本申請(qǐng)涉及顯示，特別是涉及一種光電探測(cè)器及其制備方法、電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、光電探測(cè)器是一種基于光生伏特效應(yīng)，將光轉(zhuǎn)變?yōu)殡姷墓怆娹D(zhuǎn)換器件。光電探測(cè)器具有響應(yīng)速度快、靈敏度高和線性范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，在通信、光電測(cè)量和醫(yī)療等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

2、為了提高光電探測(cè)器的性能，亟需對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)主要提供一種光電探測(cè)器及其制備方法、電子設(shè)備，可以提高光電探測(cè)器的性能。

2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)采用的技術(shù)方案是：提供一種光電探測(cè)器，包括：襯底；第一電極，設(shè)置在所述襯底一側(cè)；第一平坦化層，設(shè)置在所述第一電極背離所述襯底一側(cè)，所述第一平坦化層開(kāi)設(shè)有開(kāi)口，所述第一電極的至少部分自所述開(kāi)口中露出；光電轉(zhuǎn)換層，至少部分設(shè)置在所述開(kāi)口中，其中，在與所述襯底平行的方向上，距離所述開(kāi)口側(cè)壁預(yù)設(shè)距離內(nèi)的所述光電轉(zhuǎn)換層形成鈍化區(qū)域；第二電極，設(shè)置在所述光電轉(zhuǎn)換層背離所述襯底一側(cè)。

3、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種電子設(shè)備，其包括上述實(shí)施例中的光電探測(cè)器。

4、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)采用的另一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種光電探測(cè)器的制備方法，該方法包括：在襯底一側(cè)形成第一電極；在所述第一電極背離所述襯底一側(cè)依次形成整面的第一平坦化層以及整面的第三平坦化層；形成貫通所述第一平坦化層以及所述第三平坦化層的開(kāi)口，以裸露所述第一電極的至少部分；在所述第一電極背離所述襯底一側(cè)形成整面的光電轉(zhuǎn)換層；將所述第三平坦化層與所述第一平坦化層剝離，并去除所述第三平坦化層；在剩余的所述光電轉(zhuǎn)換層背離所述襯底一側(cè)的表面形成第二電極。

5、本申請(qǐng)的有益效果是：本申請(qǐng)中光電轉(zhuǎn)換層朝向開(kāi)口側(cè)壁的表面形成鈍化區(qū)域，能夠阻斷漏電通道，提升光電探測(cè)器的性能。

技術(shù)特征：

1.一種光電探測(cè)器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述光電轉(zhuǎn)換層與所述開(kāi)口側(cè)壁之間形成有間隙；所述光電探測(cè)器進(jìn)一步包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)器，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電探測(cè)器，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電探測(cè)器，其特征在于，所述光電探測(cè)器進(jìn)一步包括：

6.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的光電探測(cè)器。

7.一種光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種光電探測(cè)器及其制備方法、電子設(shè)備，光電探測(cè)器包括襯底、第一電極、第一平坦化層、光電轉(zhuǎn)換層和第二電極，其中，第一電極設(shè)置在襯底一側(cè)；第一平坦化層設(shè)置在第一電極背離襯底一側(cè)，第一平坦化層設(shè)有開(kāi)口，第一電極的至少部分自開(kāi)口中露出；光電轉(zhuǎn)換層的至少部分設(shè)置在開(kāi)口中，其中，在與襯底平行的方向上，距離開(kāi)口側(cè)壁預(yù)設(shè)距離內(nèi)的光電轉(zhuǎn)換層形成鈍化區(qū)域，第二電極設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換層背離襯底一側(cè)。本申請(qǐng)中通過(guò)對(duì)光電轉(zhuǎn)換層側(cè)壁進(jìn)行鈍化處理，形成鈍化層，能夠阻斷漏電通道，提升光電探測(cè)器的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：李田生,王孟月
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥維信諾科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9