本發(fā)明涉及封裝，具體為一種封裝結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的制備方法。

背景技術(shù)：

1、目隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品向著高密度、高集成、小尺寸方向發(fā)展，越來越多的人把技術(shù)突破口放在先進(jìn)封裝研發(fā)上。3d封裝固然能很好的提高io密度和電性能，但是還需要進(jìn)一步提高表面積和空間的利用率，實(shí)現(xiàn)更多的io集成。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于解決如何實(shí)現(xiàn)更多io集成的問題，提供了一種封裝結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的制備方法。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：

3、環(huán)狀電路板；

4、位于所述環(huán)狀電路板一端的第一轉(zhuǎn)接板，所述第一轉(zhuǎn)接板用于將所述環(huán)狀電路板和外部結(jié)構(gòu)電連接；

5、其中，所述環(huán)狀電路板包括環(huán)狀介質(zhì)層、位于所述環(huán)狀介質(zhì)層表面的第一芯片和位于所述環(huán)狀介質(zhì)層中的第一管腳、第一金屬線路，所述第一金屬線路連接所述第一芯片和相應(yīng)的第一管腳，所述環(huán)狀介質(zhì)層的一端具有第一端面，所述第一管腳暴露于所述第一端面，所述第一轉(zhuǎn)接板面向所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面具有和所述第一管腳相對應(yīng)的第一焊盤，所述第一焊盤和對應(yīng)的第一管腳相連接，實(shí)現(xiàn)所述第一轉(zhuǎn)接板和所述環(huán)狀電路板電連接。

6、作為一種可實(shí)施方式，所述環(huán)狀電路板為至少一個，當(dāng)所述環(huán)狀電路板為至少兩個時，至少兩個環(huán)狀電路板呈套娃式排列，且至少兩個環(huán)狀電路板之間具有間隔。

7、作為一種可實(shí)施方式，還包括：

8、位于所述環(huán)狀電路板另一端的第二轉(zhuǎn)接板，所述第二轉(zhuǎn)接板表面具有第二芯片或/和貼片天線；

9、所述環(huán)狀電路板還包括第二管腳和第二金屬線路，所述第二管腳和所述第二金屬線路位于所述環(huán)狀介質(zhì)層中，所述第二金屬線路連接所述第一芯片和相應(yīng)的第二管腳，所述環(huán)狀介質(zhì)層的另一端具有第二端面，所述第二管腳暴露于所述第二端面，所述第二轉(zhuǎn)接板面向所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面具有和所述第二管腳相對應(yīng)的第二焊盤，所述第二焊盤和對應(yīng)的第二管腳相連接，實(shí)現(xiàn)所述第二芯片或/和所述貼片天線電連接于所述環(huán)狀電路板。

10、作為一種可實(shí)施方式，所述環(huán)狀電路板內(nèi)部的第一轉(zhuǎn)接板和第二轉(zhuǎn)接板之間填充有介質(zhì)材料。

11、作為一種可實(shí)施方式，所述第二轉(zhuǎn)接板具有至少一層第二重布線層，所述第二轉(zhuǎn)接板表面為所述第二轉(zhuǎn)接板遠(yuǎn)離所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面和/或所述第二轉(zhuǎn)接板面向所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面。

12、作為一種可實(shí)施方式，所述第一轉(zhuǎn)接板面向所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面還具有第三芯片，且所述第三芯片位于所述環(huán)狀電路板的內(nèi)部。

13、作為一種可實(shí)施方式，所述電路板還包括第四金屬線路，所述第四金屬線路連接部分所述第一管腳和部分所述第二管腳。

14、作為一種可實(shí)施方式，還包括：

15、金屬屏蔽罩，所述金屬屏蔽罩位于所述第一轉(zhuǎn)接板表面，所述金屬屏蔽罩用于罩設(shè)所述環(huán)狀電路板的外側(cè)以實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽。

16、作為一種可實(shí)施方式，所述第一轉(zhuǎn)接板具有至少一層第一重布線層，所述第一轉(zhuǎn)接板遠(yuǎn)離所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面用于設(shè)置焊球。

17、作為一種可實(shí)施方式，所述第二轉(zhuǎn)接板遠(yuǎn)離所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面設(shè)置有焊球，所述焊球通過第二重布線層與所述第二轉(zhuǎn)接板面向所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面電連接。

18、作為一種可實(shí)施方式，所述第一芯片為至少一個，所述環(huán)狀介質(zhì)層表面包括所述環(huán)狀介質(zhì)層的內(nèi)側(cè)面和所述環(huán)狀介質(zhì)層的外側(cè)面，至少一個第一芯片位于所述環(huán)狀介質(zhì)層的內(nèi)側(cè)面或/和所述環(huán)狀介質(zhì)層的外側(cè)面。

19、作為一種可實(shí)施方式，所述環(huán)狀介質(zhì)層通過金屬層連接形成環(huán)狀電路板。

20、作為一種可實(shí)施方式，所述環(huán)狀電路板為方形環(huán)狀電路板，且所述方形環(huán)狀電路板的側(cè)面棱邊為圓弧狀。

21、相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

22、提供電路板，所述電路板包括介質(zhì)層、位于所述介質(zhì)層表面的第一芯片和位于所述介質(zhì)層中的第一管腳、第一金屬線路，所述第一金屬線路連接所述第一芯片和相應(yīng)的第一管腳，所述介質(zhì)層的一端具有第一端面，所述第一管腳暴露于所述第一端面；

23、將所述介質(zhì)層彎折形成環(huán)狀介質(zhì)層，得到環(huán)狀電路板；

24、提供第一轉(zhuǎn)接板，將所述第一轉(zhuǎn)接板設(shè)于所述環(huán)狀電路板的一端，用于將所述環(huán)狀電路板和外部結(jié)構(gòu)電連接；其中，所述第一轉(zhuǎn)接板面向所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面具有和所述第一管腳相對應(yīng)的第一焊盤，所述第一焊盤和對應(yīng)的第一管腳相連接，實(shí)現(xiàn)所述第一轉(zhuǎn)接板和所述環(huán)狀電路板電連接。

25、作為一種可實(shí)施方式，?在形成環(huán)狀電路板的過程中，包括形成至少一個環(huán)狀電路板，其中，當(dāng)所述環(huán)狀電路板為至少兩個時，在得到至少兩個環(huán)狀電路板的步驟之后，還包括：

26、將至少兩個環(huán)狀電路板呈套娃式排列設(shè)于所述第一轉(zhuǎn)接板表面，且至少兩個環(huán)狀電路板之間具有間隔。

27、作為一種可實(shí)施方式，?所述電路板還包括第二管腳和第二金屬線路，所述第二管腳和所述第二金屬線路位于所述介質(zhì)層中，所述第二金屬線路連接所述第一芯片和相應(yīng)的第二管腳，所述介質(zhì)層的另一端具有第二端面，所述第二管腳暴露于所述第二端面；

28、將所述第一轉(zhuǎn)接板設(shè)于所述環(huán)狀電路板的一端的步驟之后還包括：

29、提供第二轉(zhuǎn)接板，所述第二轉(zhuǎn)接板表面具有第二芯片或/和貼片天線，將所述第二轉(zhuǎn)接板設(shè)于所述環(huán)狀電路板另一端，使得所述第二芯片或/和貼片天線電連接于所述環(huán)狀電路板；其中，所述第二轉(zhuǎn)接板面向所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面具有和所述第二管腳相對應(yīng)的第二焊盤，所述第二焊盤和對應(yīng)的第二管腳相連接，實(shí)現(xiàn)所述第二轉(zhuǎn)接板和所述環(huán)狀電路板電連接。

30、作為一種可實(shí)施方式，在將第二轉(zhuǎn)接板設(shè)于所述環(huán)狀電路板另一端的步驟之后還包括：

31、在所述第一轉(zhuǎn)接板表面形成金屬屏蔽罩，所述金屬屏蔽罩用于罩設(shè)所述環(huán)狀電路板的外側(cè)以實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽。

32、作為一種可實(shí)施方式，所述第二轉(zhuǎn)接板具有至少一層第二重布線層，所述第二轉(zhuǎn)接板表面為所述第二轉(zhuǎn)接板遠(yuǎn)離所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面和/或所述第二轉(zhuǎn)接板面向所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面。

33、作為一種可實(shí)施方式，在將所述第一轉(zhuǎn)接板設(shè)于所述環(huán)狀電路板的一端的步驟之后，還包括：

34、將介質(zhì)材料填充于所述環(huán)狀電路板內(nèi)部的第一轉(zhuǎn)接板表面。

35、作為一種可實(shí)施方式，?在將第二轉(zhuǎn)接板設(shè)于所述環(huán)狀電路板另一端的步驟之后還包括：

36、在所述第一轉(zhuǎn)接板遠(yuǎn)離所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面形成焊球。

37、作為一種可實(shí)施方式，所述第一轉(zhuǎn)接板面向所述環(huán)狀電路板的一側(cè)表面還具有第三芯片，且所述第三芯片位于所述環(huán)狀電路板的內(nèi)部。

38、作為一種可實(shí)施方式，將所述介質(zhì)層環(huán)繞形成環(huán)狀介質(zhì)層，得到環(huán)狀電路板的步驟包括：

39、在所述介質(zhì)層兩側(cè)邊形成金屬層；

40、將所述介質(zhì)層彎折得到環(huán)狀介質(zhì)層，將環(huán)狀介質(zhì)層通過金屬層連接形成環(huán)狀電路板。

41、作為一種可實(shí)施方式，所述第一轉(zhuǎn)接板具有至少一層第一重布線層。

42、作為一種可實(shí)施方式，所述第一芯片為至少一個，所述環(huán)狀介質(zhì)層表面包括所述環(huán)狀介質(zhì)層的內(nèi)側(cè)面和所述環(huán)狀介質(zhì)層的外側(cè)面，至少一個第一芯片位于所述環(huán)狀介質(zhì)層的內(nèi)側(cè)面或/和所述環(huán)狀介質(zhì)層的外側(cè)面。

43、作為一種可實(shí)施方式，所述環(huán)狀電路板為方形環(huán)狀電路板，且所述方形環(huán)狀電路板的側(cè)面棱邊為圓弧狀。

44、本發(fā)明的有益效果：

45、本發(fā)明提供了一種封裝結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的制備方法，通過提供環(huán)狀電路板；將第一轉(zhuǎn)接板設(shè)于所述環(huán)狀電路板一端，通過所述第一轉(zhuǎn)接板將所述環(huán)狀電路板和外部結(jié)構(gòu)電連接；所述環(huán)狀電路板包括環(huán)狀介質(zhì)層、位于所述環(huán)狀介質(zhì)層表面的第一芯片和位于所述環(huán)狀介質(zhì)層中的第一管腳、第一金屬線路，所述第一金屬線路連接所述第一芯片和相應(yīng)的第一管腳，所述環(huán)狀介質(zhì)層的一端具有第一端面，所述第一管腳暴露于所述第一端面，所述第一轉(zhuǎn)接板面向所述環(huán)狀電路板的一側(cè)具有和所述第一管腳相對應(yīng)的第一焊盤，所述第一焊盤和對應(yīng)的第一管腳相連接，實(shí)現(xiàn)所述第一轉(zhuǎn)接板和所述環(huán)狀電路板電連接。本發(fā)明充分利用布線空間，使得走線不僅可以在xy平面上進(jìn)行，還可以利用z方向的空間形成環(huán)狀電路板，這樣大大增加了走線密度，使得單個封裝體能集成更多的芯片。

46、本發(fā)明通過環(huán)狀電路板可以實(shí)現(xiàn)第一芯片在環(huán)狀電路板的雙面貼裝，使得可以提高表面積和空間的利用率，實(shí)現(xiàn)更多的芯片集成。

47、本發(fā)明通過將至少兩個環(huán)狀電路板呈套娃式排列，使得進(jìn)一步提高表面積和空間的利用率，實(shí)現(xiàn)更多的芯片集成。

48、本發(fā)明通過將第二轉(zhuǎn)接板設(shè)于環(huán)狀電路板的另一端，使得進(jìn)一步提高表面積和空間的利用率，實(shí)現(xiàn)更多的芯片集成。

49、本發(fā)明提供的第一轉(zhuǎn)接板和第二轉(zhuǎn)接板不僅僅充當(dāng)中介層的作用，還可靈活改造成有源電路板，并根據(jù)外部接口設(shè)計不同的引腳方式。