù)研發(fā)人員：汪中平,從光軍
受保護的技術(shù)使用者：昆山滬利微電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9