本發(fā)明涉及晶體減振，具體為一種晶體抑振合金減振件及石英晶體諧振器。

背景技術(shù)：

1、石英晶體諧振器，是電子電路中最常用的電子元件之一，由晶體和外圍元器件構(gòu)成。晶體是從石英晶體上按一定方位切下薄片，將薄片兩端拋光并涂上導(dǎo)電的銀層，再?gòu)你y層上連出電極并封裝起來(lái)制成。晶體是一種能把電能和機(jī)械能進(jìn)行相互轉(zhuǎn)化的元件，利用了晶體的壓電效應(yīng)，即在晶體兩極外加電壓后晶體會(huì)產(chǎn)生形變，反過(guò)來(lái)如外力使晶體變形，則兩極上金屬片又會(huì)產(chǎn)生電壓。當(dāng)給晶體電極上施加適當(dāng)?shù)慕蛔冸妷簳r(shí)，晶體就會(huì)產(chǎn)生諧振頻率與石英斜面傾角等有關(guān)系，且頻率一定，在諧振狀態(tài)下晶體可以對(duì)外提供穩(wěn)定、精確的單頻振蕩。

2、當(dāng)晶體在振動(dòng)環(huán)境下工作時(shí)，晶體受外界機(jī)械振動(dòng)影響，其形狀和尺寸會(huì)發(fā)生變化，同時(shí)機(jī)械振動(dòng)引起晶體內(nèi)部元件的松動(dòng)或位移，導(dǎo)致晶體內(nèi)部電荷分布和電場(chǎng)變化，這些變化經(jīng)放大器放大后，通過(guò)反饋網(wǎng)絡(luò)反饋到晶體上，晶體輸出頻率會(huì)產(chǎn)生離散頻譜，引入機(jī)械振動(dòng)調(diào)頻邊帶，從而導(dǎo)致晶體輸出頻率穩(wěn)定性和精度下降，惡化相位噪聲。

3、由于晶體大約只有6g，所以減振結(jié)構(gòu)需要做得很輕。

4、現(xiàn)有專利cn114301417a公開(kāi)了一種上金絲編制環(huán)和下金絲編制環(huán)，分別從正、反面夾住石英晶體諧振器?；诮鸾z編織環(huán)具有很好的柔性，可以提高石英晶體諧振器的抗振動(dòng)、抗沖擊性能。現(xiàn)有專利cn114301416a公開(kāi)了在石英晶片和底座之間安裝三個(gè)彈性圓環(huán)，3個(gè)彈性圓環(huán)沿石英晶片反面的一個(gè)圓周周向均布，進(jìn)行隔振處理。

5、上述技術(shù)存在的問(wèn)題：現(xiàn)有主要減振辦法：采用金絲編織環(huán)或彈性圓環(huán)，對(duì)晶體的支撐性不夠，存在支撐效果不理想、減振不穩(wěn)定等問(wèn)題，達(dá)不到預(yù)期指標(biāo)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種晶體抑振合金減振件及石英晶體諧振器，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題。

2、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種晶體抑振合金減振件，所述晶體減振件包括第一圓環(huán)和第二圓環(huán)，所述第一圓環(huán)包括第一頂點(diǎn)和第二頂點(diǎn)，所述第二圓環(huán)包括第三頂點(diǎn)和第四頂點(diǎn)，所述第一圓環(huán)與所述第二圓環(huán)相互交叉，即所述第一圓環(huán)的第一頂點(diǎn)與所述第二圓環(huán)的第三頂點(diǎn)疊合以及所述第一圓環(huán)的第二頂點(diǎn)與所述第二圓環(huán)的第四頂點(diǎn)疊合；所述第一圓環(huán)和所述第二圓環(huán)均采用抑振合金材料制成。

3、進(jìn)一步地，所述第一圓環(huán)經(jīng)過(guò)圓心的直徑大于所述第二圓環(huán)經(jīng)過(guò)圓心的直徑，所述第一圓環(huán)固定在所述第二圓環(huán)的外部且與所述第二圓環(huán)呈90°垂直交叉狀。

4、進(jìn)一步地，所述第一圓環(huán)和第二圓環(huán)采用灌封膠連接，也可采用焊接或鉚接進(jìn)行連接。

5、進(jìn)一步地，所述第一圓環(huán)和所述第二圓環(huán)的壁厚一樣，取值范圍為0.1～10mm；所述第一圓環(huán)和所述第二圓環(huán)的圓心直徑取值范圍為1mm～3mm。

6、進(jìn)一步地，所述第一圓環(huán)和所述第二圓環(huán)的壁厚優(yōu)選0.1mm，所述第一圓環(huán)的圓心直徑優(yōu)選2.2mm，所述第二圓環(huán)的圓心直徑優(yōu)選2mm。

7、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供第二種技術(shù)方案：一種石英晶體諧振器，包括蓋體、殼體和晶體，所述晶體位于所述殼體內(nèi)部的中間，所述晶體與所述殼體之間設(shè)有權(quán)利要求1～5所述的晶體減振件。

8、進(jìn)一步地，所述晶體的前后左右上下六個(gè)面的中心位置均設(shè)有所述晶體減振件。

9、進(jìn)一步地，所述晶體減振件與所述殼體之間及所述晶體減振件與所述蓋體之間，均采用灌封膠連接，也可采用焊接或鉚接進(jìn)行連接。

10、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所達(dá)到的有益效果是：

11、1.本發(fā)明晶體減振件的第一圓環(huán)和第二圓環(huán)均采用抑振合金材料制成，抑振合金是一種全新的阻尼合金材料，具有等同于橡膠阻尼特性的同時(shí)具有結(jié)構(gòu)鋼強(qiáng)度，其原理是通過(guò)內(nèi)部的孿晶的生成和運(yùn)動(dòng)消耗振動(dòng)產(chǎn)生的能量，從而達(dá)到減振目的。

12、2.本發(fā)明第一圓環(huán)的作用在于連接晶體和殼體、晶體和蓋體，吸收外界的振動(dòng)力；第二圓環(huán)的作用在于增強(qiáng)第一圓環(huán)的支撐力，進(jìn)一步吸收和消耗振動(dòng)力。

13、3.本發(fā)明第一圓環(huán)和第二圓環(huán)在圓心直徑處連接，使得第二圓環(huán)可以為第一圓環(huán)提供最大的支撐力。

14、4.本發(fā)明位于晶體前后左右方位的晶體減振件可以吸收橫向的振動(dòng)力，位于晶體上下方位的晶體減振件可以吸收垂向的振動(dòng)力。

技術(shù)特征：

1.一種晶體抑振合金減振件，其特征在于，所述晶體減振件（1）包括第一圓環(huán)（11）和第二圓環(huán)（12），所述第一圓環(huán)（11）包括第一頂點(diǎn)（111）和第二頂點(diǎn)（112），所述第二圓環(huán)（12）包括第三頂點(diǎn)（121）和第四頂點(diǎn)（122），所述第一圓環(huán)（11）與所述第二圓環(huán)（12）相互交叉，即所述第一圓環(huán)（11）的第一頂點(diǎn)（111）與所述第二圓環(huán)（12）的第三頂點(diǎn)（121）疊合以及所述第一圓環(huán)（11）的第二頂點(diǎn)（112）與所述第二圓環(huán)（12）的第四頂點(diǎn)（122）疊合；所述第一圓環(huán)（11）和所述第二圓環(huán)（12）均采用抑振合金材料制成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體抑振合金減振件，其特征在于，所述第一圓環(huán)（11）經(jīng)過(guò)圓心的直徑大于所述第二圓環(huán)（12）經(jīng)過(guò)圓心的直徑，所述第一圓環(huán)（11）固定在所述第二圓環(huán)（12）的外部且與所述第二圓環(huán)（12）呈90°垂直交叉狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體抑振合金減振件，其特征在于，所述第一圓環(huán)（11）和第二圓環(huán)（12）采用灌封膠連接，也可采用焊接或鉚接進(jìn)行連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體抑振合金減振件，其特征在于，所述第一圓環(huán)（11）和所述第二圓環(huán)（12）的壁厚一樣，取值范圍為0.1～10mm；所述第一圓環(huán)（11）和所述第二圓環(huán)（12）的圓心直徑取值范圍為1mm～3mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體抑振合金減振件，其特征在于，所述第一圓環(huán)（11）和所述第二圓環(huán)（12）的壁厚優(yōu)選0.1mm，所述第一圓環(huán)（11）的圓心直徑優(yōu)選2.2mm，所述第二圓環(huán)（12）的圓心直徑優(yōu)選2mm。

6.一種石英晶體諧振器，包括蓋體（21）、殼體（22）和晶體（23），所述晶體（23）位于所述殼體（22）內(nèi)部的中間，其特征在于，所述晶體（23）與所述殼體（22）之間設(shè)有權(quán)利要求1～5所述的晶體減振件（1）。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的石英晶體諧振器，其特征在于，所述晶體（23）的前后左右上下六個(gè)面的中心位置均設(shè)有所述晶體減振件（1）。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的石英晶體諧振器，其特征在于，所述晶體減振件（1）與所述殼體（22）之間及所述晶體減振件（1）與所述蓋體（21）之間，均采用灌封膠連接，也可均采用焊接或鉚接進(jìn)行連接。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及晶體減振技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種晶體抑振合金減振件及石英晶體諧振器。晶體減振件包括呈90°相互交叉的第一圓環(huán)和第二圓環(huán)，均采用抑振合金材料制成。第一圓環(huán)的圓心直徑大于第二圓環(huán)的圓心直徑，第一圓環(huán)十字交叉固定在第二圓環(huán)的圓心直徑處。石英晶體諧振器包括蓋體、殼體和晶體，晶體位于殼體內(nèi)部的中間，晶體的前后左右上下六個(gè)面的中心位置均設(shè)有晶體減振件。第一圓環(huán)連接晶體和殼體、晶體和蓋體，吸收外界的振動(dòng)力；第二圓環(huán)增強(qiáng)第一圓環(huán)的支撐力，進(jìn)一步吸收和消耗振動(dòng)力。本發(fā)明位于晶體前后左右方位的晶體減振件可以吸收橫向的振動(dòng)力，位于晶體上下方位的晶體減振件可以吸收垂向的振動(dòng)力。

技術(shù)研發(fā)人員：王祺,葉仁傳,熊仲營(yíng),王福飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇天麒新材料應(yīng)用研究院有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6