本申請(qǐng)涉及射頻，特別涉及一種彈性波裝置。

背景技術(shù)：

1、彈性波器件具有成本低、體積小和功能多等特點(diǎn)，在雷達(dá)、通信、導(dǎo)航等領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。手機(jī)和基站通信中最常用的彈性波器件有彈性波諧振器、由多個(gè)彈性波諧振器組合而成的彈性波濾波器以及由多個(gè)彈性波濾波器組合而成的彈性波雙工器和彈性波多工器。在任何類型的彈性波器件中，都在壓電多層襯底上設(shè)置導(dǎo)電材料薄膜圖形，以確定若干個(gè)叉指換能器電極和反射器電極，并且都利用叉指換能器電極的電信號(hào)轉(zhuǎn)換成彈性波的轉(zhuǎn)換功能的頻率特性來(lái)獲得帶通特性。

2、移動(dòng)通信系統(tǒng)正在從3g、4g向5g發(fā)展，使用頻帶則向3ghz以上的頻帶移動(dòng)。傳統(tǒng)的聲表面波裝置受制于材料本身的限制，q值和耦合系數(shù)較低，不能充分滿足移動(dòng)通訊對(duì)器件高性能的要求。基于鉭酸鋰/鈮酸鋰壓電薄膜的復(fù)合多層結(jié)構(gòu)的聲表面波裝置集低插損、低溫漂、大帶寬、大功率等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注。

3、然而，基于壓電薄膜的復(fù)合多層結(jié)構(gòu)也會(huì)引起諸多寄生雜波問(wèn)題，例如主模附近的雜波響應(yīng)，這將惡化濾波器的帶內(nèi)波動(dòng)，也會(huì)引起雙工器或射頻模塊之間的模式串?dāng)_，極大地影響通信裝置的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的目的是提供一種彈性波裝置，以解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)采用的技術(shù)方案為：

3、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N彈性波裝置，包括：

4、高聲速構(gòu)件；

5、鈧摻雜的氮化鋁層，其設(shè)置于所述高聲速構(gòu)件上；

6、壓電層，其設(shè)置于所述鈧摻雜的氮化鋁層上；

7、叉指換能器電極，其設(shè)置于所述壓電層上；以及

8、反射器電極，其設(shè)置于所述壓電層上，其位于所述叉指換能器電極的兩側(cè)；

9、其中，所述鈧摻雜的氮化鋁層的摻鈧比例為15％-40％。

10、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述叉指換能器電極和所述反射器電極的材料由鋁、銅、鉑、鎢、金、銀、鉬、鉭中的一種或多種組成。

11、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述高聲速構(gòu)件包括：

12、支承基板，其用于對(duì)所述鈧摻雜的氮化鋁層進(jìn)行支承；或

13、支承基板、以及設(shè)置于所述支承基板與所述鈧摻雜的氮化鋁層之間的俘獲材料層，所述俘獲材料層用于對(duì)所述鈧摻雜的氮化鋁層進(jìn)行支承。

14、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述俘獲材料層由非晶硅、多晶硅、非晶鍺、多晶鍺中的一種或多種組合形成。

15、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述高聲速構(gòu)件和所述鈧摻雜的氮化鋁層之間還具有低聲速層。

16、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在所述低聲速層中傳播的體波的聲速比在所述壓電層中傳播的體波的聲速低；在所述高聲速構(gòu)件中傳播的體波的聲速比在所述壓電層中傳播的體波的聲速高。

17、在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述低聲速層由二氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化鉭，或者在二氧化硅中添加了以氟、碳、或硼的化合物為主成分的材料中的相對(duì)低聲速材料的一種或多種組合構(gòu)成。

18、第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N濾波器裝置，具備：

19、串聯(lián)臂諧振器；以及

20、并聯(lián)臂諧振器；

21、其中，所述串聯(lián)臂諧振器以及所述并聯(lián)臂諧振器之中的至少一個(gè)諧振器是如上所述的彈性波裝置。

22、第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N多工器，具備：

23、天線端子，其與天線連接；以及

24、多個(gè)濾波器裝置，其公共連接于所述天線端子；

25、其中，至少一個(gè)所述濾波器裝置是如上所述的濾波器裝置。

26、本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案帶來(lái)的有益效果至少包括：

27、本申請(qǐng)通過(guò)在高聲速構(gòu)件上設(shè)置鈧摻雜的氮化鋁層，在鈧摻雜的氮化鋁層上設(shè)置壓電層，在壓電層上設(shè)置叉指換能器電極和反射器電極，反射器電極位于叉指換能器電極的兩側(cè)，其中，鈧摻雜的氮化鋁層的摻鈧比例為15％-40％。在此情況下，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中基于鉭酸鋰/鈮酸鋰壓電薄膜的復(fù)合多層結(jié)構(gòu)的彈性波裝置的主模附近的雜波響應(yīng)、惡化濾波器的帶內(nèi)波動(dòng)、引起雙工器或射頻模塊之間的模式串?dāng)_的問(wèn)題，可以提高通信裝置的整體性能。

技術(shù)特征：

1.一種彈性波裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其特征在于，所述高聲速構(gòu)件包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的彈性波裝置，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其特征在于：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的彈性波裝置，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的彈性波裝置，其特征在于，所述低聲速層由二氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化鉭，或者在二氧化硅中添加了以氟、碳、或硼的化合物為主成分的材料中的相對(duì)低聲速材料的一種或多種組合構(gòu)成。

8.一種濾波器裝置，具備：

9.一種多工器，具備：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)關(guān)于一種彈性波裝置，涉及射頻領(lǐng)域。本申請(qǐng)通過(guò)在高聲速構(gòu)件上設(shè)置鈧摻雜的氮化鋁層，在鈧摻雜的氮化鋁層上設(shè)置壓電層，在壓電層上設(shè)置叉指換能器電極和反射器電極，反射器電極位于叉指換能器電極的兩側(cè)，其中，鈧摻雜的氮化鋁層的摻鈧比例為15％?40％。在此情況下，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中基于鉭酸鋰/鈮酸鋰壓電薄膜的復(fù)合多層結(jié)構(gòu)的彈性波裝置的主模附近的雜波響應(yīng)、惡化濾波器的帶內(nèi)波動(dòng)、引起雙工器或射頻模塊之間的模式串?dāng)_的問(wèn)題，可以提高通信裝置的整體性能。

技術(shù)研發(fā)人員：俞振一,傅肅磊,張莉,王紹安,劉平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫市好達(dá)電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6