本申請(qǐng)涉及顯示，尤其涉及一種內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板。

背景技術(shù)：

1、最初的觸控與顯示是兩個(gè)相互分離的技術(shù)，即外置型觸摸技術(shù)(out?celltouch)，具有觸控功能的顯示器需要將觸控面板和顯示面板貼合起來，這樣就造成了工藝繁雜且顯示器過厚的問題。于是便產(chǎn)生了覆蓋表面式觸摸屏(oncell)和內(nèi)嵌式觸摸屏(incell)兩種觸控技術(shù)，這兩種觸控技術(shù)極大的降低了工藝的繁雜程度。

2、隨著oled技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，oncell技術(shù)還可以應(yīng)用于oled顯示面板，但是其低溫制程和少水工藝限制了觸控的適用范圍，產(chǎn)品良率和性能也受到了影響。incell技術(shù)可以在一定程度上彌補(bǔ)oncell的不足，但是由于incell制程與oled工藝存在一定的沖突，難以實(shí)現(xiàn)incell技術(shù)在oled顯示面板上的應(yīng)用。因此，如何將incell技術(shù)應(yīng)用于oled顯示面板中成為了亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的實(shí)施例提供一種內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，以解決相關(guān)技術(shù)中難以將incell技術(shù)應(yīng)用到oled顯示面板的問題。

2、為解決上述問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下：

3、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，包括：

4、基板；

5、像素限定層，位于所述基板的一側(cè)；

6、觸控器件層，位于所述像素限定層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；

7、第一電極，位于所述像素限定層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述第一電極用于發(fā)射電子；

8、封裝層，位于所述第一電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；

9、其中，所述觸控器件層的厚度大于所述第一電極的厚度，以使所述第一電極在所述觸控器件層的位置呈斷開狀態(tài)。

10、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述觸控器件層包括：

11、觸控金屬層，位于所述像素限定層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；

12、負(fù)性光阻層，位于所述觸控金屬層或所述像素限定層上遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；

13、所述負(fù)性光阻層的厚度大于所述第一電極的厚度。

14、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，在顯示面板水平方向上，所述觸控金屬層呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中的觸控金屬層部分?jǐn)嚅_。

15、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述觸控金屬層的厚度小于所述第一電極的厚度。

16、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述觸控金屬層的上表面積小于所述觸控金屬層的下表面積。

17、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述負(fù)性光阻層的上表面積大于所述負(fù)性光阻層的下表面積。

18、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述觸控金屬層的最小寬度大于所述第一電極的最大寬度。

19、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述觸控金屬層的電阻率小于所述第一電極的電阻率。

20、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述顯示面板還包括：

21、驅(qū)動(dòng)器件層，位于所述基板的一側(cè)；

22、第二電極，位于所述驅(qū)動(dòng)器件層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；

23、所述像素限定層位于所述第二電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述像素限定層設(shè)有多個(gè)間隔設(shè)置的像素開口，所述第二電極通過所述像素開口被暴露；

24、有機(jī)發(fā)光層，位于所述像素開口內(nèi)與所述第二電極連接；

25、所述第一電極還位于所述有機(jī)發(fā)光層和觸控器件層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。

26、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)器件層包括：

27、接觸金屬，與所述第二電極連接；

28、接地信號(hào)線層，與所述接觸金屬同層設(shè)置；

29、在所述顯示面板的水平方向上，所述接觸金屬與所述接地信號(hào)線層共同形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

30、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，其特征在于，所述內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板還包括：

31、介電層，所述介電層位于所述驅(qū)動(dòng)器件層上遠(yuǎn)離基板的一側(cè)，所述介電層位于兩個(gè)第二電極之間并與所述第二電極連接。

32、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述介電層的厚度大于所述第二電極的厚度。

33、在本申請(qǐng)的一實(shí)施例中，所述內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板還包括：

34、介電層，所述介電層位于所述像素限定層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述觸控器件層位于所述介電層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。

35、本申請(qǐng)的有益效果為：本申請(qǐng)將incell技術(shù)應(yīng)用到oled顯示面板中，使pol-less結(jié)構(gòu)能夠與有機(jī)發(fā)光層之間距離更近，便于提高顯示面板的出光效率的同時(shí)亦可以減薄膜層厚度，利于oled結(jié)構(gòu)的彎折。此外，本申請(qǐng)同步搭載第一電極(即陰極)隔斷連接高電導(dǎo)金屬設(shè)計(jì)，使得顯示面板在一幀畫面中能夠分時(shí)段傳輸vss及dot信號(hào)，有利于顯示屏能耗的降低。

技術(shù)特征：

1.一種內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，所述觸控器件層包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)嵌式觸控顯示面板，其特征在于，在顯示面板水平方向上，所述觸控金屬層呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中的觸控金屬層部分?jǐn)嚅_。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，所述觸控金屬層的厚度小于所述第一電極的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，所述觸控金屬層的上表面積小于所述觸控金屬層的下表面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的的內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，所述負(fù)性光阻層的上表面積大于所述負(fù)性光阻層的下表面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，所述觸控金屬層的最小寬度大于所述第一電極的最大寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，所述觸控金屬層的電阻率小于所述第一電極的電阻率。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器件層包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10任一所述的內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，所述內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，所述介電層的厚度大于所述第二電極的厚度。

13.根據(jù)權(quán)利要求1～10任一所述的內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板，其特征在于，所述內(nèi)嵌式觸控oled顯示面板還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N內(nèi)嵌式觸控OLED顯示面板，包括：基板；像素限定層，位于所述基板的一側(cè)；觸控器件層，位于所述像素限定層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；第一電極，位于所述觸控器件層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述第一電極用于發(fā)射電子；封裝層，位于所述第一電極遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；其中，所述觸控器件層的厚度大于所述第一電極的厚度，以使所述第一電極在所述觸控器件層的位置呈斷開狀態(tài)。本申請(qǐng)將觸摸功能相關(guān)膜層設(shè)置在OLED顯示面板封裝層內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了Incell技術(shù)在OLED顯示面板的應(yīng)用。

技術(shù)研發(fā)人員：張淑媛,張啟沛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6