本技術(shù)涉及集成電路設(shè)計，具體涉及一種封裝基板及其信號優(yōu)化方法和相關(guān)設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、封裝基板包括多個信號傳輸通道，這些信號傳輸通道用于實現(xiàn)裸片與印刷電路板之間的信號傳輸。這些信號傳輸通道通常由信號線、信號過孔和信號焊盤構(gòu)成。但是，因為信號線、信號過孔和信號焊盤的結(jié)構(gòu)不同，所以，會存在同一信號傳輸通道中的信號線、信號過孔和信號焊盤的阻抗不同的情況，導致信號傳輸通道的阻抗不連續(xù)，影響信號傳輸通道傳輸?shù)男盘柕馁|(zhì)量。

2、雖然在進行封裝基板設(shè)計時，可以通過調(diào)整封裝基板模型中信號線、信號過孔或信號焊盤的材料和尺寸等基本項，調(diào)整封裝基板模型中信號線、信號過孔或信號焊盤的阻抗，來保證封裝基板模型中各個信號傳輸通道的阻抗連續(xù)性，但是，對于傳輸高頻信號的信號傳輸通道而言，上述阻抗調(diào)整方式還是不能保證信號傳輸通道的信號的質(zhì)量。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)公開一種封裝基板及其信號優(yōu)化方法和相關(guān)設(shè)備，以優(yōu)化封裝基板中信號傳輸通道的信號的質(zhì)量。

2、第一方面，本技術(shù)公開了一種封裝基板的信號優(yōu)化方法，包括：響應于信號優(yōu)化指令，對封裝基板的模型進行信號質(zhì)量評估，獲得信號質(zhì)量評估結(jié)果；所述封裝基板的模型是模擬待制作的封裝基板的結(jié)構(gòu)構(gòu)建的模型；所述封裝基板的模型包括多個信號傳輸通道，每個所述信號傳輸通道都包括信號線、信號過孔和信號焊盤；所述信號過孔用于實現(xiàn)不同層的所述信號線的電連接，或者實現(xiàn)所述信號線與所述信號焊盤的電連接；基于所述信號質(zhì)量評估結(jié)果，確定所述多個信號傳輸通道中的目標信號傳輸通道；所述目標信號傳輸通道為所述多個信號傳輸通道中信號質(zhì)量不滿足預設(shè)要求的信號傳輸通道；將與所述目標信號傳輸通道中的目標信號過孔相鄰的參考層的第一目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域，以通過增大所述目標信號過孔與參考層的間距，增大所述目標信號過孔的阻抗，優(yōu)化所述目標信號傳輸通道的信號的質(zhì)量，以優(yōu)化依據(jù)所述封裝基板的模型制作的封裝基板的信號的質(zhì)量；其中，所述目標信號過孔為貫穿所述封裝基板的模型的核心層的信號過孔；所述參考層為所述封裝基板的模型的多個導電層中與電源或地電連接的導電層；所述參考層的第一目標區(qū)域為所述參考層中正投影覆蓋所述目標信號過孔的區(qū)域。

3、以這種方式，可以通過增大目標信號傳輸通道中目標信號過孔與參考層的間距，增大目標信號過孔的阻抗，優(yōu)化目標信號傳輸通道的阻抗連續(xù)性，進而優(yōu)化目標信號傳輸通道的信號質(zhì)量，進而使得封裝基板模型以及依據(jù)該模型制作的封裝基板中各個信號傳輸通道的信號質(zhì)量都能夠滿足預設(shè)要求。

4、本技術(shù)一些實施例中，所述將與所述目標信號傳輸通道中的目標信號過孔相鄰的參考層的第一目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域包括：對與所述目標信號傳輸通道中的目標信號過孔相鄰的任一參考層進行第一目標區(qū)域的挖空評估，獲得挖空評估結(jié)果；所述挖空評估結(jié)果用于指示將所述參考層的第一目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域是否影響其他信號傳輸通道的信號質(zhì)量；基于所述挖空評估結(jié)果，確定是否將所述參考層的第一目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域。

5、以這種方式，可以避免將與目標信號傳輸通道中的目標信號過孔相鄰的參考層的第一目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域，影響其他信號傳輸通道的信號質(zhì)量。

6、本技術(shù)一些實施例中，所述將與所述目標信號傳輸通道中的目標信號過孔相鄰的參考層的第一目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域包括：將與所述目標信號傳輸通道中的目標信號過孔相鄰的多個參考層的第一目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域；所述多個參考層位于所述目標信號過孔的同一側(cè)，或者，所述多個參考層分別位于所述目標信號過孔的相對兩側(cè)。

7、以這種方式，可以靈活地設(shè)置挖空區(qū)域，提高挖空效果。

8、本技術(shù)一些實施例中，所述將與所述目標信號傳輸通道中的目標信號過孔相鄰的多個參考層的第一目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域包括：將與所述目標信號傳輸通道中的目標信號過孔相鄰的多個參考層中靠近所述目標信號過孔的參考層的第一目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域；若所述目標信號傳輸通道的信號質(zhì)量仍不滿足預設(shè)要求，將與所述目標信號傳輸通道中的目標信號過孔相鄰的多個參考層中遠離所述目標信號過孔的參考層的第一目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域。

9、以這種方式，可以根據(jù)質(zhì)量評估結(jié)果精確地設(shè)置挖空區(qū)域，保證信號質(zhì)量優(yōu)化效果。

10、本技術(shù)一些實施例中，還包括：在所述封裝基板模型的核心層中設(shè)置鄰近所述目標信號過孔的接地過孔。

11、以這種方式，可以降低目標信號過孔與其他信號過孔的信號串擾，降低目標信號傳輸通道的串擾值，提高目標信號傳輸通道的信號質(zhì)量，使得封裝基板模型以及依據(jù)該模型制作的封裝基板中各個信號傳輸通道的信號質(zhì)量都能夠滿足預設(shè)要求。

12、本技術(shù)一些實施例中，所述在所述封裝基板模型的核心層中設(shè)置鄰近所述目標信號過孔的接地過孔之后，還包括：將所述目標信號過孔與所述接地過孔的間距設(shè)置為預設(shè)間距；所述預設(shè)間距至少包括等于所述目標信號過孔的孔徑的間距。

13、以這種方式，可以避免目標信號過孔與接地過孔的間距過大或過小，影響目標信號傳輸通道的阻抗連續(xù)性，進而可以優(yōu)化封裝基板的模型以及依據(jù)該模型制作的封裝基板中各個信號傳輸通道的信號質(zhì)量。

14、本技術(shù)一些實施例中，還包括：將與所述目標信號傳輸通道中的目標信號焊盤相鄰的參考層的第二目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域，以通過增大所述目標信號焊盤與參考層的間距，增大所述目標信號焊盤的阻抗，優(yōu)化所述目標信號傳輸通道的信號的質(zhì)量；其中，所述目標信號焊盤包括所述目標信號傳輸通道中用于輸出信號的信號焊盤；所述參考層的第二目標區(qū)域包括所述參考層中正投影至少部分覆蓋所述目標信號焊盤的區(qū)域。

15、以這種方式，可以通過增大目標信號焊盤與參考層的間距，增大目標信號焊盤的阻抗，優(yōu)化目標信號傳輸通道的阻抗連續(xù)性，優(yōu)化目標信號傳輸通道的信號的質(zhì)量，進而使得封裝基板模型以及依據(jù)該模型制作的封裝基板中各個信號傳輸通道的信號質(zhì)量都能夠滿足預設(shè)要求。

16、第二方面，本技術(shù)還公開了一種計算機設(shè)備，包括存儲器和處理器；所述存儲器用于存儲指令；所述處理器用于根據(jù)所述存儲器存儲的指令，執(zhí)行如上任一項所述的封裝基板的信號優(yōu)化方法。

17、第三方面，本技術(shù)還公開了一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有用于執(zhí)行如上任一項所述的封裝基板的信號優(yōu)化方法的指令。

18、第四方面，本技術(shù)還公開了一種封裝基板，包括層疊設(shè)置的多個導電層和多個介質(zhì)層，任意兩個導電層之間都具有一個介質(zhì)層；每個所述導電層都包括信號線，至少兩個所述導電層的信號線通過貫穿二者之間的介質(zhì)層的信號過孔電連接，所述信號線、所述信號過孔以及位于所述封裝基板的至少一側(cè)的信號焊盤構(gòu)成信號傳輸通道；至少一個所述信號傳輸通道為采用如上任一項所述的信號優(yōu)化方法進行了信號優(yōu)化的信號傳輸通道。

19、以這種方式，可以通過將封裝基板中的目標信號過孔相鄰的參考層的第一目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域，和/或，在目標信號過孔的四周設(shè)置一個或多個接地過孔，和/或，將目標信號過孔與接地過孔的間距設(shè)置為預設(shè)間距，和/或，將目標信號焊盤相鄰的參考層的第二目標區(qū)域設(shè)置為挖空區(qū)域，提高封裝基板的信號傳輸通道的信號質(zhì)量。