本公開涉及顯示。更具體地，涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著oled(有機(jī)發(fā)光二極管)顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，其在高清晰度、高色彩飽和度以及低功耗等方面的優(yōu)勢使得其在智能手機(jī)、平板電腦、電視及可穿戴設(shè)備等消費(fèi)電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，在oled的生產(chǎn)過程中，信賴性問題一直是制約其產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量的關(guān)鍵因素之一。

2、眾多信賴性問題中，由面內(nèi)particle(簡稱pt)引起的顯示區(qū)黑斑(growing?darkspot，簡稱gds)問題尤為突出，特別是面板膜層厚度方向上的豎直pt，其會嚴(yán)重影響后續(xù)封裝工藝中封裝層的成膜質(zhì)量和完整性，進(jìn)而導(dǎo)致面板出現(xiàn)gds問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的目的在于提供一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置，以解決相關(guān)技術(shù)中面內(nèi)particle導(dǎo)致的黑斑問題。

2、為達(dá)到上述目的，本公開采用下述技術(shù)方案：

3、本公開第一方面提供了一種顯示面板，包括：襯底基板、在所述襯底基板上依次層疊設(shè)置的驅(qū)動電路層、像素界定層、發(fā)光功能層、封裝層、第一阻擋層以及觸控層，所述像素界定層限定出多個間隔設(shè)置的像素開口，至少兩個相鄰的像素開口之間設(shè)置有隔離柱，所述封裝層包括依次層疊設(shè)置的第一無機(jī)封裝層、有機(jī)封裝層以及第二無機(jī)封裝層，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影至少覆蓋所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影，所述第一阻擋層的刻蝕速率小于所述第二無機(jī)封裝層的刻蝕速率。

4、可選的，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第二無機(jī)封裝層在所述襯底基板上的正投影。

5、可選的，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影，且與所述像素開口在所述襯底基板上的正投影不交疊。

6、可選的，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影與所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影重疊。

7、可選的，所述第一無機(jī)封裝層的材料為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，第二無機(jī)封裝層的材料為氮化硅或氧化硅，所述第一阻擋層的材料為氮氧化硅。

8、可選的，所述觸控層包括依次層疊設(shè)置的第二阻擋層、第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層以及保護(hù)層；或所述觸控層包括依次層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層以及保護(hù)層。

9、可選的，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影與所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影重疊，所述觸控層包括依次層疊設(shè)置的第二阻擋層、第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層以及保護(hù)層，所述絕緣層包括位于第一區(qū)域的第一絕緣層和位于第一區(qū)域以外第二區(qū)域的第二絕緣層，所述第一絕緣層的厚度大于所述第二絕緣層的厚度，其中所述第一區(qū)域在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影，且與所述像素開口在所述襯底基板上的正投影不交疊。

10、本公開第二方面提供了一種顯示面板的制備方法，包括以下步驟：

11、提供襯底基板；

12、在所述襯底基板上依次制備驅(qū)動電路層、像素界定層、發(fā)光功能層、封裝層、第一阻擋層以及觸控層，所述像素界定層限定出多個間隔設(shè)置的像素開口，至少兩個相鄰的像素開口之間設(shè)置有隔離柱，所述封裝層包括依次層疊設(shè)置的第一無機(jī)封裝層、有機(jī)封裝層以及第二無機(jī)封裝層，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影至少覆蓋所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影，所述第一阻擋層的刻蝕速率小于所述第二無機(jī)封裝層的刻蝕速率。

13、可選的，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影與所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影重疊，所述觸控層包括依次層疊設(shè)置的第二阻擋層、第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層以及保護(hù)層，所述絕緣層包括位于第一區(qū)域的第一絕緣層和位于第一區(qū)域以外第二區(qū)域的第二絕緣層，所述第一絕緣層的厚度大于所述第二絕緣層的厚度；

14、其中，所述絕緣層的制備過程包括：

15、在所述第一導(dǎo)電層上沉積一層無機(jī)薄膜層；

16、在所述無機(jī)薄膜層表面涂布一層光刻膠層；

17、利用掩模版對所述光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影，所述掩膜版包括第一區(qū)域和第一區(qū)域以外的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的透過率小于所述第二區(qū)域的透過率，所述第一區(qū)域在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影，且與所述像素開口在所述襯底基板上的正投影不交疊；

18、對曝光和顯影后的無機(jī)薄膜層進(jìn)行刻蝕和去膠處理得到所述絕緣層。本公開第三方面提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示面板。

19、本公開的有益效果如下：

20、本公開實(shí)施例的顯示面板，通過在第二無機(jī)封裝層與觸控層之間設(shè)置第一阻擋層，第一阻擋層在襯底基板上正投影覆蓋隔離柱在襯底基板上的正投影，并設(shè)置第一阻擋層的刻蝕速率小于第二無機(jī)封裝層的刻蝕速率，在后續(xù)制備觸控層的刻蝕過程中，第一阻擋層可以為h-z?pt位置處的封裝層提供保護(hù)，避免h-z?pt位置處的封裝層被過刻蝕而導(dǎo)致整個封裝層失效，有效改善了gds不良問題。

技術(shù)特征：

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：襯底基板、在所述襯底基板上依次層疊設(shè)置的驅(qū)動電路層、像素界定層、發(fā)光功能層、封裝層、第一阻擋層以及觸控層，所述像素界定層限定出多個間隔設(shè)置的像素開口，至少兩個相鄰的像素開口之間設(shè)置有隔離柱，所述封裝層包括依次層疊設(shè)置的第一無機(jī)封裝層、有機(jī)封裝層以及第二無機(jī)封裝層，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影至少覆蓋所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影，所述第一阻擋層的刻蝕速率小于所述第二無機(jī)封裝層的刻蝕速率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第二無機(jī)封裝層在所述襯底基板上的正投影。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影，且與所述像素開口在所述襯底基板上的正投影不交疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影與所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影重疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的顯示面板，其特征在于，所述第一無機(jī)封裝層的材料為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，第二無機(jī)封裝層的材料為氮化硅或氧化硅，所述第一阻擋層的材料為氮氧化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的顯示面板，其特征在于，所述觸控層包括依次層疊設(shè)置的第二阻擋層、第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層以及保護(hù)層；或所述觸控層包括依次層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層以及保護(hù)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影與所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影重疊，所述觸控層包括依次層疊設(shè)置的第二阻擋層、第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層以及保護(hù)層，所述絕緣層包括位于第一區(qū)域的第一絕緣層和位于第一區(qū)域以外第二區(qū)域的第二絕緣層，所述第一絕緣層的厚度大于所述第二絕緣層的厚度，其中所述第一區(qū)域在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影，且與所述像素開口在所述襯底基板上的正投影不交疊。

8.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影與所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影重疊，所述觸控層包括依次層疊設(shè)置的第二阻擋層、第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層以及保護(hù)層，所述絕緣層包括位于第一區(qū)域的第一絕緣層和位于第一區(qū)域以外第二區(qū)域的第二絕緣層，所述第一絕緣層的厚度大于所述第二絕緣層的厚度；

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的顯示面板。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置，顯示面板包括襯底基板、在所述襯底基板上依次層疊設(shè)置的驅(qū)動電路層、像素界定層、發(fā)光功能層、封裝層、第一阻擋層以及觸控層，所述像素界定層限定出多個間隔設(shè)置的像素開口，至少兩個相鄰的像素開口之間設(shè)置有隔離柱，所述封裝層包括依次層疊設(shè)置的第一無機(jī)封裝層、有機(jī)封裝層以及第二無機(jī)封裝層，所述第一阻擋層在所述襯底基板上的正投影至少覆蓋所述隔離柱在所述襯底基板上的正投影，所述第一阻擋層的刻蝕速率小于所述第二無機(jī)封裝層的刻蝕速率。

技術(shù)研發(fā)人員：徐劍云,俞瑀,張禮廳,談耀宏,蔣龍瓊,蔣冬梅,孫文,李旭偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6