本申請涉及射頻濾波，尤其涉及一種諧振器、濾波器及射頻前端模組。

背景技術(shù)：

1、saw(surface?acoustic?wave，聲表面波)諧振器是聲表面波諧振器的簡稱，是一種利用其壓電效應(yīng)和聲表面波傳播的物理特性而制成的一種濾波專用器件，廣泛應(yīng)用于各種各樣的領(lǐng)域中，例如射頻領(lǐng)域。其中聲表面波是一種能量集中在表面附近的彈性波。聲表面波諧振器在工作過程中，除了產(chǎn)生其需要的主模外，還會(huì)產(chǎn)生橫向模態(tài)，橫向模態(tài)的存在會(huì)造成聲表面波諧振器的性能惡化。

2、因此，如何抑制橫模成為亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請?zhí)岢隽艘环N諧振器、濾波器及射頻前端模組。

2、本申請的第一方面提出一種諧振器，包括：

3、壓電基底，具有第一面；

4、叉指換能器，所述叉指換能器設(shè)置于所述壓電基底的第一面；以及

5、第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層至少覆蓋于所述叉指換能器的部分區(qū)域；

6、所述叉指換能器包括：

7、沿第一方向相對設(shè)置于所述壓電基底上的兩個(gè)匯流條；以及

8、分別連接于兩個(gè)所述匯流條的多個(gè)電極指，兩個(gè)所述匯流條連接的各所述電極指在第二方向上依次交錯(cuò)間隔設(shè)置，且每個(gè)所述匯流條連接的所述電極指與另一個(gè)所述匯流條之間具有間隙，以在兩個(gè)所述匯流條之間形成有源區(qū)和位于所述有源區(qū)第一方向上兩端的間隙區(qū)，所述有源區(qū)為各所述電極指沿所述第二方向的投影相交疊的區(qū)域，所述第一方向與所述第二方向相交，且所述第二方向?yàn)槁暡ǖ膫鞑シ较颍?/p>

9、其中，所述第一介質(zhì)層設(shè)有條形凹槽，所述凹槽內(nèi)填充有高聲速材料以形成介質(zhì)條，所述介質(zhì)條的延伸方向與所述第二方向相交，所述介質(zhì)條與所述電極指在第二方向上錯(cuò)位設(shè)置，所述有源區(qū)至少包括中央?yún)^(qū)，所述介質(zhì)條沿所述第二方向的投影至少覆蓋所述中央?yún)^(qū)沿所述第二方向的投影。

10、本申請的第二方面提出一種濾波器，包括上述的諧振器。

11、本申請的第三方面提出一種射頻前端模組，包括上述的濾波器。

12、本申請?zhí)岢龅闹C振器，通過在凹槽內(nèi)填充高聲速材料，從而調(diào)節(jié)孔徑方向和聲波的傳播方向的聲場關(guān)系，以調(diào)節(jié)色散曲線以使得色散曲線變得平滑，使得色散曲線在孔徑方向的波數(shù)等于0附近處的斜率更接近于0，即色散曲線更加平整，凹凸度更小，從而實(shí)現(xiàn)對橫模的抑制。

技術(shù)特征：

1.一種諧振器，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的諧振器，其特征在于，所述有源區(qū)還包括位于所述中央?yún)^(qū)第一方向上兩端的邊緣區(qū)，所述介質(zhì)條在所述第二方向上的投影還至少部分覆蓋所述邊緣區(qū)沿所述第二方向的投影。

3.如權(quán)利要求2所述的諧振器，其特征在于，所述介質(zhì)條沿所述第二方向的投影覆蓋所述有源區(qū)沿所述第二方向的投影。

4.如權(quán)利要求1所述的諧振器，其特征在于，所述介質(zhì)條在所述叉指換能器上的投影從一所述匯流條延伸至另一所述匯流條。

5.如權(quán)利要求1所述的諧振器，其特征在于，所述介質(zhì)條與所述電極指均沿所述第一方向延伸；和/或，

6.如權(quán)利要求1所述的諧振器，其特征在于，所述凹槽沿第三方向貫穿所述第一介質(zhì)層，以使得所述介質(zhì)條與所述第一面接觸，所述第三方向?yàn)樗鰤弘娀椎暮穸确较颉?/p>

7.如權(quán)利要求6所述的諧振器，其特征在于，所述介質(zhì)條具有在所述第三方向上相對設(shè)置的第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第二側(cè)面朝向所述第一面；

8.如權(quán)利要求7所述的諧振器，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一側(cè)面的寬度為0.025λ-0.1λ或0.045λ-0.06λ，其中，所述λ為所述聲波的波長。

9.如權(quán)利要求6所述的諧振器，其特征在于，在所述第三方向上，所述第一介質(zhì)層的厚度大于所述電極指的厚度；和/或，

10.如權(quán)利要求1所述的諧振器，其特征在于，所述諧振器還包括第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層包括第一子層和第二子層，所述第一子層至少覆蓋于所述叉指換能器的部分區(qū)域，所述第二介質(zhì)層覆蓋于所述第一子層，所述第二子層覆蓋于所述第二介質(zhì)層；

11.如權(quán)利要求10所述的諧振器，其特征在于，所述凹槽沿第三方向貫穿所述第一子層或所述第二子層，所述第三方向?yàn)樗鰤弘娀椎暮穸确较颉?/p>

12.如權(quán)利要求11所述的諧振器，其特征在于，所述介質(zhì)條具有在所述第三方向上相對設(shè)置的第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第二側(cè)面朝向所述第一面；

13.如權(quán)利要求12所述的諧振器，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一側(cè)面的寬度為0.04λ-0.13λ或0.05λ-0.1λ，其中，所述λ為所述聲波的波長。

14.如權(quán)利要求13所述的諧振器，其特征在于，在所述第三方向上，所述第一子層的厚度大于所述電極指的厚度；和/或，

15.如權(quán)利要求10所述的諧振器，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的厚度為50nm-100nm。

16.如權(quán)利要求10所述的諧振器，其特征在于，所述第二介質(zhì)層為溫度補(bǔ)償材料或高聲速材料；和/或，

17.如權(quán)利要求1-16任一項(xiàng)所述的諧振器，其特征在于，所述介質(zhì)條具有在第三方向上相對設(shè)置的第一側(cè)面和第二側(cè)面，以及連接于所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面的第三側(cè)面，所述第二側(cè)面朝向所述第一面，所述第三方向?yàn)樗鰤弘娀椎暮穸确较颍?/p>

18.如權(quán)利要求1-16任一項(xiàng)所述的諧振器，其特征在于，所述介質(zhì)條以氮化硅、氮化鋁、氧化鋁為主要成分。

19.如權(quán)利要求1-16任一項(xiàng)所述的諧振器，其特征在于，所述介質(zhì)條的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述介質(zhì)條與多個(gè)所述電極指在所述第二方向上依次交錯(cuò)間隔設(shè)置。

20.如權(quán)利要求19所述的諧振器，其特征在于，在所述第二方向上，位于兩個(gè)所述電極指之間的所述介質(zhì)條分別與相鄰的兩個(gè)所述電極指之間的距離相等。

21.如權(quán)利要求2所述的諧振器，其特征在于，所述中央?yún)^(qū)的聲速為v1，所述邊緣區(qū)的聲速為v2，所述間隙區(qū)的聲速為v3；

22.如權(quán)利要求1-16任一項(xiàng)所述的諧振器，其特征在于，所述第一介質(zhì)層為溫度補(bǔ)償層，用于調(diào)節(jié)所述諧振器的頻率溫度系數(shù)；和/或，

23.如權(quán)利要求1-16任一項(xiàng)所述的諧振器，其特征在于，所述諧振器還包括第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層覆蓋于所述第一介質(zhì)層。

24.如權(quán)利要求23所述的諧振器，其特征在于，所述第三介質(zhì)層以氮化硅、氧化鋁或者氮氧化硅為主要成分。

25.一種濾波器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-24任一項(xiàng)所述的諧振器。

26.一種射頻前端模組，其特征在于，包括如權(quán)利要求25所述的濾波器。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開一種諧振器、濾波器及射頻前端模組，諧振器包括壓電基底、叉指換能器以及第一介質(zhì)層，叉指換能器設(shè)置于壓電基底；第一介質(zhì)層至少覆蓋于叉指換能器的部分區(qū)域；叉指換能器包括兩個(gè)匯流條以及分別連接于兩個(gè)匯流條的多個(gè)電極指，兩個(gè)匯流條之間形成有源區(qū)和位于有源區(qū)第一方向上兩端的間隙區(qū)，第一方向與第二方向相交；第一介質(zhì)層設(shè)有條形凹槽，凹槽內(nèi)填充有高聲速材料以形成介質(zhì)條，介質(zhì)條的延伸方向與第二方向相交，介質(zhì)條與電極指在第二方向上錯(cuò)位設(shè)置，有源區(qū)至少包括中央?yún)^(qū)，介質(zhì)條沿第二方向的投影至少覆蓋中央?yún)^(qū)沿第二方向的投影，以調(diào)節(jié)色散曲線使得色散曲線更加平整，從而實(shí)現(xiàn)對橫模的抑制。

技術(shù)研發(fā)人員：劉旻俊,杜波,李陽,王華磊,倪建興
受保護(hù)的技術(shù)使用者：銳石創(chuàng)芯（重慶）微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9