本發(fā)明實施例涉及電磁屏蔽，尤其涉及一種電磁屏蔽罩及線路板。

背景技術(shù)：

1、目前移動終端往小型化發(fā)展，例如麥克風(fēng)、無線耳機等，需要用到極小型或者微型電路。在小型線路板的制作中，傳統(tǒng)的貼片電阻、電容無法滿足小體積的線路制作需求，片式電子元器件目前已在電子產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用。

2、現(xiàn)有的薄膜電阻產(chǎn)品在線路制作過程中，應(yīng)用端使用時電阻層容易開裂，導(dǎo)致電阻失效，影響線路板制作效率和品質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種復(fù)合金屬箔、覆金屬層疊板、芯片及電路板，實現(xiàn)提高功能層的致密性，提高復(fù)合金屬箔的韌性，避免線路板壓合過程功能層開裂。

2、第一方面，本發(fā)明實施例提供一種復(fù)合金屬箔，包括：層疊設(shè)置的基底層和功能層；所述基底層的導(dǎo)熱系數(shù)大于400w/m.k。

3、可選的，所述基底層的導(dǎo)熱系數(shù)在400w/m.k-450w/m.k之間。

4、可選的，所述基底層靠近和/或遠(yuǎn)離所述功能層的一側(cè)設(shè)置隔熱層。

5、可選的，單位面積內(nèi)，所述基底層中晶粒與晶界的數(shù)量比例為0.1～2。

6、可選的，單位面積內(nèi)所述基底層的所有所述晶粒中，單晶取向的晶粒占比為70～100％。

7、可選的，所述復(fù)合金屬箔還包括緩沖層，所述緩沖層、所述基底層及所述功能層分別層疊設(shè)置。

8、可選的，所述基底層的材質(zhì)包括銅、金、銀、鐵、鋁、石墨、導(dǎo)電聚合物和碳纖維復(fù)合材料中的一種或兩種以上材料；和/或，所述功能層包括鎳、鉻、鋅、鋁、鐵、鈦、磷、錫、氧、氮和銅中的至少一種元素。

9、可選的，所述功能層中鉻的含量范圍為10％～40％，鎳的含量范圍為60％～90％。

10、可選的，所述基底層的厚度為5～50μm；和/或，所述基底層靠近所述功能層的一側(cè)表面的粗糙度rz范圍為0.5～10μm。

11、可選的，所述的復(fù)合金屬箔，還包括調(diào)節(jié)層，所述調(diào)節(jié)層設(shè)置在所述功能層遠(yuǎn)離所述基底層的一側(cè)，所述調(diào)節(jié)層用于作用提升壓合時所述基底層與基板的結(jié)合力。

12、第二方面，本發(fā)明實施例提供一種覆金屬層疊板，所述覆金屬層疊板包括本發(fā)明任意實施例所述的復(fù)合金屬箔。

13、第三方面，本發(fā)明實施例提供一種芯片，所述芯片包括本發(fā)明任意實施例所述的復(fù)合金屬箔。

14、第四方面，本發(fā)明實施例提供一種電路板，所述電路板包括本發(fā)明任意實施例所述的復(fù)合金屬箔。

15、本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案，復(fù)合金屬箔包括層疊設(shè)置的基底層和功能層；基底層的導(dǎo)熱系數(shù)大于400w/m.k。通過限定基底層材料導(dǎo)熱系數(shù)，從而影響薄膜材料的沉積速度，提高功能層濺射時的致密性，提高復(fù)合金屬箔的韌性，可以避免線路板壓合過程中功能層開裂情況發(fā)生，滿足使用需求，有利于提升線路加工精度。

技術(shù)特征：

1.一種復(fù)合金屬箔，其特征在于，包括：層疊設(shè)置的基底層和功能層；所述基底層的導(dǎo)熱系數(shù)大于400w/m.k。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述基底層的導(dǎo)熱系數(shù)在400w/m.k-450w/m.k之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述基底層靠近和/或遠(yuǎn)離所述功能層的一側(cè)設(shè)置隔熱層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，單位面積內(nèi)，所述基底層中晶粒與晶界的數(shù)量比例為0.1～2。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，單位面積內(nèi)所述基底層的所有所述晶粒中，單晶取向的晶粒占比為70～100％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述復(fù)合金屬箔還包括緩沖層，所述緩沖層、所述基底層及所述功能層分別層疊設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述基底層的材質(zhì)包括銅、金、銀、鐵、鋁、石墨、導(dǎo)電聚合物和碳纖維復(fù)合材料中的一種或兩種以上材料；和/或，所述功能層包括鎳、鉻、鋅、鋁、鐵、鈦、磷、錫、氧、氮和銅中的至少一種元素。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述功能層中鉻的含量范圍為10％～40％，鎳的含量范圍為60％～90％。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述基底層的厚度為5～50μm；和/或，所述基底層靠近所述功能層的一側(cè)表面的粗糙度rz范圍為0.5～10μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，還包括調(diào)節(jié)層，所述調(diào)節(jié)層設(shè)置在所述功能層遠(yuǎn)離所述基底層的一側(cè)，所述調(diào)節(jié)層用于作用提升壓合時所述基底層與基板的結(jié)合力。

11.一種覆金屬層疊板，其特征在于，所述覆金屬層疊板包括權(quán)利要求1-10中任一項所述的復(fù)合金屬箔。

12.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括權(quán)利要求1-10中任一項所述的復(fù)合金屬箔。

13.一種電路板，其特征在于，所述電路板包括權(quán)利要求1-10中任一項所述的復(fù)合金屬箔。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種復(fù)合金屬箔、覆金屬層疊板、芯片及電路板，包括：層疊設(shè)置的基底層和功能層；所述基底層的導(dǎo)熱系數(shù)大于400W/m.K。本發(fā)明提供一種復(fù)合金屬箔、覆金屬層疊板、芯片及電路板，提高了功能層的致密性，提高了復(fù)合金屬箔的韌性，避免了在線路板壓合過程功能層開裂。

技術(shù)研發(fā)人員：徐煦源,何高霞,李冬梅
受保護的技術(shù)使用者：廣州方邦電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30