技術(shù)特征：

1.一種二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管，其特征在于，所述二維半金屬生長插入層的材料包括半金屬相二碲化鎢、二碲化鉬、二碲化鉑、二碲化鈀或二硒化鉑中的任一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管，其特征在于，所述保護層的材料包括單層石墨烯。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管，其特征在于，所述襯底的摻雜濃度大于5×1018/cm3，沿垂直于所述襯底的方向，所述外延層的厚度為5～10μm，所述外延層的摻雜濃度小于或等于1×1017/cm3。

5.一種二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管的制備方法，其特征在于，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述在清洗后的所述外延層上表面生長二維半金屬生長插入層，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述前驅(qū)體混合物包括氯化鈉和氧化物的混合物，所述氧化物包括氧化鎢或氧化鉬或氧化鉑或氧化鈀，所述前驅(qū)體混合物包括1～15mg的氯化鈉和30～50mg的三氧化鎢粉末，或者，所述前驅(qū)體混合物包括1～15mg的氯化鈉和30～50mg的二氧化鉬粉末，或者，所述前驅(qū)體混合物包括1～15mg的氯化鈉和50～150mg的氧化鈀粉末，或者，所述前驅(qū)體混合物包括1～15mg的氯化鈉和50～150mg的二氧化鉑粉末。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管的制備方法，其特征在于，在所述二維半金屬生長插入層上通過轉(zhuǎn)移的方式制備保護層，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管的制備方法，其特征在于，在所述襯底背離所述外延層的一側(cè)制備陰極，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管的制備方法，其特征在于，對所述保護層和所述二維半金屬生長插入層進行圖案化處理，刻蝕掉層疊設(shè)置的所述保護層和所述二維半金屬生長插入層的部分區(qū)域，使層疊設(shè)置的所述保護層和所述二維半金屬生長插入層在所述襯底上的正投影為圓形；環(huán)繞層疊設(shè)置的所述保護層和所述二維半金屬生長插入層制備終端結(jié)構(gòu)，在所述保護層上、以及部分所述終端結(jié)構(gòu)上制備陽極，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種二維半金屬插入層鈍化的氧化鎵肖特基二極管及其制備方法，包括：襯底，襯底的材料包括不同晶向N型重摻雜β?Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;；外延層，位于襯底上；其中，外延層的材料為N型非故意摻雜β?Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;；二維半金屬生長插入層，位于外延層上；保護層，位于二維半金屬生長插入層上，沿垂直于襯底的方向，保護層與二維半金屬生長插入層的正投影重疊；終端結(jié)構(gòu)，位于外延層上，終端結(jié)構(gòu)呈環(huán)狀結(jié)構(gòu)，且環(huán)繞二維半金屬生長插入層和保護層設(shè)置；陽極，覆蓋在保護層上、以及部分終端結(jié)構(gòu)上；陰極，位于襯底背離外延層的一側(cè)。本發(fā)明提供的β?Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;基SBD器件，二維材料憑借固有的范德華表面，可為Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;表面的能帶調(diào)整、調(diào)制肖特基勢壘賦予極強的靈活性。

技術(shù)研發(fā)人員：孫靜,王星朦,王湛,何云龍,張濛,陸小力,馬曉華
受保護的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9