本發(fā)明涉及顯示，尤其涉及一種顯示母板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、有機發(fā)光二極管(oled，organic?light-emittingdiode)是一種有機薄膜電致發(fā)光器件，其因具有制備工藝簡單、成本低、功耗小、亮度高、視角寬、對比度高及可實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，而受到人們極大的關(guān)注并在電子顯示產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用。

2、相關(guān)技術(shù)中，通常會在顯示母板上設(shè)置對位標(biāo)記(mark)，這樣在形成封裝層的過程中，可以通過對位標(biāo)記實現(xiàn)掩膜板與顯示母板的對位，然后通過掩膜板形成封裝層。

3、然而，現(xiàn)有顯示母板上的對位標(biāo)記容易被破壞，導(dǎo)致掩模板無法與顯示母板對位，封裝制程無法順利進行。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)提供的顯示母板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置，旨在解決現(xiàn)有顯示母板上的對位標(biāo)記容易被破壞，導(dǎo)致掩模板無法與顯示母板對位，封裝制程無法順利進行的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)采用的第一個技術(shù)方案是：提供一種顯示母板。該顯示母板包括：

3、驅(qū)動基板；

4、像素定義層，設(shè)于所述驅(qū)動基板上，并界定出像素開口；

5、發(fā)光單元，設(shè)于所述驅(qū)動基板上，并位于所述像素開口，且所述發(fā)光單元包括沿遠離所述驅(qū)動基板的方向依次設(shè)置的第一電極、發(fā)光功能層以及第二電極；

6、對位標(biāo)記，設(shè)于所述驅(qū)動基板內(nèi)和/或所述驅(qū)動基板上；且所述對位標(biāo)記的耐刻蝕性大于所述第一電極的耐刻蝕性。

7、在本技術(shù)一個實施例中，所述顯示母板具有功能區(qū)和圍繞所述功能區(qū)的邊框區(qū)，且所述顯示母板包括多個顯示面板，所述多個顯示面板兩兩間隔設(shè)于所述功能區(qū)，且每相鄰兩個所述顯示面板之間的間隙界定形成一個切割道；每一所述顯示面板包括多個所述發(fā)光單元；

8、其中，所述對位標(biāo)記位于所述邊框區(qū)；或所述對位標(biāo)記位于所述切割道；或所述對位標(biāo)記位于所述顯示面板的非顯示區(qū)；

9、優(yōu)選地，所述對位標(biāo)記的數(shù)量為多個，多個所述對位標(biāo)記位于所述邊框區(qū)、所述切割道或所述顯示面板的非顯示區(qū)的任意一個位置；

10、優(yōu)選地，所述顯示母板還包括隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括：

11、第一隔離部，設(shè)于所述像素定義層背離所述驅(qū)動基板的一側(cè)；

12、第二隔離部，設(shè)于所述第一隔離部背離所述像素定義層的一側(cè)表面；且所述第一隔離部在所述驅(qū)動基板上的正投影位于所述第二隔離部在所述驅(qū)動基板上的正投影之內(nèi)。

13、在本技術(shù)一個實施例中，所述對位標(biāo)記包括第一對位標(biāo)記和/或所述第二對位標(biāo)記；

14、所述驅(qū)動基板包括多層金屬層，所述多層金屬層中的至少一層所述金屬層與所述第一電極電連接；其中，所述第一對位標(biāo)記與所述多層金屬層中的其中一層金屬層同層設(shè)置；

15、優(yōu)選地，所述驅(qū)動基板包括第四金屬層；所述第四金屬層為所述多層金屬層中最靠近所述像素定義層的一層金屬層；所述第一對位標(biāo)記與所述第四金屬層同層設(shè)置；

16、優(yōu)選地，所述第四金屬層被配置為傳輸接地端電壓信號、或器件內(nèi)部電壓信號或數(shù)據(jù)信號；所述第一對位標(biāo)記與所述第四金屬層絕緣設(shè)置；

17、優(yōu)選地，所述第二對位標(biāo)記設(shè)于所述驅(qū)動基板上，并與所述第一電極同層設(shè)置；

18、優(yōu)選地，所述第二對位標(biāo)記與所述第一電極絕緣設(shè)置；

19、優(yōu)選地，所述第一對位標(biāo)記與同層設(shè)置的所述金屬層的材質(zhì)相同；

20、優(yōu)選地，所述第一對位標(biāo)記與同層設(shè)置的所述金屬層采用同一個工藝步驟形成。

21、在本技術(shù)一個實施例中，所述第一對位標(biāo)記和/或所述第二對位標(biāo)記包括兩層鈦金屬層與一層鋁金屬層，所述鋁金屬層位于兩層所述鈦金屬層之間；

22、優(yōu)選地，所述第一電極的材質(zhì)包括氧化銦錫和/或鋁。

23、在本技術(shù)一個實施例中，所述驅(qū)動基板還包括第一輔助標(biāo)記和/或第二輔助標(biāo)記；

24、所述第一輔助標(biāo)記與所述第一對位標(biāo)記同層設(shè)置，且所述第一輔助標(biāo)記與所述第一對位標(biāo)記采用同一工藝步驟形成；其中，所述第一輔助標(biāo)記與所述第一對位標(biāo)記的形狀不同；

25、所述第二輔助標(biāo)記與所述第二對位標(biāo)記同層設(shè)置，且所述第二輔助標(biāo)記與所述第二對位標(biāo)記采用同一工藝步驟形成；其中，所述第二輔助標(biāo)記與所述第二對位標(biāo)記的形狀不同；

26、優(yōu)選地，所述第一輔助標(biāo)記和/或所述第二輔助標(biāo)記的數(shù)量為多個，多個所述第一輔助標(biāo)記圍繞所述第一對位標(biāo)記的周向方向間隔設(shè)置；多個所述第二輔助標(biāo)記圍繞所述第二對位標(biāo)記的周向方向間隔設(shè)置；

27、優(yōu)選地，所述第一對位標(biāo)記和/或所述第二對位標(biāo)記呈“十”字形；所述第一輔助標(biāo)記和/或所述第二輔助標(biāo)記呈多邊形。

28、為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)采用的第二個技術(shù)方案是：提供一種顯示母板，該顯示母板包括：

29、驅(qū)動基板；

30、像素定義層，設(shè)于所述驅(qū)動基板上，并界定出像素開口；

31、發(fā)光單元，設(shè)于所述驅(qū)動基板上，并位于所述像素開口，且所述發(fā)光單元包括沿遠離所述驅(qū)動基板的方向依次設(shè)置的第一電極、發(fā)光功能層以及第二電極；

32、第一對位標(biāo)記，設(shè)于所述驅(qū)動基板內(nèi)，且所述驅(qū)動基板和所述像素定義層的至少覆蓋所述第一對位標(biāo)記的部分的透光率范圍為60-95％。

33、在本技術(shù)一個實施例中，所述驅(qū)動基板包括第四金屬層和平坦化層；所述第四金屬層為所述驅(qū)動基板的多層金屬層中最靠近所述像素定義層的一層金屬層；所述第一對位標(biāo)記與所述第四金屬層同層設(shè)置；所述平坦化層覆蓋所述第四金屬層和所述第一對位標(biāo)記；所述像素定義層設(shè)于所述平坦化層上；

34、優(yōu)選地，所述第一對位標(biāo)記包括兩層鈦金屬層與一層鋁金屬層，所述鋁金屬層位于兩層所述鈦金屬層之間；

35、優(yōu)選地，所述顯示母板還包括隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括：

36、第一隔離部，設(shè)于所述像素定義層背離所述驅(qū)動基板的一側(cè)；

37、第二隔離部，設(shè)于所述第一隔離部背離所述像素定義層的一側(cè)表面；且所述第一隔離部在所述驅(qū)動基板上的正投影位于所述第二隔離部在所述驅(qū)動基板上的正投影之內(nèi)。

38、為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)采用的第三個技術(shù)方案是：提供一種顯示面板，具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述顯示面板包括：

39、驅(qū)動基板；

40、像素定義層，設(shè)于所述驅(qū)動基板上，并界定出像素開口；

41、發(fā)光單元，設(shè)于所述驅(qū)動基板上，并位于所述像素開口，且所述發(fā)光單元包括沿遠離所述驅(qū)動基板的方向依次設(shè)置的第一電極、發(fā)光功能層以及第二電極；

42、對位標(biāo)記，設(shè)于所述驅(qū)動基板內(nèi)和/或所述驅(qū)動基板上，并位于所述非顯示區(qū)；且所述對位標(biāo)記的耐刻蝕性大于所述第一電極的耐刻蝕性；

43、優(yōu)選地，所述驅(qū)動基板包括第四金屬層；所述第四金屬層為所述驅(qū)動極板的多層金屬層中最靠近所述像素定義層的一層金屬層；所述第一對位標(biāo)記與所述第四金屬層同層設(shè)置；

44、優(yōu)選地，所述對位標(biāo)記包括兩層鈦金屬層與一層鋁金屬層，所述鋁金屬層位于兩層所述鈦金屬層之間。

45、為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)采用的第三個技術(shù)方案是：提供一種顯示母板的制備方法，包括：

46、提供驅(qū)動基板；所述驅(qū)動基板內(nèi)或所述驅(qū)動基板上設(shè)有對位標(biāo)記；

47、在所述驅(qū)動基板上形成像素定義層、發(fā)光單元及第一封裝層；所述像素定義層設(shè)于所述驅(qū)動基板上，并界定出像素開口；所述發(fā)光單元設(shè)于所述驅(qū)動基板上，并位于所述像素開口，且所述發(fā)光單元包括沿遠離所述驅(qū)動基板的方向依次設(shè)置的第一電極、發(fā)光功能層以及第二電極；其中，所述對位標(biāo)記的耐刻蝕性大于所述第一電極的耐刻蝕性；

48、在所述第一封裝層背離所述驅(qū)動基板的一側(cè)設(shè)置掩膜板，并通過所述對位標(biāo)記將所述掩膜板與所述驅(qū)動基板對位；

49、通過所述掩膜板在所述像素定義層背離所述驅(qū)動基板的一側(cè)形成第二封裝層，以形成封裝層；

50、優(yōu)選地，在形成封裝層的步驟之后，還包括：對所述顯示母板進行切割，以得到多個顯示面板；

51、優(yōu)選地，所述驅(qū)動基板包括多層金屬層；所述多層金屬層與所述第一電極電連接；其中，所述對位標(biāo)記與所述多層金屬層中的其中一層金屬層采用同一工藝步驟對同一層導(dǎo)電層進行圖案化處理形成；

52、優(yōu)選地，所述驅(qū)動基板包括第四金屬層，所述第四金屬層為所述多層金屬層中最靠近所述像素定義層的一層金屬層；所述對位標(biāo)記與所述第四金屬層采用同一工藝步驟對同一層導(dǎo)電層進行圖案化處理形成；

53、優(yōu)選地，在形成所述對位標(biāo)記及與所述對位標(biāo)記同層設(shè)置的金屬層時，采用同一工藝步驟對所述同一層導(dǎo)電層進行圖案化處理進一步形成輔助標(biāo)記；所述輔助標(biāo)記與所述對位標(biāo)記同層設(shè)置，且與所述對位標(biāo)記的形狀不同；

54、優(yōu)選地，所述輔助標(biāo)記包括多個，多個所述輔助標(biāo)記圍繞所述對位標(biāo)記的周向方向間隔設(shè)置

55、為解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)采用的第四個技術(shù)方案是：提供一種顯示裝置，包括：顯示母板或顯示面板，所述顯示母板為上述所涉及的顯示母板；或者為上述所涉及的顯示母板的制備方法所制得；所述顯示面板為上述所涉及的顯示面板。

56、本技術(shù)實施例的有益效果，區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)：本技術(shù)實施例提供的顯示母板，通過在顯示母板上設(shè)置區(qū)別于第一電極的對位標(biāo)記；這樣，即使像素定義層被嚴(yán)重刻蝕，后續(xù)刻蝕制程會侵蝕第一電極，導(dǎo)致第一電極被破壞，該顯示母板仍可通過對位標(biāo)記實現(xiàn)掩膜板與驅(qū)動基板的對位，封裝制程可順利進行。而且由于對位標(biāo)記的耐刻蝕性大于第一電極的耐刻蝕性，使得在形成發(fā)光單元的過程中采用的刻蝕制程不會侵蝕對位標(biāo)記，或?qū)ξ粯?biāo)記的侵蝕程度較小，從而使掩膜板可以通過對位標(biāo)記與驅(qū)動基板有效對位，并順利完成封裝制程。

57、另外，該顯示母板通過將對位標(biāo)記設(shè)于驅(qū)動基板內(nèi)，能夠利用覆蓋對位標(biāo)記的驅(qū)動基板的部分保護對位標(biāo)記，這樣，在刻蝕去除第一封裝層、以及形成發(fā)光單元過程中所使用的所有刻蝕工藝中，可以降低這些刻蝕工藝進一步刻蝕對位標(biāo)記的風(fēng)險，使得掩膜板能夠通過對位標(biāo)記與驅(qū)動基板有效對位，進而使封裝制程順利進行。