本發(fā)明屬于集成電路制造，具體涉及一種閃存及其制作方法。

背景技術(shù)：

1、閃存作為一種集成電路存儲(chǔ)器件，由于其具有電可擦寫存儲(chǔ)信息的功能，而且斷電后存儲(chǔ)的信息不會(huì)丟失，因而被廣泛應(yīng)用于如便攜式電腦、手機(jī)、數(shù)碼音樂播放器等電子產(chǎn)品中。

2、隨著閃存單元面積的不斷縮小，字線底部的關(guān)鍵尺寸也相應(yīng)的在縮小。字線底部的關(guān)鍵尺寸的縮小使得字線關(guān)斷能力隨之變?nèi)?，從而?dǎo)致編程相關(guān)的失效增加。編程失效例如芯片在進(jìn)行編程操作后的讀取電流過(guò)高而達(dá)不到狀態(tài)“0”的判定標(biāo)準(zhǔn)所引起的失效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種閃存及其制作方法，本發(fā)明的閃存結(jié)構(gòu)通過(guò)增加字線底部襯底硅的刻蝕，形成溝槽，亦即形成字線溝道，增加字線溝道長(zhǎng)度，從而提升字線關(guān)斷能力。在不增加器件面積的情況下，通過(guò)襯底硅的刻蝕量，調(diào)節(jié)字線的關(guān)斷能力。

2、本發(fā)明提供一種閃存的制作方法，包括：

3、提供襯底，在所述襯底上依次形成堆疊的介質(zhì)層、浮柵層、層間絕緣層、控制柵層和具有開孔的犧牲層，在所述開孔內(nèi)的所述控制柵層表面形成第一側(cè)墻；沿著所述第一側(cè)墻之間的間隔刻蝕所述控制柵層和所述層間絕緣層直至露出所述浮柵層表面；形成第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻覆蓋所述層間絕緣層、所述控制柵層和所述第一側(cè)墻的側(cè)壁；沿著所述第二側(cè)墻刻蝕所述浮柵層和所述介質(zhì)層，露出所述襯底；

4、形成第三側(cè)墻，所述第三側(cè)墻至少覆蓋所述浮柵層的側(cè)壁；

5、刻蝕所述第三側(cè)墻暴露出的所述襯底，形成溝槽；去除所述第三側(cè)墻；

6、形成字線氧化層，所述字線氧化層覆蓋所述溝槽表面、所述介質(zhì)層和所述浮柵層的側(cè)壁表面、所述第二側(cè)墻和所述第一側(cè)墻側(cè)壁表面；

7、采用多晶硅填充所述字線氧化層圍成的空間，形成字線。

8、進(jìn)一步的，所述溝槽的形狀包括：半圓形、倒梯形以及u形中的一種。

9、進(jìn)一步的，所述第三側(cè)墻的材料包括：氧化層；形成所述第三側(cè)墻的工藝包括：等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積或者低壓化學(xué)氣相淀積。

10、進(jìn)一步的，形成所述溝槽的工藝包括：濕法刻蝕或者干法刻蝕。

11、進(jìn)一步的，所述字線氧化層的材料包括：氧化硅；形成所述字線氧化層的工藝包括：等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積或者低壓化學(xué)氣相淀積。

12、進(jìn)一步的，形成所述字線之后，所述制作方法還包括：

13、刻蝕去除所述犧牲層，以所述第一側(cè)墻為參考依次干法刻蝕所述犧牲層暴露出的所述控制柵層、所述層間絕緣層、所述浮柵層和所述介質(zhì)層，刻蝕后所述控制柵層形成兩個(gè)分離的控制柵，所述浮柵層形成兩個(gè)分離的浮柵。

14、進(jìn)一步的，所述犧牲層的材質(zhì)包括：氮化硅、氮氧化硅或高k材料，所述犧牲層的形成方法包括：原子層沉積、化學(xué)氣相淀積以及等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積工藝中的一種。

15、本發(fā)明還提供一種閃存，包括：

16、襯底，所述襯底上位于開口兩側(cè)依次形成有堆疊的介質(zhì)層、浮柵、層間絕緣層、控制柵和第一側(cè)墻；所述開口下方的襯底中形成有溝槽；

17、第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻覆蓋所述開口中的所述層間絕緣層、所述控制柵和所述第一側(cè)墻的側(cè)壁；

18、字線氧化層，所述字線氧化層覆蓋所述溝槽表面、所述介質(zhì)層和所述浮柵的側(cè)壁表面、所述第二側(cè)墻和所述第一側(cè)墻的側(cè)壁表面；

19、字線，所述字線填充所述字線氧化層圍成的空間。

20、進(jìn)一步的，所述層間絕緣層包括：二氧化硅層-氮化硅層-二氧化硅層的疊層結(jié)構(gòu)。

21、進(jìn)一步的，所述浮柵、所述控制柵和所述字線的材質(zhì)均為多晶硅。

22、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：

23、本發(fā)明提供一種閃存及其制作方法，制作方法：包括：提供襯底，在襯底上依次形成堆疊的介質(zhì)層、浮柵層、層間絕緣層、控制柵層和具有開孔的犧牲層，在開孔內(nèi)的所述犧牲層側(cè)壁形成第一側(cè)墻；沿著第一側(cè)墻之間的間隔刻蝕控制柵層和層間絕緣層直至露出浮柵層表面；形成第二側(cè)墻，第二側(cè)墻覆蓋層間絕緣層、控制柵層和第一側(cè)墻的側(cè)壁；沿著第二側(cè)墻刻蝕浮柵層和介質(zhì)層，露出襯底；形成第三側(cè)墻，第三側(cè)墻至少覆蓋浮柵層的側(cè)壁；刻蝕第三側(cè)墻暴露出的襯底，形成溝槽；去除第三側(cè)墻；形成字線氧化層，字線氧化層覆蓋溝槽表面、介質(zhì)層和浮柵層的側(cè)壁表面、第二側(cè)墻和第一側(cè)墻側(cè)壁表面；采用多晶硅填充字線氧化層圍成的空間，形成字線。本發(fā)明的閃存結(jié)構(gòu)通過(guò)增加字線底部襯底硅的刻蝕，形成溝槽，亦即形成字線溝道，增加字線溝道長(zhǎng)度，從而提升字線關(guān)斷能力。在不增加器件面積的情況下，通過(guò)襯底硅的刻蝕量，調(diào)節(jié)字線的關(guān)斷能力。

技術(shù)特征：

1.一種閃存的制作方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，

3.如權(quán)利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，

4.如權(quán)利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，

5.如權(quán)利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，

6.如權(quán)利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，

7.如權(quán)利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，

8.一種閃存，其特征在于，包括：

9.如權(quán)利要求8所述的閃存，其特征在于，

10.如權(quán)利要求8所述的閃存，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種閃存及其制作方法，包括：提供襯底，在襯底上依次形成介質(zhì)層、浮柵層、層間絕緣層、控制柵層和犧牲層，在開孔內(nèi)的犧牲層側(cè)壁形成第一側(cè)墻；刻蝕控制柵層和層間絕緣層直至露出浮柵層；形成的第二側(cè)墻覆蓋層間絕緣層、控制柵層和第一側(cè)墻的側(cè)壁；沿著第二側(cè)墻刻蝕浮柵層和介質(zhì)層，露出襯底；形成的第三側(cè)墻至少覆蓋浮柵層的側(cè)壁；刻蝕第三側(cè)墻暴露出的襯底，形成溝槽；字線氧化層覆蓋溝槽表面、介質(zhì)層和浮柵層的側(cè)壁、第二側(cè)墻側(cè)壁；形成字線。通過(guò)增加字線底部襯底硅的刻蝕，形成溝槽，亦即形成字線溝道，增加字線溝道長(zhǎng)度，提升字線關(guān)斷能力。在不增加器件面積的情況下，通過(guò)襯底硅的刻蝕量，調(diào)節(jié)字線的關(guān)斷能力。

技術(shù)研發(fā)人員：張連寶
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6