本發(fā)明涉及顯示，特別涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著人們對(duì)面板顯示性能的要求越來(lái)越高，一些影響面板顯示的問(wèn)題噬待解決。在tft-lcd面板中，特別是drd(double?rate?driving)長(zhǎng)短手設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，容易發(fā)生搖頭紋。搖頭紋在觀察者不動(dòng)的時(shí)候看不到，但在觀察者搖頭時(shí)就會(huì)看到，這種現(xiàn)象會(huì)影響顯示器的顯示效果。由于產(chǎn)品工藝制程會(huì)有波動(dòng)，當(dāng)制程發(fā)生偏移時(shí)這種現(xiàn)象會(huì)尤其明顯。一般針對(duì)這種制程波動(dòng)的問(wèn)題會(huì)采用cgs補(bǔ)償?shù)姆绞竭M(jìn)行改善。但對(duì)于5mask的產(chǎn)品，常規(guī)的補(bǔ)償方法無(wú)法補(bǔ)償?shù)轿?，?dǎo)致制程偏移時(shí)仍會(huì)存在比較嚴(yán)重的搖頭紋問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的是提出一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置，旨在改善5mask產(chǎn)品的搖頭紋問(wèn)題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板的制作方法包括：

3、提供一基板；

4、在所述基板上沉積第一金屬層，利用光罩圖案化所述第一金屬層以形成柵極；

5、在所述柵極上依次沉積柵極絕緣層和半導(dǎo)體層，利用光罩圖案化所述半導(dǎo)體層形成有源層；

6、在所述有源層上沉積第二金屬層后，利用光罩圖案化所述第二金屬層形成源極和漏極及像素電極；其中，

7、所述柵極具有：

8、相互連的第一柵極部和第一線連接部，以及相互連的第二柵極部和第二線連接部；

9、有源層具體包括第一有源層區(qū)、第二有源層區(qū)、第三有源層區(qū)和第四有源層區(qū)：其中，

10、所述第一有源層區(qū)與所述第一柵極部對(duì)應(yīng)設(shè)置并且交疊，第二有源層區(qū)與所述第一線連接部對(duì)應(yīng)設(shè)置并且交疊；

11、所述第三有源層區(qū)與所述第二柵極部對(duì)應(yīng)設(shè)置并且交疊，第四有源層區(qū)與所述第二線連接部對(duì)應(yīng)設(shè)置并且交疊。

12、在一實(shí)施方式中，所述第一有源層區(qū)與所述第一柵極部的交疊面積以及所述第二有源層區(qū)與所述第一線連接部的交疊面積之和記為第一交疊面積值；

13、所述第三有源層區(qū)與所述第二柵極部的交疊面積以及第四有源層區(qū)與所述第二線連接部的交疊面積之和記為第二交疊面積值；

14、所述第一交疊面積值等于所述第二交疊面積值。

15、在一實(shí)施方式中，所述利用第一道光罩圖案化所述第一金屬層以形成第一柵線的步驟中：

16、所述柵極還具有第一線部以及第二線部；

17、所述第一柵極部、所述第一線部和所述第一線連接部形成第一缺口；

18、所述第二柵極部、所述第二線部和所述第二線連接部形成第二缺口。

19、在一實(shí)施方式中，所述利用光罩圖案化所述半導(dǎo)體層形成有源層的步驟具體包括：

20、所述第一有源區(qū)與所述第二有源區(qū)間隔設(shè)置，所述第一有源區(qū)與所述第一柵極部交疊，所述第二有源區(qū)與所述第一線連接部交疊；

21、所述第三有源區(qū)和第四有源區(qū)間隔設(shè)置，所述第三有源區(qū)與所述第二柵極部交疊，所述第四有源區(qū)與所述第二線連接部交疊。

22、在一實(shí)施方式中，在所述利用光罩圖案化所述第二金屬層形成源極和漏極及像素電極的步驟中：

23、所述第一漏極靠近所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第一有源區(qū)交疊；

24、所述第一源極靠近所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第一有源區(qū)交疊；

25、所述第一源極遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第二有源區(qū)交疊；

26、所述第二漏極靠近所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第三有源區(qū)交疊；

27、所述第二源極靠近所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第三有源區(qū)交疊；

28、所述第二源極遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第四有源區(qū)交疊。

29、本發(fā)明還提出一種陣列基板，通過(guò)如上所述的陣列基板的制作方法制備得到，包括基板，所述基板上設(shè)有多個(gè)像素單元，每一像素單元包括一條數(shù)據(jù)線、第一柵極線、第二柵極線、第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中，第一柵極線和第二柵極線間隔設(shè)置，所述數(shù)據(jù)線與所述第一柵極線和所述第二柵極線交叉設(shè)置；

30、所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管分別設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線的一側(cè)并且與所述數(shù)據(jù)線連接；

31、所述第一薄膜晶體管包括第一源極、第一漏極和第一有源層，所述第一有源層與所述第一柵線交疊，所述第一源極和所述第一漏極分別與所述第一有源層至少部分交疊，

32、所述第二薄膜晶體管包括第二源極、第二漏極和第二有源層，所述第二有源層與所述第二柵線交疊，所述第二源極和所述第二漏極分別與所述第一有源層至少部分交疊；

33、所述第一源極和所述第一漏極與所述第一有源層交疊部分面積的值等于所述第二源極和所述第二漏極與所述第二有源層交疊部分面積的值。

34、在一實(shí)施方式中，所述第一有源層包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，其中，所述第一有源區(qū)與所述第二有源區(qū)間隔設(shè)置，所述第一有源區(qū)與所述第一柵極部對(duì)應(yīng)設(shè)置并且交疊，所述第二有源區(qū)與所述第一線連接部對(duì)應(yīng)設(shè)置并且交疊；

35、和/或，所述第二有源層包括第三有源區(qū)和第四有源區(qū)，其中，所述第三有源區(qū)和所述第四有源區(qū)間隔設(shè)置，所述第三有源區(qū)與所述第二柵極部對(duì)應(yīng)設(shè)置并且交疊，所述第四有源區(qū)與所述第二線連接部對(duì)應(yīng)設(shè)置并且交疊。

36、在一實(shí)施方式中，還包括第一柵極部、第一線部和第一線連接部以及第二柵極部、第二線部和第二線連接部；

37、所述第一柵極部、所述第一線部和所述第一線連接部形成第一缺口；

38、所述第一有源層與所述第一柵極部、所述第一缺口和第一線連接部交疊，與所述數(shù)據(jù)線不交疊；

39、所述第二柵極部、所述第二線部和所述第二線連接部形成第二缺口；

40、所述第二有源層與所述第二柵極部、所述第二缺口和第二線連接部交疊，與所述數(shù)據(jù)線不交疊。

41、在一實(shí)施方式中，所述第一漏極靠近所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第一有源區(qū)交疊；

42、所述第一源極靠近所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第一有源區(qū)交疊；

43、所述第一源極遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第二有源區(qū)交疊；

44、所述第二漏極靠近所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第三有源區(qū)交疊；

45、所述第二源極靠近所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第三有源區(qū)交疊；

46、所述第二源極遠(yuǎn)離所述數(shù)據(jù)線的一端與所述第四有源區(qū)交疊。

47、本發(fā)明還提出一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板。

48、本發(fā)明陣列基板的制作方法通過(guò)在提供的一基板上沉積第一金屬層，利用光罩圖案化所述第一金屬層以形成柵極；在所述柵極上依次沉積柵極絕緣層和半導(dǎo)體層，利用光罩圖案化所述半導(dǎo)體層形成有源層；在所述有源層上沉積第二金屬層后，利用光罩圖案化所述第二金屬層形成源極和漏極及像素電極；其中，所述源極和所述漏極分別與所述有源層至少部分交疊。有源區(qū)與第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的源極和漏極交疊形成補(bǔ)償寄生電容，當(dāng)制程發(fā)生偏移時(shí)，對(duì)第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的寄生電容進(jìn)行補(bǔ)償，使第一像素區(qū)和第二像素區(qū)的像素電壓跳變量δvp相同，改善抬頭紋，提高顯示質(zhì)量。