本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種real?rgb?oledos的制備方法。

背景技術(shù)：

1、硅基oled(oledos)微顯示器目前的主流技術(shù)方案為白光oled(woled)發(fā)光，通過(guò)濾光片(cf)產(chǎn)生rgb三色實(shí)現(xiàn)全彩顯示，該技術(shù)的主要問題是效率低及子像素間串?dāng)_問題嚴(yán)重。real?rgb結(jié)構(gòu)為r/g/b三色oled分別在對(duì)應(yīng)的子像素上，具體結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，該結(jié)構(gòu)由于不使用cf，故效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的woled+cf方案。另外合理的real?rgb結(jié)構(gòu)還能有效地減少子像素間地串?dāng)_問題。

2、現(xiàn)有real?rgb技術(shù)的主流工藝之一為光刻圖形化技術(shù)，其通過(guò)在帶有陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的cmos背板上通過(guò)在所有子像素區(qū)域沉積某一特定顏色的oled膜層，再通過(guò)光刻刻蝕工藝去除非該顏色的子像素區(qū)域的oled膜層，重復(fù)三次從而實(shí)現(xiàn)r、g、b?oled在對(duì)應(yīng)顏色的子像素區(qū)域，實(shí)現(xiàn)全彩顯示。該工藝會(huì)導(dǎo)致部分子像素陽(yáng)極經(jīng)受多次刻蝕工藝造成表面損傷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種real?rgb?oledos的制備方法，能夠?qū)崿F(xiàn)在real?rgb光刻圖形化工藝中的陽(yáng)極表面的保護(hù)。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

3、本發(fā)明提供了一種real?rgb?oledos的制備方法，包括以下步驟：

4、提供半成品，所述半成品包括硅基背板100和陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110，依次覆蓋在硅基背板100和陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110上表面的第一介電材料層材料、導(dǎo)體材料層材料和第二介電材料層材料，所述陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110間隔內(nèi)嵌在所述硅基背板100的上表面；

5、對(duì)所述第一介電材料層材料、導(dǎo)體材料層材料和第二介電材料層材料進(jìn)行第一底部?jī)?nèi)切，裸露出第一子像素區(qū)的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110，然后依次進(jìn)行第一沉積第一子像素區(qū)oled功能材料層500、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第一子像素區(qū)，對(duì)非第一子像素區(qū)的第一子像素區(qū)oled功能材料層500、陰極層600和薄膜封裝層700進(jìn)行第一刻蝕；

6、對(duì)所述第一介電材料層材料、導(dǎo)體材料層材料和第二介電材料層材料進(jìn)行第二底部?jī)?nèi)切，裸露出第二子像素區(qū)的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110，然后依次進(jìn)行第二沉積第二子像素區(qū)oled功能材料層800、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第二子像素區(qū)，對(duì)非第二子像素區(qū)的第二子像素區(qū)oled功能材料層800、陰極層600和薄膜封裝層700進(jìn)行第二刻蝕；

7、對(duì)所述第一介電材料層材料、導(dǎo)體材料層材料和第二介電材料層材料進(jìn)行第三底部?jī)?nèi)切，裸露出第三子像素區(qū)的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110，然后依次進(jìn)行第三沉積第一子像素區(qū)oled功能材料層900、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第三子像素區(qū)，對(duì)非第三子像素區(qū)的第三子像素區(qū)oled功能材料層900、陰極層600和薄膜封裝層700進(jìn)行第三刻蝕，得到第一介電材料層200、導(dǎo)體材料層300和第二介電材料層400，得到所述real?rgb?oledos。

8、優(yōu)選地，所述第一介電材料層材料和第二介電材料材料獨(dú)立地包括氧化硅材料、氮化硅材料、氮氧化硅材料和al2o3中的一種或多種。

9、優(yōu)選地，所述導(dǎo)體材料層材料包括導(dǎo)電金屬氧化物和/或?qū)щ娊饘?；所述?dǎo)電金屬氧化物包括氧化銦錫和/或銦鋅氧化物；所述導(dǎo)電金屬包括ag、al、mo、w、cu和au中的一種或多種。

10、優(yōu)選地，所述第一子像素區(qū)oled功能材料層500、第二子像素區(qū)oled功能材料層800和第三子像素區(qū)oled功能材料層900均包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層。

11、優(yōu)選地，所述第一子像素區(qū)oled功能材料層500、第二子像素區(qū)oled功能材料層800和第三子像素區(qū)oled功能材料層900的材質(zhì)獨(dú)立地包括磷光材料、熒光材料和高熒光oled材料中的一種或多種。

12、優(yōu)選地，所述第一子像素區(qū)oled功能材料層500、第二子像素區(qū)oled功能材料層800和第三子像素區(qū)oled功能材料層900的顏色為rgb任一顏色發(fā)光且均不相同。

13、優(yōu)選地，所述陰極層600為單層薄膜或多層復(fù)合薄膜，所述陰極層600的材質(zhì)包括mg、ag、al、銦鋅氧化物和氧化鋅鋁中的一種或多種。

14、優(yōu)選地，所述薄膜封裝層700為單層薄膜或多層復(fù)合薄膜，所述薄膜封裝層700的材質(zhì)包括al2o3、tio2、氧化硅材料、氮化硅材料和氮氧化硅材料中的一種或多種。

15、優(yōu)選地，所述陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110為單層薄膜或多層復(fù)合薄膜，所述陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110的材質(zhì)包括al、ag、tin和氧化銦錫中的一種或多種。

16、優(yōu)選地，所述硅基背板100為裸硅襯底、含電路硅襯底或含cmos電路硅襯底。

17、本發(fā)明提供了一種real?rgb?oledos的制備方法，包括以下步驟：提供半成品，所述半成品包括硅基背板100和陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110，依次覆蓋在硅基背板100和陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110上表面的第一介電材料層材料、導(dǎo)體材料層材料和第二介電材料層材料，所述陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110間隔內(nèi)嵌在所述硅基背板100的上表面；對(duì)所述第一介電材料層材料、導(dǎo)體材料層材料和第二介電材料層材料進(jìn)行第一底部?jī)?nèi)切，裸露出第一子像素區(qū)的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110，然后依次進(jìn)行第一沉積第一子像素區(qū)oled功能材料層500、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第一子像素區(qū)，對(duì)非第一子像素區(qū)的第一子像素區(qū)oled功能材料層500、陰極層600和薄膜封裝層700進(jìn)行第一刻蝕；對(duì)所述第一介電材料層材料、導(dǎo)體材料層材料和第二介電材料層材料進(jìn)行第二底部?jī)?nèi)切，裸露出第二子像素區(qū)的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110，然后依次進(jìn)行第二沉積第二子像素區(qū)oled功能材料層800、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第二子像素區(qū)，對(duì)非第二子像素區(qū)的第二子像素區(qū)oled功能材料層800、陰極層600和薄膜封裝層700進(jìn)行第二刻蝕；對(duì)所述第一介電材料層材料、導(dǎo)體材料層材料和第二介電材料層材料進(jìn)行第三底部?jī)?nèi)切，裸露出第三子像素區(qū)的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110，然后依次進(jìn)行第三沉積第一子像素區(qū)oled功能材料層900、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第三子像素區(qū)，對(duì)非第三子像素區(qū)的第三子像素區(qū)oled功能材料層900、陰極層600和薄膜封裝層700進(jìn)行第三刻蝕，得到第一介電材料層200、導(dǎo)體材料層300和第二介電材料層400，得到所述real?rgb?oledos。

18、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果如下：

19、本發(fā)明對(duì)所述第一介電材料層材料、導(dǎo)體材料層材料和第二介電材料層材料分別進(jìn)行第一底部?jī)?nèi)切、第二底部?jī)?nèi)切和第三底部?jī)?nèi)切以及對(duì)非第一子像素區(qū)的第一子像素區(qū)oled功能材料層500、陰極層600和薄膜封裝層700進(jìn)行第一刻蝕、對(duì)非第二子像素區(qū)的第一子像素區(qū)oled功能材料層800、陰極層600和薄膜封裝層700進(jìn)行第二刻蝕、對(duì)非第三子像素區(qū)的第一子像素區(qū)oled功能材料層900、陰極層600和薄膜封裝層700進(jìn)行第三刻蝕，露出不同子像素區(qū)的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)110，實(shí)現(xiàn)子像素陽(yáng)極只經(jīng)受一次刻蝕工藝，降低了陽(yáng)極表面的損傷，提高了real?rgb?oledos的質(zhì)量和成品率。