本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種陽極保護制備real?rgb?oledos的方法。

背景技術：

1、硅基oled(oledos)微顯示器目前的主流技術方案為白光oled(woled)發(fā)光，通過濾光片(cf)產生rgb三色實現(xiàn)全彩顯示，該技術的主要問題是效率低及子像素間串擾問題嚴重。real?rgb結構為r/g/b三色oled分別在對應的子像素上，具體結構示意圖如圖1所示，該結構由于不使用cf，故效率遠高于傳統(tǒng)的woled+cf方案。另外合理的real?rgb結構還能有效地減少子像素間地串擾問題。

2、現(xiàn)有技術，如中國專利cn115720461a公開了一種硅基oled微顯示器的制備方法，包括步驟在硅基板上制備cmos驅動電路，在cmos驅動電路上制備陽極層，在陽極層上制備oled膜層、陰極層和光學覆蓋層，存在陽極材料易于受到損壞的問題。

技術實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種陽極保護制備real?rgb?oledos的方法，能夠實現(xiàn)陽極材料的保護。

2、為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供以下技術方案：

3、本發(fā)明提供了一種陽極保護制備real?rgb?oledos的方法，所述real?rgb?oledos包括：

4、硅基背板100；

5、子像素區(qū)，所述子像素區(qū)的個數(shù)為3n，其中n≥1，所述子像素區(qū)包括依次層疊設置的陽極結構110、oled功能材料層、陰極層600和薄膜封裝層700，所述陽極結構110間隔內嵌在所述硅基背板100的上表面，所述子像素區(qū)通過間隔單元間隔設置，所述間隔單元包括依次層疊設置的第一介電材料層200、導體材料層300和第二介電材料層400，所述第一介電材料層200設置在所述硅基背板100的上表面；三個所述子像素區(qū)的oled功能材料層為第一子像素區(qū)oled功能材料層500、第二子像素區(qū)oled功能材料層800和第三子像素區(qū)oled功能材料層900，所述第一子像素區(qū)oled功能材料層500、第二子像素區(qū)oled功能材料層800和第三子像素區(qū)oled功能材料層900的顏色為rgb任一顏色發(fā)光且均不相同；

6、所述方法包括以下步驟：

7、在硅基背板100和陽極結構110的上表面依次沉積第一介電材料層前體200-1、導體材料層前體300-1和第二介電材料層前體400-1；

8、對所述導體材料層前體300-1和第二介電材料層前體400-1進行底部內切，形成導體材料層300和第二介電材料層400；

9、對所述第一介電材料層前體200-1進行第一刻蝕，露出第一子像素區(qū)的陽極結構110，然后依次進行第一沉積第一子像素區(qū)oled功能材料層500、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第一子像素區(qū)；

10、對非第一子像素區(qū)的第一子像素區(qū)oled功能材料層500、陰極層600和薄膜封裝層700進行第二刻蝕；

11、對所述第一介電材料層前體200-1進行第三刻蝕，露出第二子像素區(qū)的陽極結構110，然后依次第二沉積第二子像素區(qū)oled功能材料層800、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第二子像素區(qū)；

12、進行第四刻蝕，去除所述第二沉積形成的且非第二子像素區(qū)的第二子像素區(qū)oled功能材料層800、陰極層600和薄膜封裝層700；

13、對所述第一介電材料層前體200-1進行第五刻蝕，露出第三子像素區(qū)的陽極結構110，形成所述第一介電材料層200，然后依次第三沉積第三子像素區(qū)oled功能材料層900、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第三子像素區(qū)；

14、進行第六刻蝕，去除所述第三沉積形成的且非第三子像素區(qū)的第三子像素區(qū)oled功能材料層900、陰極層600和薄膜封裝層700，得到所述real?rgb?oledos。

15、優(yōu)選地，所述第一介電材料層200和第二介電材料層400的材質獨立地包括氧化硅材料、氮化硅材料、氮氧化硅材料和al2o3中的一種或多種。

16、優(yōu)選地，所述導體材料層300的材質包括導電金屬氧化物和/或導電金屬；所述導電金屬氧化物包括氧化銦錫和/或銦鋅氧化物；所述導電金屬包括ag、al、mo、w、cu和au中的一種或多種。

17、優(yōu)選地，所述oled功能材料層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子阻擋層、電子注入層和空穴阻擋層中的一種或多種。

18、優(yōu)選地，所述oled功能材料層的材質包括磷光材料、熒光材料和高熒光oled材料中的一種或多種。

19、優(yōu)選地，所述陰極層600為單層薄膜或多層復合薄膜，所述陰極層600的材質包括mg、ag、al、銦鋅氧化物和氧化鋅鋁中的一種或多種。

20、優(yōu)選地，所述薄膜封裝層700為單層薄膜或多層復合薄膜，所述薄膜封裝層700的材質包括al2o3、tio2、氧化硅材料、氮化硅材料和氮氧化硅材料中的一種或多種。

21、優(yōu)選地，所述陽極結構110為單層薄膜或多層復合薄膜，所述陽極結構110的材質包括al、ag、tin和氧化銦錫中的一種或多種。

22、優(yōu)選地，所述硅基背板100為裸硅襯底或含電路硅襯底。

23、本發(fā)明提供了一種陽極保護制備real?rgb?oledos的方法，包括以下步驟：在硅基背板100和陽極結構110的上表面依次沉積第一介電材料層前體200-1、導體材料層前體300-1和第二介電材料層前體400-1；利用光刻刻蝕去膠工藝進行底部內切，形成導體材料層300和第二介電材料層400；利用光刻刻蝕去膠工藝對所述第一介電材料層前體200-1進行第一刻蝕，露出第一子像素區(qū)的陽極結構110，然后依次第一沉積第一子像素區(qū)oled功能材料層500、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第一子像素區(qū)；利用光刻刻蝕去膠工藝進行第二刻蝕，去除非第一子像素區(qū)的第一子像素區(qū)oled功能材料層500、陰極層600和薄膜封裝層700；利用光刻刻蝕去膠工藝對所述第一介電材料層前體200-1進行第三刻蝕，露出第二子像素區(qū)的陽極結構110，然后依次第二沉積第二子像素區(qū)oled功能材料層800、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第二子像素區(qū)；利用光刻刻蝕去膠工藝進行第四刻蝕，去除所述第二沉積形成的且非第二子像素區(qū)的第二子像素區(qū)oled功能材料層700、陰極層600和薄膜封裝層700)利用光刻刻蝕去膠工藝對所述第一介電材料層前體200-1進行第五刻蝕，露出第三子像素區(qū)的陽極結構110，形成所述第一介電材料層200，然后依次第三沉積第三子像素區(qū)oled功能材料層900、陰極層600和薄膜封裝層700，形成第三子像素區(qū)；利用光刻刻蝕去膠工藝進行第六刻蝕，去除所述第三沉積形成的且非第三子像素區(qū)的第三子像素區(qū)oled功能材料層900、陰極層600和薄膜封裝層700，得到所述real?rgb?oledos。

24、與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果如下：

25、本發(fā)明先形成第一介電材料層200，再分別進行第一刻蝕、第三刻蝕和第五刻蝕，露出所述子像素區(qū)的陽極結構110，分別刻蝕各個子像素區(qū)，減少對陽極的損傷，只需要承受打開陽極上面材料時的一次刻蝕損傷，實現(xiàn)了對陽極的保護，提高了real?rgb?oledos的質量和成品率。