本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體發(fā)光，具體涉及一種微型發(fā)光二極管芯片及制作方法、及微型發(fā)光二極管器件。

背景技術(shù)：

1、micro-led(micro-light?emitting?diode，微型發(fā)光二極管)顯示技術(shù)是將傳統(tǒng)的led(light?emitting?diode，發(fā)光二極管)結(jié)構(gòu)進(jìn)行微縮化和陣列化，并采用cmos(complementary?metal?oxide?semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)或tft(thin?filmtransistor，薄膜晶體管)制作驅(qū)動(dòng)電路，來實(shí)現(xiàn)對(duì)每一個(gè)像素點(diǎn)的定址控制和單獨(dú)驅(qū)動(dòng)的顯示技術(shù)。

2、其中，micro-led芯片中相鄰像素點(diǎn)之間的間距較小，像素點(diǎn)之間存在嚴(yán)重的光串?dāng)_問題。因此，亟需提供一種光串?dāng)_較小的micro-led芯片。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的目的在于提供一種微型發(fā)光二極管芯片及制作方法、及微型發(fā)光二極管器件。

2、為了解決上述問題，第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N微型發(fā)光二極管芯片的制作方法，包括：

3、提供包括多個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)的初始發(fā)光架構(gòu)；

4、在所述初始發(fā)光架構(gòu)的表面形成第一鈍化層；

5、在每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁區(qū)域的表面形成遮光層；

6、暴露出每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的電極區(qū)域，并得到所述微型發(fā)光二極管芯片。

7、可選的，所述在每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁區(qū)域的表面形成遮光層，包括：

8、在每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)側(cè)壁區(qū)域的表面形成遮光層。

9、可選的，所述初始發(fā)光架構(gòu)包括相互間隔的多個(gè)臺(tái)面隊(duì)列，每一所述臺(tái)面隊(duì)列包括多個(gè)所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)，每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括順次連接的第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁和第四側(cè)壁，所述第一側(cè)壁與第三側(cè)壁相對(duì)設(shè)置，所述第二側(cè)壁與所述第四側(cè)壁相對(duì)設(shè)置；其中，

10、所述在每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁區(qū)域的表面形成遮光層，包括：

11、在相鄰兩個(gè)所述臺(tái)面隊(duì)列中的一個(gè)所述臺(tái)面隊(duì)列的每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁的表面形成第一遮光層，在相鄰的所述臺(tái)面隊(duì)列的每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的所述第二側(cè)壁和所述第三側(cè)壁的表面形成第二遮光層。

12、可選的，所述初始發(fā)光架構(gòu)包括交替間隔排列的第一臺(tái)面隊(duì)列和第二臺(tái)面隊(duì)列，所述第一臺(tái)面隊(duì)列和所述第二臺(tái)面隊(duì)列均包括多個(gè)所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)；每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁區(qū)域包括相互間隔或者部分重疊的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的兩條邊緣與所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的中心點(diǎn)之間的夾角大于0度并小于180度；其中，

13、所述在每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁區(qū)域的表面形成遮光層，包括：

14、在所述第一臺(tái)面隊(duì)列的每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的所述第一區(qū)域形成第一遮光層，在所述第二臺(tái)面隊(duì)列的每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域形成第二遮光層。

15、可選的，所述在每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁區(qū)域的表面形成遮光層，包括：

16、在每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁區(qū)域形成遮光層，并形成含有所述遮光層和所述第一鈍化層的遮光臺(tái)面；

17、在所述遮光臺(tái)面的表面形成第二鈍化層。

18、第二方面，本申請(qǐng)還提供一種微型發(fā)光二極管芯片，包括：

19、初始發(fā)光架構(gòu)，包括襯底以及形成在襯底上的多個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

20、第一鈍化層，設(shè)置于所述初始發(fā)光架構(gòu)背離所述襯底的一面；

21、遮光層，設(shè)置于每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁區(qū)域的表面，并且，所述遮光層及所述第一鈍化層暴露出每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的電極區(qū)域。

22、可選的，所述遮光層設(shè)置于每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)側(cè)壁區(qū)域的表面。

23、可選的，所述初始發(fā)光架構(gòu)包括相互間隔的多個(gè)臺(tái)面隊(duì)列，每一所述臺(tái)面隊(duì)列包括多個(gè)所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)，每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括順次連接的第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁和第四側(cè)壁，所述第一側(cè)壁與第三側(cè)壁相對(duì)設(shè)置，所述第二側(cè)壁與所述第四側(cè)壁相對(duì)設(shè)置；所述遮光層包括第一遮光層和第二遮光層；

24、所述第一遮光層設(shè)置于相鄰兩個(gè)所述臺(tái)面隊(duì)列中的一個(gè)所述臺(tái)面隊(duì)列的每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁的表面，所述第二遮光層設(shè)置于相鄰的所述臺(tái)面隊(duì)列的每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的所述第二側(cè)壁和所述第三側(cè)壁背離的表面。

25、可選的，所述初始發(fā)光架構(gòu)包括交替間隔排列的第一臺(tái)面隊(duì)列和第二臺(tái)面隊(duì)列，所述第一臺(tái)面隊(duì)列和所述第二臺(tái)面隊(duì)列均包括多個(gè)所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)；每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁區(qū)域包括相互間隔或者部分重疊的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的兩條邊緣與所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的中心點(diǎn)之間的夾角大于0度并小于180度；所述遮光層包括第一遮光層和第二遮光層；其中，

26、所述第一遮光層設(shè)置于所述第一臺(tái)面隊(duì)列中的每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的所述第一區(qū)域，所述第二遮光層設(shè)置于所述第二臺(tái)面隊(duì)列的每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的所述第二區(qū)域。

27、可選的，含有所述遮光層和所述第一鈍化層的初始發(fā)光架構(gòu)形成遮光臺(tái)面；

28、所述微型發(fā)光二極管芯片還包括：

29、第二鈍化層，設(shè)置于所述遮光臺(tái)面的表面。

30、第三方面，本申請(qǐng)還提供一種微型發(fā)光二極管器件，包括：

31、如上所述的微型發(fā)光二極管芯片的制作方法制備的微型發(fā)光二極管芯片；或者，如上所述的微型發(fā)光二極管芯片；及

32、驅(qū)動(dòng)芯片，與所述微型發(fā)光二極管芯片鍵合連接。

33、基于上述技術(shù)方案，本申請(qǐng)?zhí)峁┑奈⑿桶l(fā)光二極管芯片及制作方法、及微型發(fā)光二極管器件，第一鈍化層形成在初始發(fā)光架構(gòu)的表面，遮光層形成在每一臺(tái)面結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁區(qū)域的表面，第一鈍化層能將遮光層和臺(tái)面結(jié)構(gòu)間隔開，能避免遮光層對(duì)臺(tái)面結(jié)構(gòu)的不利影響；同時(shí)，遮光層能遮擋臺(tái)面結(jié)構(gòu)形成的像素點(diǎn)發(fā)出的光線，能避免多個(gè)像素點(diǎn)之間的光線串?dāng)_；而且，本申請(qǐng)的遮光層沒有覆蓋臺(tái)面結(jié)構(gòu)的整個(gè)側(cè)壁區(qū)域，在相鄰兩個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁區(qū)域之間能不同時(shí)存在兩層遮光層，本申請(qǐng)的方案能使得相鄰兩個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)之間存在較大的間隔區(qū)域，既使得遮光層在生產(chǎn)工藝上能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)，同時(shí)也能避免相鄰兩個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)電性互聯(lián)而導(dǎo)致短路。從而，本申請(qǐng)的微型發(fā)光二極管芯片既能減少側(cè)壁光串?dāng)_，又能保持臺(tái)面結(jié)構(gòu)之間的電性斷開而提高微型發(fā)光二極管芯片的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種微型發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述在每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁區(qū)域的表面形成遮光層，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述初始發(fā)光架構(gòu)包括相互間隔的多個(gè)臺(tái)面隊(duì)列，每一所述臺(tái)面隊(duì)列包括多個(gè)所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)，每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括順次連接的第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁和第四側(cè)壁，所述第一側(cè)壁與第三側(cè)壁相對(duì)設(shè)置，所述第二側(cè)壁與所述第四側(cè)壁相對(duì)設(shè)置；其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述初始發(fā)光架構(gòu)包括交替間隔排列的第一臺(tái)面隊(duì)列和第二臺(tái)面隊(duì)列，所述第一臺(tái)面隊(duì)列和所述第二臺(tái)面隊(duì)列均包括多個(gè)所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)；每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁區(qū)域包括相互間隔或者部分重疊的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的兩條邊緣與所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的中心點(diǎn)之間的夾角大于0度并小于180度；其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的微型發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述在每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁區(qū)域的表面形成遮光層，包括：

6.一種微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述遮光層設(shè)置于每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)側(cè)壁區(qū)域的表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述初始發(fā)光架構(gòu)包括相互間隔的多個(gè)臺(tái)面隊(duì)列，每一所述臺(tái)面隊(duì)列包括多個(gè)所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)，每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括順次連接的第一側(cè)壁、第二側(cè)壁、第三側(cè)壁和第四側(cè)壁，所述第一側(cè)壁與第三側(cè)壁相對(duì)設(shè)置，所述第二側(cè)壁與所述第四側(cè)壁相對(duì)設(shè)置；所述遮光層包括第一遮光層和第二遮光層；

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述初始發(fā)光架構(gòu)包括交替間隔排列的第一臺(tái)面隊(duì)列和第二臺(tái)面隊(duì)列，所述第一臺(tái)面隊(duì)列和所述第二臺(tái)面隊(duì)列均包括多個(gè)所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)；每一所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁區(qū)域包括相互間隔或者部分重疊的第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的兩條邊緣與所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的中心點(diǎn)之間的夾角大于0度并小于180度；所述遮光層包括第一遮光層和第二遮光層；其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)所述的微型發(fā)光二極管芯片，其特征在于，含有所述遮光層和所述第一鈍化層的初始發(fā)光架構(gòu)形成遮光臺(tái)面；

11.一種微型發(fā)光二極管器件，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N微型發(fā)光二極管芯片及制作方法、及微型發(fā)光二極管器件，該制作方法包括：提供包括多個(gè)臺(tái)面結(jié)構(gòu)的初始發(fā)光架構(gòu)；在初始發(fā)光架構(gòu)的表面形成第一鈍化層；在每一臺(tái)面結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁區(qū)域形成遮光層；暴露出每一臺(tái)面結(jié)構(gòu)的電極區(qū)域，并得到微型發(fā)光二極管芯片?；诖?，本申請(qǐng)的微型發(fā)光二極管芯片既能減少側(cè)壁光串?dāng)_，又能保持臺(tái)面結(jié)構(gòu)之間的電性斷開。

技術(shù)研發(fā)人員：陳萬,張珂
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市思坦科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9