本發(fā)明涉及濾波器，尤其涉及一種濾波器的制造方法和濾波器。

背景技術(shù)：

1、濾波器能夠采用表面聲波器件實(shí)現(xiàn)濾波，現(xiàn)有的濾波器基本是采用縱向三明治結(jié)構(gòu)，但是這樣的濾波器在制作的過(guò)程中，上、下電極需要兩次光刻，并且后續(xù)需要用到另一片晶圓鍵合來(lái)做上空腔，使得濾波器的加工工藝較為復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種濾波器的制造方法和濾波器，旨在有效解決現(xiàn)有技術(shù)中濾波器的加工工藝較為復(fù)雜的技術(shù)問(wèn)題。

2、根據(jù)本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明提供一種濾波器的制造方法，包括：

3、提供基底，在所述基底的一側(cè)表面制作覆蓋所述基底表面的壓電層，并對(duì)所述壓電層進(jìn)行刻蝕，以形成立于所述基底的一側(cè)表面之上的壓電體；制作電極層，所述電極層包覆所述壓電體以及覆蓋所述基底的剩余表面；刻蝕所述電極層，以形成沿所述基底的厚度方向設(shè)置且位于所述壓電體兩側(cè)的第一電極和第二電極，所述第一電極、所述壓電體和所述第二電極構(gòu)成壓電感測(cè)結(jié)構(gòu)，并在所述第一電極和所述壓電體之間制作一空氣環(huán)結(jié)構(gòu)，且在所述第二電極和所述壓電體之間制作另一空氣環(huán)結(jié)構(gòu)；制作殼體結(jié)構(gòu)，所述殼體結(jié)構(gòu)罩設(shè)并固定于所述基底的上方，以形成容納所述壓電感測(cè)結(jié)構(gòu)的空腔，兩個(gè)所述空氣環(huán)結(jié)構(gòu)均與所述空腔相連通；制作電連接結(jié)構(gòu)，所述電連接結(jié)構(gòu)包括第一電連接件和第二電連接件，所述第一電連接件與所述第一電極電連接，所述第二電連接件與所述第二電極電連接，且所述第一電連接件和所述第二電連接件均至少有部分位于所述空腔外部。

4、進(jìn)一步地，在所述制作電極層的步驟前，所述制造方法還包括：在所述壓電體上制作第一犧牲層，并對(duì)所述第一犧牲層進(jìn)行刻蝕，以使所述第一犧牲層位于所述壓電體的相對(duì)兩側(cè)面，且所述第一犧牲層在所述壓電體的側(cè)面為部分覆蓋；在所述制作電極層的步驟時(shí)，刻蝕后的第一犧牲層位于所述電極層和所述壓電體之間。

5、進(jìn)一步地，在所述刻蝕所述電極層的步驟時(shí)，刻蝕后的所述第一犧牲層的一部分位于所述第一電極和所述壓電體之間，且該部分第一犧牲層未被所述第一電極全部覆蓋，刻蝕后的所述第一犧牲層的另一部分位于所述第二電極和所述壓電體之間，且該部分第一犧牲層未被所述第二電極全部覆蓋；在所述刻蝕所述電極層的步驟后，將所述第一犧牲層全部釋放，以在所述第一電極和所述壓電體之間形成一空氣環(huán)結(jié)構(gòu)，并在所述第二電極和所述壓電體之間形成另一空氣環(huán)結(jié)構(gòu)。

6、進(jìn)一步地，所述殼體結(jié)構(gòu)的制造方法包括：在所述基底上制作第二犧牲層，以使所述第二犧牲層包覆所述第一電極和所述第二電極；在所述基底上制作鈍化層，所述鈍化層和所述基底之間的空腔將所述壓電體、所述第二犧牲層、所述第一電極和所述第二電極包覆；在所述鈍化層和所述第二犧牲層上開(kāi)口，以使所述第一電極和所述第二電極暴露；在制作出所述電連接結(jié)構(gòu)后，將所述第二犧牲層進(jìn)行釋放，以形成容納所述壓電感測(cè)結(jié)構(gòu)的空腔。

7、進(jìn)一步地，所述壓電體和所述基底之間具有預(yù)定角度，所述預(yù)定角度為85°-90°。

8、進(jìn)一步地，所述壓電體立于所述基底上，且合圍成封閉的規(guī)則圖形或不規(guī)則圖形，或者所述壓電體為不封閉的圖形。

9、進(jìn)一步地，所述壓電體至少有一個(gè)，若所述壓電體具有兩個(gè)或兩個(gè)以上，則相鄰兩個(gè)壓電體之間的距離大于1μm。

10、進(jìn)一步地，在所述壓電體上制作第一犧牲層的步驟中，制作出的所述第一犧牲層的厚度為10nm-500nm。

11、進(jìn)一步地，所述對(duì)所述第一犧牲層進(jìn)行刻蝕，以使所述第一犧牲層位于所述壓電體的相對(duì)兩側(cè)面的步驟后，所述第一犧牲層被分成兩部分，其中一部分位于所述壓電體的一側(cè)，且位于所述壓電體靠近所述基底的一側(cè)，另一部分位于所述壓電體的另一側(cè)，且位于所述壓電體遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，或者，所述第一犧牲層被分成四部分，其中兩部分位于所述壓電體的一側(cè)，且分別位于所述壓電體靠近和遠(yuǎn)離所述基底的兩側(cè)，另外兩部分位于所述壓電體的另一側(cè)，且分別位于所述壓電體靠近和遠(yuǎn)離所述基底的兩側(cè)。

12、進(jìn)一步地，所述第一犧牲層被分成兩部分或被分成四部分后，在從所述第一電極至所述壓電體的方向上，每部分的第一犧牲層的寬度為0.1μm-1μm。

13、進(jìn)一步地，所述刻蝕所述電極層的步驟包括：對(duì)所述電極層進(jìn)行刻蝕，以在所述壓電體具有第一犧牲層的相對(duì)兩側(cè)分別制作一個(gè)電極；

14、對(duì)靠近所述基底的第一犧牲層對(duì)應(yīng)的電極端部進(jìn)行刻蝕，以在所述基底和該電極之間形成空隙，并部分露出該第一犧牲層，形成第一電極；

15、并對(duì)遠(yuǎn)離所述基底的第一犧牲層對(duì)應(yīng)的電極端部進(jìn)行刻蝕，以在該電極遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)形成空隙，并露出該第一犧牲層，形成第二電極。

16、進(jìn)一步地，在所述對(duì)靠近所述基底的第一犧牲層對(duì)應(yīng)的電極端部進(jìn)行刻蝕時(shí)，將該電極端部刻蝕掉0.1μm-0.5μm，以露出該第一犧牲層；在所述對(duì)遠(yuǎn)離所述基底的第一犧牲層對(duì)應(yīng)的電極端部進(jìn)行刻蝕，將該電極端部刻蝕掉0.1μm-0.5μm，以露出該第一犧牲層。

17、進(jìn)一步地，在所述制作電連接結(jié)構(gòu)時(shí)，若所述第一電極和所述第二電極均全部位于所述空腔內(nèi)，則所述第一連接件貫穿所述殼體結(jié)構(gòu)并與所述第一電極電連接，所述第二電連接件貫穿所述殼體結(jié)構(gòu)并與所述第二電極電連接，或者，在所述制作電連接結(jié)構(gòu)時(shí)，若所述第一電極有部分延伸出所述空腔，則所述第一連接件在所述殼體結(jié)構(gòu)外部與所述第一電極電連接，或/和，若所述第二電極有部分延伸出所述空腔，則所述第二電連接件在所述殼體結(jié)構(gòu)外部與所述第一電極電連接。

18、根據(jù)本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明還提供了一種濾波器，包括：基底；壓電體，設(shè)置于所述基底的一側(cè)，且所述壓電體立于所述基底；第一電極和第二電極，分別設(shè)置于所述壓電體的兩側(cè)，且部分的所述第一電極、部分的所述第二電極與所述壓電體之間均具有空氣環(huán)結(jié)構(gòu)，所述第一電極、所述壓電體和所述第二電極構(gòu)成壓電感測(cè)結(jié)構(gòu)；殼體結(jié)構(gòu)，罩設(shè)并固定于所述基底的上方，以形成容納所述壓電感測(cè)結(jié)構(gòu)的空腔，所述空氣環(huán)結(jié)構(gòu)均與所述空腔相連通；電連接結(jié)構(gòu)，包括第一電連接件和第二電連接件，第一電連接件與所述第一電極電連接，所述第二電連接件與所述第二電極電連接，且所述第一電連接件和所述第二電連接件均至少有部分位于所述空腔外部。

19、進(jìn)一步地，所述壓電體和所述基底之間具有預(yù)定角度，所述預(yù)定角度為85°-90°。

20、進(jìn)一步地，所述壓電體合圍成封閉的規(guī)則圖形或不規(guī)則圖形，或者所述壓電體為不封閉的圖形。

21、進(jìn)一步地，所述壓電體至少有一個(gè)，若所述壓電體具有兩個(gè)或兩個(gè)以上，則相鄰兩個(gè)壓電體之間的距離大于1μm。

22、進(jìn)一步地，所述空氣環(huán)結(jié)構(gòu)有兩個(gè)，其中一個(gè)空氣環(huán)結(jié)構(gòu)位于所述壓電體的一側(cè)，且位于所述壓電體靠近所述基底的一側(cè)，另一個(gè)空氣環(huán)結(jié)構(gòu)位于所述壓電體的另一側(cè)，且位于所述壓電體遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)。

23、進(jìn)一步地，所述空氣環(huán)結(jié)構(gòu)有四個(gè)，其中兩個(gè)空氣環(huán)結(jié)構(gòu)位于所述壓電體的一側(cè)，且分別位于所述壓電體靠近和遠(yuǎn)離所述基底的兩側(cè)，另外兩個(gè)空氣環(huán)結(jié)構(gòu)位于所述壓電體的另一側(cè)，且分別位于所述壓電體靠近和遠(yuǎn)離所述基底的兩側(cè)。

24、進(jìn)一步地，從所述第一電極至所述壓電體的方向上，每個(gè)空氣環(huán)結(jié)構(gòu)的深度為0.1μm-1μm。

25、進(jìn)一步地，所述第一電極和所述第二電極中，且在所述基底至所述壓電體的方向上，其中一個(gè)電極靠近所述基底的一端與基底的距離為0.1μm-0.5μm，另外一個(gè)電極遠(yuǎn)離所述基底的一端與鈍化層的距離為0.1μm-0.5μm。

26、進(jìn)一步地，所述第一電極和所述第二電極均全部位于所述空腔內(nèi)，所述第一連接件貫穿所述殼體結(jié)構(gòu)并與所述第一電極電連接，所述第二電連接件貫穿所述殼體結(jié)構(gòu)并與所述第二電極電連接。

27、進(jìn)一步地，所述第一電極有部分延伸出所述空腔，所述第一連接件在所述殼體結(jié)構(gòu)外部與所述第一電極電連接，或/和，所述第二電極有部分延伸出所述空腔，所述第二電連接件在所述殼體結(jié)構(gòu)外部與所述第一電極電連接。

28、通過(guò)本發(fā)明中的上述實(shí)施例中的一個(gè)實(shí)施例或多個(gè)實(shí)施例，至少可以實(shí)現(xiàn)如下技術(shù)效果：

29、在本發(fā)明所公開(kāi)的技術(shù)方案中，制作出的濾波器，為整體結(jié)構(gòu)呈橫向三明治結(jié)構(gòu)，在制作過(guò)程中，兩個(gè)電極均位于基板的同一側(cè)，因此無(wú)需進(jìn)行兩側(cè)光刻，并且在做空腔時(shí)，直接在基底上制作一個(gè)殼體結(jié)構(gòu)即可，無(wú)需鍵合另一片晶圓來(lái)做空腔，因此能夠降低濾波器的加工工藝的復(fù)雜度。