本申請涉及顯示，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、oled(organic?light-emitting?diode，有機(jī)發(fā)光二極管)是由多層有機(jī)層和兩側(cè)電極構(gòu)成的三明治結(jié)構(gòu)的主動發(fā)光器件，它是由多層有機(jī)層和兩側(cè)電極構(gòu)成的三明治結(jié)構(gòu)的主動發(fā)光器件。目前，基于amoled(active-matrix?organic?light-emitting?diode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)的顯示屏已經(jīng)在智能手機(jī)、手表以及筆記本電腦等領(lǐng)域得到商業(yè)化。

2、但是，現(xiàn)有顯示屏的性能有待提升。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請的目的在于提出一種陣列基板，可以避免補(bǔ)充金屬層發(fā)生腐蝕，保證封裝效果。

2、基于上述目的，本申請?zhí)峁┝艘环N陣列基板，其包括：

3、襯底，包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)；

4、補(bǔ)充金屬層，位于所述襯底的一側(cè)且位于所述顯示區(qū)和非顯示區(qū)；

5、第三金屬層，位于所述補(bǔ)充金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)且位于所述顯示區(qū)和非顯示區(qū)；

6、第一平坦化層，位于所述第三金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)且位于所述顯示區(qū)和非顯示區(qū)；

7、其中，在所述非顯示區(qū)，所述第一平坦化層在所述補(bǔ)充金屬層上的正投影位于所述第三金屬層在所述補(bǔ)充金屬層上的正投影內(nèi)。

8、在其中一種實施方式中，所述陣列基板還包括：

9、無機(jī)膜層，至少覆蓋所述第三金屬層未被所述第一平坦化層覆蓋的部分。

10、在其中一種實施方式中，所述陣列基板還包括：

11、第四金屬層，位于所述第一平坦化層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

12、第二平坦化層，位于所述第四金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

13、所述無機(jī)膜部分位于所述第二平坦化層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

14、第五金屬層，位于所述無機(jī)膜層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)。

15、在其中一種實施方式中，所述陣列基板還包括：

16、第三平坦化層，部分位于所述第五金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，部分覆蓋所述無機(jī)膜層上未被所述第五金屬層覆蓋的區(qū)域。

17、在其中一種實施方式中，所述陣列基板還包括：位于所述襯底和所述補(bǔ)充金屬層之間的第一金屬層和第二金屬層；以及

18、第一絕緣層，位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間；

19、第二絕緣層，位于所述第二金屬層和所述補(bǔ)充金屬層之間；

20、第三絕緣層，至少部分位于所述補(bǔ)充金屬層與所述第三金屬層之間，所述無機(jī)膜層部分覆蓋所述第三絕緣層上未被所述第三金屬層覆蓋的區(qū)域；

21、優(yōu)選地，所述第一金屬層與所述第二金屬層通過過孔連接，所述第二金屬層和所述第三金屬層通過過孔連接。

22、在其中一種實施方式中，所述襯底包括：

23、第一柔性襯底、第二柔性襯底、以及位于所述第一柔性襯底和所述第二柔性襯底之間的第一阻擋層。

24、在其中一種實施方式中，所述陣列基板還包括：

25、位于所述襯底與所述補(bǔ)充金屬層之間，且遠(yuǎn)離所述襯底依次設(shè)置的第二阻擋層、緩沖層和柵介質(zhì)層。在其中一種實施方式中，所述第三金屬層與所述補(bǔ)充金屬層通過過孔連接。

26、基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本申請還公開了一種顯示面板，其包括上述任一項所述的陣列基板。

27、基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本申請還公開了一種顯示裝置，其包括上述任意一項所述的顯示面板。

28、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請?zhí)峁┑年嚵谢?，在非顯示區(qū)，第一平坦化層在補(bǔ)充金屬層上的正投影位于第三金屬層在補(bǔ)充金屬層上的正投影內(nèi)，避免第一平坦化層在高溫高濕環(huán)境中吸水產(chǎn)生膨脹，引起下方膜層的應(yīng)力變化導(dǎo)致下方膜層發(fā)生斷裂，從而避免水汽入侵到補(bǔ)充金屬層，造成補(bǔ)充金屬層發(fā)生腐蝕，可以有效保護(hù)補(bǔ)充金屬層，保證封裝效果。

技術(shù)特征：

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：位于所述襯底和所述補(bǔ)充金屬層之間的第一金屬層和第二金屬層；以及

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第三金屬層與所述補(bǔ)充金屬層通過過孔連接。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項所述的陣列基板。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的顯示面板。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N陣列基板、顯示面板及顯示裝置，其陣列基板包括：襯底，包括顯示區(qū)和圍繞顯示區(qū)的非顯示區(qū)；還包括補(bǔ)充金屬層、第三金屬層、第一平坦化層，補(bǔ)充金屬層位于襯底的一側(cè)，第一平坦化層位于補(bǔ)充金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，第一平坦化層位于第三金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)且位于顯示區(qū)和非顯示區(qū)；其中，在非顯示區(qū)，第一平坦化層在補(bǔ)充金屬層上的正投影位于第三金屬層在補(bǔ)充金屬層上的正投影內(nèi)。本申請?zhí)峁┑年嚵谢?，可以避免第一平坦化層在高溫高濕環(huán)境中吸水產(chǎn)生膨脹，引起下方膜層的應(yīng)力變化導(dǎo)致下方膜層發(fā)生斷裂，從而避免水汽入侵到補(bǔ)充金屬層，造成補(bǔ)充金屬層發(fā)生腐蝕，可以有效保護(hù)補(bǔ)充金屬層，保證封裝效果。

技術(shù)研發(fā)人員：占小奇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥維信諾科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2