本公開(kāi)涉及導(dǎo)電，具體而言，涉及一種導(dǎo)電裝置及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、模內(nèi)電子(ime)是傳統(tǒng)模內(nèi)注塑裝飾技術(shù)與柔性印制電路的結(jié)合，可制得帶有不同復(fù)雜程度嵌入式電路的3d形狀。印刷導(dǎo)線在高溫3d成型過(guò)程中的可拉伸性是保障模內(nèi)電子(ime)器件成功制備的關(guān)鍵。

2、在相關(guān)技術(shù)中，可拉伸導(dǎo)線方案由于剛性金屬導(dǎo)電填料的機(jī)械性能與樹(shù)脂的不匹配，往往在低應(yīng)變下(<100％)即產(chǎn)生不可逆裂紋，導(dǎo)致導(dǎo)電線路連接失效。

3、需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種導(dǎo)電裝置及其制備方法，可以提高電路穩(wěn)定性。

2、根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供一種導(dǎo)電裝置，具有：

3、第一封裝層；

4、第二封裝層；

5、導(dǎo)電單元；所述導(dǎo)電單元位于所述第一封裝層和所述第二封裝層之間；所述導(dǎo)電裝置具有非平整區(qū)，所述導(dǎo)電單元在所述非平整區(qū)具有層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有至少一種第一金屬元素，所述第一金屬元素為固態(tài)金屬元素；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有至少一種第二金屬元素，所述第二金屬元素為液態(tài)金屬元素。

6、在本公開(kāi)一種實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電裝置還具有電子元器件；所述導(dǎo)電裝置具有平整區(qū)與非平整區(qū)；

7、所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)從所述非平整區(qū)延伸至所述平整區(qū)，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

8、所述電子元器件設(shè)置在所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面，且與所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接。

9、在本公開(kāi)一種實(shí)施方式中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有一種第一金屬元素，所述第一金屬元素為金；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有三種第二金屬元素，該三種第二金屬元素分別為鎵、銦、錫。

10、在本公開(kāi)一種實(shí)施方式中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有至少一種第一金屬元素，且所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)還具有至少一種第二金屬元素。

11、在本公開(kāi)一種實(shí)施方式中，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有三種第二金屬元素，該三種第二金屬元素為鎵、銦、錫；

12、所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有至少一種第一金屬元素，至少其中一個(gè)第一金屬元素為銀或銅，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)至少具有一個(gè)第二金屬元素，所述第二金屬元素為鎵。

13、在本公開(kāi)一種實(shí)施方式中，在所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中，鎵、銦、錫的質(zhì)量百分比為65％～100％：0％～30％：0％～20％。

14、在本公開(kāi)一種實(shí)施方式中，在所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中，鎵、銦、錫的質(zhì)量百分比為68.5％:21.5％:10％。

15、在本公開(kāi)一種實(shí)施方式中，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚度為1μm～1mm；所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚度為50nm～5μm。

16、根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)方面，提供一種導(dǎo)電裝置的制備方法，包括以下步驟：

17、提供一導(dǎo)電裝置，所述導(dǎo)電裝置具有：

18、第一封裝層；

19、第二封裝層；

20、導(dǎo)電單元；所述導(dǎo)電單元位于所述第一封裝層和所述第二封裝層之間；所述導(dǎo)電裝置具有非平整區(qū)，所述導(dǎo)電單元在所述非平整區(qū)具有層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)覆蓋所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有至少一種第一金屬元素，所述第一金屬元素為固態(tài)金屬元素；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有至少一種第二金屬元素，所述第二金屬元素為液態(tài)金屬元素。

21、在本公開(kāi)一種實(shí)施方式中，包括以下步驟：

22、在第一封裝層上形成圖案化的第一金屬層；

23、利用液態(tài)金屬元素在第一封裝層和第一金屬層上浸潤(rùn)性的差異，在第一金屬層上形成第二金屬層，從而獲得具有第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一封裝層；

24、對(duì)具有第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一封裝層進(jìn)行彎折，形成非平整區(qū)；

25、在第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上形成第二封裝層。

26、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開(kāi)。

技術(shù)特征：

1.一種導(dǎo)電裝置，其特征在于，具有：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電裝置還具有電子元器件；所述導(dǎo)電裝置具有平整區(qū)與非平整區(qū)；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有一種第一金屬元素，所述第一金屬元素為金；所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有三種第二金屬元素，該三種第二金屬元素分別為鎵、銦、錫。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有至少一種第一金屬元素，且所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)還具有至少一種第二金屬元素。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有三種第二金屬元素，該三種第二金屬元素為鎵、銦、錫；

6.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的導(dǎo)電裝置，其特征在于，在所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中，鎵、銦、錫的質(zhì)量百分比為65％～100％：0％～30％：0％～20％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電裝置，其特征在于，在所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中，鎵、銦、錫的質(zhì)量百分比為68.5％:21.5％:10％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚度為1μm～1mm；所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚度為50nm～5μm。

9.一種導(dǎo)電裝置的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電裝置的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)涉及導(dǎo)電技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種導(dǎo)電裝置及其制備方法，該導(dǎo)電裝置具有第一封裝層、第二封裝層以及導(dǎo)電單元；導(dǎo)電單元位于第一封裝層和第二封裝層之間；導(dǎo)電裝置具有非平整區(qū)，導(dǎo)電單元在非平整區(qū)具有層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)覆蓋第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有至少一種第一金屬元素，第一金屬元素為固態(tài)金屬元素；第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)具有至少一種第二金屬元素，第二金屬元素為液態(tài)金屬元素。該導(dǎo)電裝置可以提高電路穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：趙楊勇,裴丹丹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京京東方技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23