本技術涉及振蕩器,具體涉及一種振幅控制電路、振幅控制方法和電子設備。
背景技術:
1、壓控振蕩器是指輸出頻率與輸入控制電壓有對應關系的振蕩電路。因為壓控振蕩器能夠帶來較低的相位噪聲和時鐘抖動,所以,被廣泛的應用于無線通訊和高速接口等對相位噪聲要求較高的場景。但是,若壓控振蕩器的輸出信號的振幅過大,就會給電路造成過驅(qū)動的情況,不僅影響電路的可靠性還會因諧波失真而帶來相位噪聲和時鐘抖動的惡化。雖然可以通過振幅控制電路控制壓控振蕩器的振幅,避免壓控振蕩器的振幅過大,但是,目前的振幅控制電路的結(jié)構較復雜,面積和功耗都較大。
技術實現(xiàn)思路
1、本技術公開一種振幅控制電路、振幅控制方法和電子設備,以簡化振幅控制電路的結(jié)構,降低振幅控制電路的面積和功耗。
2、第一方面,本技術公開了一種振幅控制電路,所述振幅控制電路包括振幅檢測單元、比較器和移位寄存器;所述振幅檢測單元用于對接收到的第一信號進行交流耦合獲得第二信號,并將所述第二信號輸出至所述比較器;所述第一信號包括壓控振蕩器的輸出信號;所述第二信號的振幅與所述第一信號的振幅相同;所述比較器用于將所述第二信號的電壓與預設的振幅參考電壓進行比較,并在所述第二信號的電壓大于所述振幅參考電壓的情況下,輸出第三信號至所述移位寄存器;在所述第二信號的電壓小于或等于所述振幅參考電壓的情況下,輸出第四信號至所述移位寄存器;所述移位寄存器用于在接收到所述第三信號的情況下,輸出第五信號;在接收到所述第四信號的情況下,輸出第六信號;所述第五信號用于使所述壓控振蕩器的輸出信號的振幅減小;所述第六信號用于使所述壓控振蕩器的輸出信號的振幅保持不變。
3、本技術一些實施例中,所述振幅控制電路還包括濾波器;所述濾波器設置在所述比較器與所述移位寄存器之間;所述濾波器用于對所述比較器輸出的所述第三信號或所述第四信號進行濾波后輸出至所述移位寄存器。
4、本技術一些實施例中,所述振幅檢測單元包括電容、第一電阻和第二電阻;所述電容的第一端用于接收所述第一信號,所述電容的第二端用于輸出所述第二信號;所述電容的第二端與所述第一電阻的第一端和所述第二電阻的第一端相連,所述第一電阻的第二端用于接收第一參考電壓,所述第二電阻的第二端用于接收第二參考電壓,所述第一參考電壓大于所述第二參考電壓;所述第一電阻為可調(diào)電阻,以通過調(diào)整所述第一電阻的阻值,調(diào)整所述第二信號的電壓。
5、本技術一些實施例中,所述比較器包括電壓產(chǎn)生模塊、比較模塊和輸出模塊;所述電壓產(chǎn)生模塊用于產(chǎn)生所述振幅參考電壓,并將所述振幅參考電壓傳輸至所述比較模塊的第一輸入端;所述比較模塊的第二輸入端用于接收所述第二信號,所述比較模塊用于將所述第二信號的電壓與所述振幅參考電壓進行比較,并在所述第二信號的電壓大于所述振幅參考電壓的情況下,輸出第一控制信號至所述輸出模塊;在所述第二信號的電壓小于或等于所述振幅參考電壓的情況下,輸出第二控制信號至所述輸出模塊;所述輸出模塊用于在所述第一控制信號的控制下,輸出所述第三信號至所述移位寄存器;在所述第二控制信號的控制下,輸出所述第四信號至所述移位寄存器。
6、本技術一些實施例中,所述電壓產(chǎn)生模塊包括第三電阻、第四電阻、第五電阻和第一晶體管;所述第三電阻的第一端用于接收第一參考電壓,所述第三電阻的第二端與所述第四電阻的第一端相連,所述第四電阻的第二端與所述第五電阻的第一端相連,所述第五電阻的第二端用于接收第二參考電壓,所述第二參考電壓小于所述第一參考電壓;所述第三電阻的第二端用于輸出所述振幅參考電壓;所述第一晶體管的控制端用于接收所述第三信號或所述第四信號,所述第一晶體管的第一端與所述第五電阻的第一端相連,所述第一晶體管的第二端與所述第五電阻的第二端相連;所述第一晶體管用于在所述第三信號的控制下,使所述第五電阻的第一端和第二端短路。
7、本技術一些實施例中,在所述第一晶體管的控制端接收到所述第四信號的情況下,所述振幅參考電壓等于所述振幅檢測單元的共模電壓與所述第二信號的振幅的一半之和;在所述第一晶體管的控制端接收到所述第三信號的情況下,所述振幅參考電壓小于所述振幅檢測單元的共模電壓與所述第二信號的振幅的一半之和;其中,所述振幅檢測單元的共模電壓等于所述第二信號的最大電壓與最小電壓的平均值;所述第二信號的振幅等于所述第二信號的最大電壓與最小電壓之差。
8、本技術一些實施例中,所述比較模塊包括第二晶體管至第九晶體管;所述第二晶體管的第一端用于接收第一參考電壓,所述第二晶體管的第二端與第三晶體管的第一端相連,所述第三晶體管的第二端與第四晶體管的第一端相連,所述第四晶體管的第二端與第五晶體管的第一端相連,所述第五晶體管的第二端用于接收第二參考電壓,所述第二參考電壓小于所述第一參考電壓,所述第三晶體管和所述第四晶體管的控制端用于接收所述振幅參考電壓,所述第二晶體管的控制端與所述第五晶體管的控制端相連,且所述第二晶體管的控制端與所述第三晶體管的第二端相連;第六晶體管的控制端與所述第二晶體管的控制端相連,所述第六晶體管的第一端用于接收所述第一參考電壓,所述第六晶體管的第二端與第七晶體管的第一端相連,所述第七晶體管的第二端與第八晶體管的第一端相連,所述第八晶體管的第二端與所述第九晶體管的第一端相連,所述第九晶體管的第二端用于接收所述第二參考電壓,所述第九晶體管的控制端與所述第五晶體管的控制端相連,所述第七晶體管和所述第八晶體管的控制端用于接收所述第二信號,所述第七晶體管的第二端用于輸出所述第一控制信號或所述第二控制信號。
9、本技術一些實施例中,所述輸出模塊包括第十晶體管和第十一晶體管;所述第十晶體管的第一端用于接收第一參考電壓,所述第十晶體管的第二端與所述第十一晶體管的第一端相連,所述第十一晶體管的第二端用于接收第二參考電壓,所述第二參考電壓小于所述第一參考電壓,所述第十晶體管和所述第十一晶體管的控制端用于接收所述第一控制信號或所述第二控制信號。
10、第二方面,本技術公開了一種電子設備,包括壓控振蕩器和如上任一項所述的振幅控制電路。
11、第三方面,本技術公開了一種振幅控制方法,包括:將所述壓控振蕩器的振幅調(diào)整為最大振幅;對所述壓控振蕩器的頻率進行調(diào)整,使所述壓控振蕩器的頻率處于第一頻率范圍;通過如上任一項所述的振幅控制電路,調(diào)整所述壓控振蕩器的振幅;對所述壓控振蕩器的頻率進行調(diào)整,使所述壓控振蕩器的頻率處于第二頻率范圍,所述第二頻率范圍小于所述第一頻率范圍。
12、本技術公開的振幅控制電路、振幅控制方法和電子設備,先將壓控振蕩器的振幅調(diào)整為最大振幅,然后通過振幅檢測單元對第一信號如壓控振蕩器的輸出信號進行交流耦合獲得第二信號,通過比較器將第二信號的電壓與預設的振幅參考電壓進行比較,并在第二信號的電壓大于振幅參考電壓的情況下,輸出第三信號至移位寄存器,使得移位寄存器輸出第五信號至壓控振蕩器,使得壓控振蕩器的輸出信號的振幅減小,在第二信號的電壓小于或等于振幅參考電壓的情況下,輸出第四信號至移位寄存器,使得移位寄存器輸出第六信號至壓控振蕩器,使得壓控振蕩器的輸出信號的振幅保持不變,從而可以通過結(jié)構較簡單的振幅控制電路控制壓控振蕩器的振幅,進而可以降低振幅控制電路的面積和功耗。