本公開涉及顯示裝置，尤其涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)發(fā)光二極管(oled，organic?light-emittingdiode)是一種有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件，其因具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、功耗小、亮度高、視角寬、對(duì)比度高及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，而受到人們極大的關(guān)注并在電子顯示產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用。

2、然而，當(dāng)前的電子顯示產(chǎn)品限于自身結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，在對(duì)顯示面板進(jìn)行封裝的過程中，極易容易出現(xiàn)封裝失效的現(xiàn)象，如此嚴(yán)重影響了顯示面板的封裝可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開的目的在于提出一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置，該顯示面板具有良好封裝性能。

2、基于上述目的，本公開第一方面一種顯示面板，該顯示面板包括：

3、基板；

4、隔離結(jié)構(gòu)，位于所述基板的一側(cè)，所述隔離結(jié)構(gòu)限定出多個(gè)第一開口，所述隔離結(jié)構(gòu)包括第一端部和第二端部，所述第二端部位于所述第一端部背離所述基板的一側(cè)，所述第一端部在所述基板上的正投影位于所述第二端部在所述基板上的正投影內(nèi)，所述第一端部與所述第二端部抵接的端面的側(cè)部配置有凹陷部；

5、發(fā)光單元，至少部分所述發(fā)光單元位于所述第一開口內(nèi)；

6、第一封裝層，位于所述發(fā)光單元遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述第一封裝層覆蓋所述發(fā)光單元及部分所述隔離結(jié)構(gòu)。

7、在一實(shí)施方式中，所述第一端部包括至少三層隔離層，沿遠(yuǎn)離所述基板的方向，所述至少三層隔離層包括依次層疊的第一隔離層、第二隔離層及第三隔離層，所述第三隔離層在所述基板上的正投影位于所述第二隔離層在所述基板的正投影內(nèi)，所述第二隔離層在所述基板上的正投影位于所述第一隔離層在所述基板的正投影內(nèi)，所述第一封裝層配置有凸出部，所述凸出部位于所述第一端部與所述第二端部抵接端面的側(cè)部。

8、在一實(shí)施方式中，所述至少三層隔離層的材料均為導(dǎo)電材料；

9、所述第二隔離層與第一隔離層和第三隔離層的材料均不相同，所述第一隔離層與所述第三隔離層的材料相同或不同；

10、優(yōu)選地，基于相同刻蝕條件下，所述第二隔離層刻蝕速度小于所述第三隔離層的刻蝕速度；

11、優(yōu)選地，所述第三隔離層的材料包括鉬，所述第二隔離層的材料包括鋁，所述第一隔離層的材料包括鉬。

12、在一實(shí)施方式中，所述第一封裝層包括凸出部，所述凸出部位于所述凹陷部?jī)?nèi)，所述凸出部的形狀與所述凹陷部的形狀相適配。

13、所述第一端部與所述第二端部抵接的端面的側(cè)部配置有凹陷部，所述凸出部位于所述凹陷部?jī)?nèi)，所述凹陷部的形狀與所述凸出部形狀相適配；

14、在一實(shí)施方式中，所述發(fā)光單元包括第一子像素和第二子像，所述第一子像素和所述第二子像素出射的光波不同；

15、所述凹陷部包括與所述第一子像素對(duì)應(yīng)的第一凹陷部及與所述第二子像素對(duì)應(yīng)的第二凹陷部，沿平行于基板所在面的方向上，所述第二凹陷部的長(zhǎng)度大于所述第一凹陷部的長(zhǎng)度；

16、所述凸出部包括與所述第一子像素對(duì)應(yīng)的第一突出部及與所述第二子像素對(duì)應(yīng)的第二突出部，沿平行于基板所在面的方向上，所述第二突出部的長(zhǎng)度大于所述第一突出部的長(zhǎng)度。

17、在一實(shí)施方式中，所述發(fā)光單元還包括設(shè)置于所述第一開口內(nèi)的第三子像素，所述第三子像素出射的光波與所述第一子像素、所述第二子像出射的光波均不同；所述凹陷部還包括與所述第三子像素對(duì)應(yīng)的第三凹陷部；沿平行于基板所在面的方向上，所述第三凹陷部的長(zhǎng)度大于所述第二凹陷部的長(zhǎng)度大于所述第一凹陷部的長(zhǎng)度；

18、所述突出部還包括與所述第三子像素對(duì)應(yīng)的第三突出部；沿平行于基板所在面的方向上，所述第三突出部的長(zhǎng)度大于所述第二突出部的長(zhǎng)度大于所述第一突出部的長(zhǎng)度。

19、在一實(shí)施方式中，每個(gè)所述子像素包括依次層疊設(shè)置于所述基板上的第一電極、發(fā)光功能層及第二電極，所述第二電極與所述第一端部電連接。

20、在一實(shí)施方式中，所述發(fā)光單元還包括像素限定層，所述像素限定層位于所述像素限定層位于隔離結(jié)構(gòu)靠近基板的一側(cè)，所述像素限定層具有多個(gè)與所述第一開口對(duì)應(yīng)且連通的像素開口，所述像素開口在所述基板上的正投影位于所述第一開口在所述基板上的正投影內(nèi)。

21、本公開第二方面提供一種顯示面板的制備方法，該制備方法包括如下步驟：

22、提供基板；

23、在所述基板的一側(cè)形成隔離結(jié)構(gòu)，包括：

24、在所述基板的一側(cè)形成第一端部和第二端部，所述隔離結(jié)構(gòu)限定多個(gè)第一開口，所述第二端部位于所述第一端部背離所述基板的一側(cè)，所述第一端部在所述基板上的正投影位于所述第二端部在所述基板上的正投影內(nèi)，所述第一端部與所述第二端部抵接的端面的側(cè)部配置有凹陷部；

25、在所述基板的一側(cè)形成發(fā)光單元，至少部分所述發(fā)光單元位于所述第一開口內(nèi)；

26、在發(fā)光單元遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成第一封裝層，所述第一封裝層覆蓋所述發(fā)光單元及部分隔離結(jié)構(gòu)。

27、在一實(shí)施方式中，所述在所述基板的一側(cè)形成第一端部和第二端部的步驟具體包括：

28、在所述基板的一側(cè)形成第一隔離材料層；

29、在所述第一隔離材料層背離所述基板的一側(cè)形成第二隔離材料層；

30、對(duì)所述第一隔離材料層和所述第二隔離材料層進(jìn)行圖案化處理，以形成所述第一端部和所述第二端部。

31、在一實(shí)施方式中，所述在所述基板的一側(cè)形成第一隔離材料層的步驟具體包括：

32、在所述基板的一側(cè)依次形成第一子隔離材料層、第二子隔離材料層和第三子隔離材料層；

33、所述對(duì)第一隔離材料層和所述第二隔離材料層進(jìn)行圖案化處理的步驟包括：

34、對(duì)所述第一子隔離材料層、所述第二子隔離材料層、所述第三子隔離材料層和所述第二隔離材料層進(jìn)行圖案化處理，形成第一隔離層、第二隔離層、第三隔離層和所述第二端部，其包括：

35、在所述第二隔離材料層背離所述第三子隔離材料層的一側(cè)上涂覆有機(jī)層；

36、對(duì)所述有機(jī)層圖案化，形成有機(jī)層圖案，所述有機(jī)層圖案覆蓋部分所述第一隔離材料層；

37、利用第一刻蝕工藝對(duì)未被所述有機(jī)層圖案覆蓋的所述第二隔離材料層、所述第三子隔離材料層以及部分所述第二子隔離材料層進(jìn)行刻蝕，以形成所述第二端部；

38、利用第二刻蝕工藝對(duì)被所述有機(jī)層圖案覆蓋的所述第三子隔離材料層、所述第二子隔離材料層和所述第一子隔離材料層，及未被所述有機(jī)層覆蓋的所述第二子隔離材料層和所述第一子隔離材料層進(jìn)行刻蝕，以形成所述第一端部，其中，所述第二子隔離材料層刻蝕速度小于所述第三子隔離材料層的刻蝕速度；

39、優(yōu)選地，所述第一刻蝕工藝包括干法刻蝕工藝，所述第二刻蝕工藝包括濕法刻蝕工藝。

40、在一實(shí)施方式中，所述在所述基板的一側(cè)形成發(fā)光單元的步驟包括：

41、在所述基板的一側(cè)形成第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像和第三子像素的出射光波不同；

42、優(yōu)選地，所述在所述發(fā)光單元遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)形成第一封裝層的步驟具體包括：

43、在所述第一子像素背離基板的一側(cè)形成所述第一子像素對(duì)應(yīng)的所述第一封裝層；

44、在所述第二子像素背離基板的一側(cè)形成所述第二子像素對(duì)應(yīng)的所述第一封裝層；

45、在所述第三子像素背離基板的一側(cè)形成所述第三子像素對(duì)應(yīng)的所述第一封裝層。

46、本公開第三方面提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述任意一項(xiàng)所述的顯示面板。

47、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本公開提供的顯示面板，通過在第一端部與第二端部抵接的端面的側(cè)部配置有凹陷部，增大第一封裝層在側(cè)邊的封裝距離，尤其增大第一端部與第二端部搭接處的第一封裝層的長(zhǎng)度，從而改善顯示面板的封裝性能。