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鈣鈦礦薄膜和界面修飾鈣鈦礦薄膜的方法與流程

文檔序號:40563856發(fā)布日期:2025-01-03 11:24閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種鈣鈦礦薄膜,其特征在于,所述鈣鈦礦薄膜修飾有鈍化劑,所述鈍化劑包括含氟的對稱共軛結構化合物。

2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦薄膜,其特征在于,所述鈍化劑修飾在所述鈣鈦礦薄膜的上下界面以及四周界面。

3.一種界面修飾鈣鈦礦薄膜的方法,其特征在于,包括:

4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述待修飾的鈣鈦礦薄膜是通過在襯底上進行鈣鈦礦薄膜材料的第一涂覆處理形成的。

5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,進行所述第一涂覆處理之前,在所述襯底上進行含有鈍化劑的有機溶劑的第二涂覆處理;以及

6.根據權利要求3~5任一項所述的方法,其特征在于,所述鈍化劑包括含氟的對稱共軛結構化合物。

7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述含氟的對稱共軛結構化合物包括2,2-雙(4-氨基苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-羧基苯基)六氟丙烷、2,2-雙(3,4-二甲苯基)六氟丙烷、2,2-雙(3-硝基苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-甲基苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-異氰酸苯基)六氟丙烷、2,2-二(3-氨基-4-羥苯基)六氟丙烷和2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基苯)]六氟丙烷的至少之一。

8.根據權利要求3~5任一項所述的方法,其特征在于,所述有機溶劑包括異丙醇、甲醇或氯苯;

9.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,進一步包括:將浸泡處理后的鈣鈦礦薄膜進行旋干處理;以及

10.根據權利要求9所述的方法,其特征在于,所述旋干處理是在4800rpm~5200rpm的條件下進行的;

11.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一退火處理是在100~110℃的條件下進行的;

12.一種鈣鈦礦薄膜,其特征在于,是通過權利要求3~11任一項所述的方法制備獲得的。

13.一種鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,包括:

14.根據權利要求13所述的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述第一電荷傳輸層為空穴傳輸層,所述第二電荷傳輸層為電子傳輸層;

15.一種用電設備,其特征在于,包括權利要求13或14所述的鈣鈦礦太陽能電池。


技術總結
本申請?zhí)岢隽蒜}鈦礦薄膜和界面修飾鈣鈦礦薄膜的方法,具體地,本申請?zhí)岢隽艘环N鈣鈦礦薄膜,所述鈣鈦礦薄膜修飾有鈍化劑,所述鈍化劑包括含氟的對稱共軛結構化合物。通過將鈣鈦礦薄膜的上下界面以及四周修飾該鈍化劑,可以實現(xiàn)多重保護效果,即這些鈍化劑修飾層可以形成一層保護性的屏障,阻止外界水分和濕氣進入鈣鈦礦薄膜內部,有效地減少水分的滲透,保護鈣鈦礦薄膜免受水分侵蝕。

技術研發(fā)人員:趙瑞
受保護的技術使用者:天合光能股份有限公司
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/1/2
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