1.一種橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器，其特征在于，包括襯底、位于所述襯底之上的壓電層和位于所述壓電層之上的叉指換能器；所述襯底與所述壓電層之間形成有空腔；所述叉指換能器包括叉指電極；所述壓電層上設(shè)置有至少一個(gè)凹槽或至少一個(gè)第一通孔，所述凹槽或所述第一通孔的至少一部分被所述叉指電極覆蓋；沿與所述叉指電極的延伸方向垂直且與所述壓電層平行的方向上，所述壓電層上位于所述叉指換能器兩側(cè)的位置開設(shè)有第二通孔；所述第二通孔與所述空腔連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器，其特征在于，沿與所述叉指電極的延伸方向垂直且與所述壓電層平行的方向上，所述凹槽或所述第一通孔的尺寸大于所述叉指電極的尺寸；或，沿與所述叉指電極延伸的方向平行的方向上，所述凹槽或所述第一通孔的尺寸大于所述叉指電極的尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述襯底包括基體和中間層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述基體的材料為高阻硅、碳化硅、金剛石、藍(lán)寶石中至少一種；或/和所述中間層的材料為二氧化硅、氮化硅、多晶硅中至少一種；或/和所述中間層沿所述襯底到所述壓電層方向上的尺寸為10nm～50μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述壓電層的材料為鈮酸鋰、鉭酸鋰、硅酸鑭鎵、氮化鎵、氮化鋁中至少一種材料的單晶材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述壓電層沿所述襯底到所述壓電層的方向上的尺寸為100nm～1μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述叉指換能器包括匯流條，所述匯流條的材料為鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉻、鈦、鉑、鈹、金、鉬、鎢中至少一種；或/和所述叉指電極的材料為鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉻、鈦、鉑、鈹、金、鉬、鎢中至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器，其特征在于，沿所述襯底到所述壓電層的方向上，所述匯流條與所述叉指電極的厚度相同。
9.權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的橫向激勵(lì)薄膜體聲波諧振器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述填充材料為二氧化硅、氮化硅、多晶硅、氧化鋁中至少一種。