本申請(qǐng)涉及信號(hào)測(cè)量,具體涉及一種失調(diào)校準(zhǔn)方法、芯片及電子設(shè)備。
背景技術(shù):
1、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(analog?digital?convertor,adc)可以將電壓信號(hào)(例如傳感器輸出的電信號(hào))轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),被廣泛應(yīng)用于通信、測(cè)量、控制、信號(hào)處理等場(chǎng)景中。由于模數(shù)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換精度會(huì)受到其失調(diào)電壓的影響,因此在模數(shù)轉(zhuǎn)換器出廠前通常會(huì)對(duì)模數(shù)轉(zhuǎn)換器的失調(diào)電壓進(jìn)行校準(zhǔn),以保證模數(shù)轉(zhuǎn)換器對(duì)信號(hào)的高精度測(cè)量。
2、然而,在出廠時(shí)刻標(biāo)定的失調(diào)電壓,可能隨著模數(shù)轉(zhuǎn)換器工作時(shí)間而發(fā)生緩慢變化,例如在一些需要長(zhǎng)壽命且工作環(huán)境惡劣的應(yīng)用場(chǎng)景(如工業(yè)、汽車等),失調(diào)電壓隨著工作壽命(如5年、10年甚至更長(zhǎng))發(fā)生顯著變化,最終導(dǎo)致出廠時(shí)標(biāo)定好的模數(shù)轉(zhuǎn)換器精度下降而測(cè)量誤差增大的現(xiàn)象。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于以上問(wèn)題,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種失調(diào)校準(zhǔn)方法、芯片及電子設(shè)備,以解決上述技術(shù)問(wèn)題。
2、第一方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種失調(diào)校準(zhǔn)方法,失調(diào)校準(zhǔn)方法應(yīng)用于電壓測(cè)量電路,方法包括:
3、判斷電壓測(cè)量電路是否滿足預(yù)設(shè)的失調(diào)校準(zhǔn)條件;
4、當(dāng)電壓測(cè)量電路滿足預(yù)設(shè)的失調(diào)校準(zhǔn)條件時(shí),測(cè)量電壓測(cè)量電路的實(shí)時(shí)失調(diào)數(shù)據(jù);
5、根據(jù)實(shí)時(shí)失調(diào)數(shù)據(jù)以及初始失調(diào)數(shù)據(jù),確定電壓測(cè)量電路的校準(zhǔn)失調(diào)參數(shù),初始失調(diào)數(shù)據(jù)為電壓測(cè)量電路上一次校準(zhǔn)過(guò)程確定的校準(zhǔn)失調(diào)參數(shù)
6、第二方面,本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種芯片,包括電壓測(cè)量電路,電壓測(cè)量電路使用如第一方面所述的失調(diào)校準(zhǔn)方法更新校準(zhǔn)失調(diào)參數(shù)。
7、第三方面,本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種電子設(shè)備,包括上述的芯片。
8、本申請(qǐng)?jiān)陔妷簻y(cè)量電路(例如模數(shù)轉(zhuǎn)換器)滿足預(yù)設(shè)的失調(diào)校準(zhǔn)條件時(shí),測(cè)量電壓測(cè)量電路工作過(guò)程中的實(shí)時(shí)失調(diào)數(shù)據(jù),從而可以根據(jù)電壓測(cè)量電路的實(shí)時(shí)失調(diào)數(shù)據(jù)以及電壓測(cè)量電路上一次校準(zhǔn)過(guò)程確定的初始失調(diào)數(shù)據(jù),更新電壓測(cè)量電路的校準(zhǔn)失調(diào)參數(shù)。也就是說(shuō),本申請(qǐng)的失調(diào)校準(zhǔn)方法可以在電壓測(cè)量電路工作過(guò)程中更新電壓測(cè)量電路的校準(zhǔn)失調(diào)參數(shù),從而避免電壓測(cè)量電路出廠前標(biāo)定的失調(diào)參數(shù)因長(zhǎng)時(shí)間工作失效而測(cè)量誤差增大的現(xiàn)象。
9、本申請(qǐng)的這些方面或其他方面在以下實(shí)施例的描述中會(huì)更加簡(jiǎn)明易懂。
1.一種失調(diào)校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述失調(diào)校準(zhǔn)方法應(yīng)用于電壓測(cè)量電路,方法包括:
2.如權(quán)利要求1所述的失調(diào)校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述根據(jù)所述實(shí)時(shí)失調(diào)數(shù)據(jù)以及初始失調(diào)數(shù)據(jù),確定所述電壓測(cè)量電路的校準(zhǔn)失調(diào)參數(shù)的步驟包括:
3.如權(quán)利要求1所述的失調(diào)校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述測(cè)量所述電壓測(cè)量電路的實(shí)時(shí)失調(diào)數(shù)據(jù)的步驟包括:
4.如權(quán)利要求3所述的失調(diào)校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述測(cè)量數(shù)據(jù)集合包括所述電壓測(cè)量電路多次測(cè)量電壓為零的所述輸入電壓的多個(gè)測(cè)量數(shù)據(jù);
5.如權(quán)利要求3所述的失調(diào)校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述電壓測(cè)量電路集成于目標(biāo)芯片內(nèi);
6.如權(quán)利要求5所述的失調(diào)校準(zhǔn)方法,其特征在于,電壓為零的所述輸入電壓由所述目標(biāo)芯片的內(nèi)部電路提供;
7.如權(quán)利要求1所述的失調(diào)校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述判斷所述電壓測(cè)量電路是否滿足預(yù)設(shè)的失調(diào)校準(zhǔn)條件的步驟包括:
8.如權(quán)利要求7所述的失調(diào)校準(zhǔn)方法,其特征在于,所述待測(cè)信號(hào)包括多組待測(cè)電壓,所述校準(zhǔn)測(cè)量數(shù)據(jù)包括經(jīng)所述初始失調(diào)數(shù)據(jù)校準(zhǔn)的多組電壓校準(zhǔn)結(jié)果;
9.一種芯片,其特征在于,包括電壓測(cè)量電路,所述電壓測(cè)量電路使用如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的失調(diào)校準(zhǔn)方法更新校準(zhǔn)失調(diào)參數(shù)。
10.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求9所述的芯片。