本申請涉及一種帶金屬選件的輸出緩沖電路。

背景技術(shù)：

1、在例如dram之類的半導(dǎo)體裝置中，大電流流過構(gòu)成輸出緩沖器的晶體管。因此，當(dāng)半導(dǎo)體裝置長時間使用時，它可能由于遷移現(xiàn)象而導(dǎo)致連接到輸出緩沖器的布線圖案的形狀發(fā)生改變。特別是，當(dāng)布線圖案的橫截面積由于小型化而變小時，流過布線圖案的電流的密度變高，從而存在由遷移現(xiàn)象引起的斷開風(fēng)險。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的一個實(shí)施例提供一種設(shè)備，其包括：第一布線層中在第一方向上延伸的第一和第二布線圖案；在所述第一和第二布線圖案之間沿所述第一方向布置的多個晶體管，所述多個晶體管包含彼此相鄰布置的第一和第二晶體管；以及第二布線層中在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第三、第四、第五和第六布線圖案，其中所述第三布線圖案電連接在所述第一布線圖案和所述第一晶體管的源極/漏極區(qū)中的一者之間，其中所述第四布線圖案電連接在所述第二布線圖案和所述第一晶體管的源極/漏極區(qū)中的另一者之間，其中所述第五布線圖案電連接到所述第二晶體管的源極/漏極區(qū)中的一者，所述第五布線圖案與所述第一布線圖案重疊，其中所述第六布線圖案電連接到所述第二晶體管的源極/漏極區(qū)中的另一者，所述第六布線圖案與所述第二布線圖案重疊，并且其中所述第三和第四布線圖案在所述第一方向上的寬度大于所述第五和第六布線圖案。

2、本公開的另一實(shí)施例提供一種設(shè)備，其包括：第一、第二和第三晶體管，其在第一方向上布置成使得所述第二晶體管布置在所述第一和第三晶體管之間；在所述第一方向上延伸的電源圖案；在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一、第二、第三、第四、第五和第六布線圖案，其中所述第一、第三和第五布線圖案分別電連接到所述第一、第二和第三晶體管的源極/漏極區(qū)中的一者，其中所述第二、第四和第六布線圖案分別電連接在所述電源圖案和所述第一、第二和第三晶體管的源極/漏極區(qū)中的另一者之間，其中所述第二和第三布線圖案以第一空間彼此相鄰布置，其中所述第四和第五布線圖案以第二空間彼此相鄰布置，其中所述第一晶體管的所述源極/漏極區(qū)中的另一者和所述第二晶體管的所述源極/漏極區(qū)中的一者以第三空間彼此相鄰布置，其中所述第二晶體管的所述源極/漏極區(qū)中的另一者和所述第三晶體管的所述源極/漏極區(qū)中的一者以第四空間彼此相鄰布置，其中所述第一空間比所述第二空間窄，并且其中所述第四空間比所述第三空間窄。

3、本公開的又一實(shí)施例提供一種設(shè)備，其包括：第一、第二和第三晶體管，其在第一方向上布置成使得所述第二晶體管布置在所述第一和第三晶體管之間；在所述第一方向上延伸的電源圖案；在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一、第二、第三、第四、第五和第六布線圖案，其中所述第一、第三和第五布線圖案分別電連接到所述第一、第二和第三晶體管的源極/漏極區(qū)中的一者，其中所述第二、第四和第六布線圖案分別電連接在所述電源圖案和所述第一、第二和第三晶體管的源極/漏極區(qū)中的另一者之間，其中所述第二和第三布線圖案以第一空間彼此相鄰布置，其中所述第四和第五布線圖案以第二空間彼此相鄰布置，其中所述第一晶體管的所述源極/漏極區(qū)中的另一者和所述第二晶體管的所述源極/漏極區(qū)中的一者以第三空間彼此相鄰布置，其中所述第二晶體管的所述源極/漏極區(qū)中的另一者和所述第三晶體管的所述源極/漏極區(qū)中的一者以第四空間彼此相鄰布置，其中所述第一空間比所述第三空間窄，并且其中所述第四空間比所述第二空間窄。

技術(shù)特征：

1.一種設(shè)備，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括外部數(shù)據(jù)端子，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述第一使能信號、所述第二使能信號、所述第三使能信號及所述第四使能信號是基于上拉數(shù)據(jù)信號和校準(zhǔn)代碼信號產(chǎn)生的。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中通過使用緩沖電路緩沖所述上拉數(shù)據(jù)信號來產(chǎn)生所述第一使能信號，且其中通過由相應(yīng)的門電路對所述校準(zhǔn)代碼信號和所述上拉數(shù)據(jù)信號的相應(yīng)位信號進(jìn)行邏輯合成，來產(chǎn)生所述第二使能信號、所述第三使能信號和所述第四使能信號。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述第一布線圖案和所述第二布線圖案包括第一材料，且所述第三布線圖案和所述第四布線圖案包括電阻低于所述第一材料的第二材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括耦合到所述主驅(qū)動器的第二多個晶體管的子單元，其中所述第二多個晶體管中的每一者具有相同的大小。

10.一種方法，其包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括：

15.一種設(shè)備，其包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括：

17.權(quán)利要求16的設(shè)備，其中所述第一布線圖案、所述第三布線圖案和所述第五布線圖案分別連接到所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管的源極/漏極區(qū)域中的一個，且其中所述第二布線圖案、所述第四布線圖案和所述第六布線圖案分別連接在所述電源布線圖案和所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第三晶體管的源極/漏極區(qū)域中的另一個之間。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述第一晶體管的所述另一個源極/漏極區(qū)和所述第二晶體管的所述一個源極/漏極區(qū)以第一空間彼此相鄰布置，且其中所述第二晶體管的所述另一個源極/漏極區(qū)和所述第三晶體管的所述一個源極/漏極區(qū)以第二空間彼此相鄰布置。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中所述第二空間比所述第一空間窄。

20.根據(jù)權(quán)利要求15的所述設(shè)備，

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及一種帶金屬選件的輸出緩沖電路。本文公開了一種設(shè)備，其包含：在第一方向上延伸的第一和第二布線圖案、彼此相鄰布置的第一和第二晶體管，以及在第二方向上延伸的第三到第六布線圖案。第三布線圖案連接在第一布線圖案和第一晶體管的源極/漏極區(qū)中的一者之間，第四布線圖案連接在第二布線圖案和第一晶體管的源極/漏極區(qū)中的另一者之間，第五布線圖案連接到第二晶體管的源極/漏極區(qū)中的一者，第五布線圖案與第一布線圖案重疊，第六布線圖案連接到第二晶體管的源極/漏極區(qū)中的另一者，第六布線圖案與第二布線圖案重疊。第三和第四布線圖案在第一方向上的寬度大于第五和第六布線圖案。

技術(shù)研發(fā)人員：澀谷萌葉,森重一行,渡邊賢一,月橋俊明,石井久美子
受保護(hù)的技術(shù)使用者：美光科技公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2