技術(shù)特征：

1.一種內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板的制備工藝，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板的制備工藝，其特征在于，在所述將所述內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊嵌入所述多層芯板組的半埋槽內(nèi)進(jìn)行壓合處理的操作步驟之后，以及在所述對(duì)壓合處理后的所述多層芯板組進(jìn)行鉆孔處理之前，還包括以下步驟：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板的制備工藝，其特征在于，所述獲取內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊及多個(gè)芯板的具體操作步驟為：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板的制備工藝，其特征在于，所述對(duì)多個(gè)所述第一芯板、多個(gè)所述第二芯板、多個(gè)所述第一pp樹(shù)脂層及多個(gè)所述第二pp樹(shù)脂層進(jìn)行預(yù)疊處理的具體操作步驟為：

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板的制備工藝，其特征在于，所述對(duì)多個(gè)所述第一芯板進(jìn)行第一鑼切處理的具體操作步驟為：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板的制備工藝，其特征在于，對(duì)所述多層芯板組背離所述內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的一面進(jìn)行第二鑼切處理的具體操作步驟為：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板的制備工藝，其特征在于，所述第一切割處理的轉(zhuǎn)速和所述第二切割處理的轉(zhuǎn)速均為30krpm～35krpm；

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板的制備工藝，其特征在于，所述對(duì)金屬化處理后的所述多層芯板組進(jìn)行線路制作處理的具體操作步驟為：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板的制備工藝，其特征在于，在所述對(duì)金屬化處理后的所述多層芯板組進(jìn)行線路制作處理之后，還包括以下步驟：

10.一種內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板，其特征在于，采用權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板的制備工藝制備得到；

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供一種內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板的制備工藝包括如下步驟：對(duì)多個(gè)所述第一芯板進(jìn)行第一鑼切處理；對(duì)多個(gè)所述第一芯板、多個(gè)所述第二芯板、多個(gè)所述第一PP樹(shù)脂層、多個(gè)所述第二PP樹(shù)脂層及所述第三PP樹(shù)脂層進(jìn)行預(yù)疊處理，以獲得多層芯板組；將所述內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊嵌入所述半埋槽后，對(duì)所述多層芯板組進(jìn)行壓合處理；對(duì)壓合處理后的所述多層芯板組進(jìn)行鉆孔處理，使所述多層芯板組上形成有導(dǎo)電貫穿孔；對(duì)鉆孔處理后的所述多層芯板組進(jìn)行金屬化處理；對(duì)金屬化處理后的所述多層芯板組進(jìn)行線路制作處理，得到內(nèi)嵌銅芯氮化鋁陶瓷高散熱模塊的電路板。

技術(shù)研發(fā)人員：許校彬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：惠州市特創(chuàng)電子科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6