本申請(qǐng)涉及顯示，具體涉及一種陣列基板及其制作方法和顯示面板。

背景技術(shù)：

1、隨著顯示器技術(shù)的發(fā)展，柔性顯示面板憑借超薄、質(zhì)量輕以及可收卷等優(yōu)點(diǎn)，得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。柔性顯示面板的制作主要是在柔性基板上形成顯示器件，對(duì)顯示器件進(jìn)行薄膜封裝。所以近年來(lái)，許多廠商通過(guò)在柔性基板上制作有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(active?matrix?organic?light?emitting?diode，amoled)顯示層，然后進(jìn)行薄膜封裝，形成柔性amoled顯示面板，該顯示面板技術(shù)逐漸成為各大廠商的研究方向。

2、然而，具有柔性amoled顯示面板的產(chǎn)品在使用過(guò)程中，柔性基板的存在會(huì)影響顯示面板薄膜晶體管的電性能，造成一些顯示問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法和一種顯示面板，用以改善柔性基板影響薄膜晶體管電性能的問(wèn)題。

2、第一方面，提供了一種陣列基板，陣列基板包括襯底基板、多個(gè)薄膜晶體管以及第一屏蔽層和第二屏蔽層。多個(gè)薄膜晶體管位于襯底基板一側(cè)，第二屏蔽層和第一屏蔽層疊置在襯底基板和薄膜晶體管之間。且第二屏蔽層和第一屏蔽層接觸，第二屏蔽層包括非晶硅層，第一屏蔽層為圖形化膜層，多個(gè)薄膜晶體管在襯底基板上的正投影位于第一屏蔽層在襯底基板上的正投影范圍內(nèi)，第一屏蔽層在襯底基板上的正投影位于第二屏蔽層在襯底基板上的正投影范圍內(nèi)。

3、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，第二屏蔽層位于襯底基板和第一屏蔽層之間。

4、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，第二屏蔽層覆蓋襯底基板靠近第一屏蔽層一側(cè)的整個(gè)表面。

5、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，第一屏蔽層位于襯底基板和第二屏蔽層之間。

6、結(jié)合第一方面，所述第二屏蔽層包括非圖形化膜層。

7、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，陣列基板還包括附著層，附著層位于襯底基板和第一屏蔽層之間。

8、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，附著層包括氧化硅層。

9、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，第一屏蔽層的導(dǎo)電性大于第二屏蔽層的導(dǎo)電性，第二屏蔽層的透過(guò)率大于第一屏蔽層的透過(guò)率。

10、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，第一屏蔽層包括金屬層。

11、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二屏蔽層包括導(dǎo)電摻雜材料。

12、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，導(dǎo)電摻雜材料包括三氟化硼、磷化氫、砷化氫中的至少一種。

13、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，第一屏蔽層為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

14、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，在垂直于襯底基板方向上，所述第二屏蔽層的厚度不超過(guò)100埃。

15、結(jié)合第一方面，第二屏蔽層的厚度范圍為30埃-100埃。

16、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，陣列基板還包括恒定電壓信號(hào)線，第一屏蔽層與恒定電壓信號(hào)線電連接。

17、第二方面，提供了一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟：

18、提供襯底基板；

19、在所述襯底基板依次制備兩層屏蔽層，兩層屏蔽層包括第一屏蔽層和第二屏蔽層，所述第一屏蔽層與所述第二屏蔽層接觸，其中，所述第一屏蔽層為圖形化膜層，所述第二屏蔽層為非晶硅層；

20、在后制備的所述屏蔽層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)制備多個(gè)薄膜晶體管，且部分所述薄膜晶體管在所述襯底基板上的正投影位于所述第一屏蔽層在所述襯底基板上的正投影范圍內(nèi)，多個(gè)所述薄膜晶體管在所述襯底基板上的正投影均位于所述第二屏蔽層在所述襯底基板上的正投影范圍內(nèi)。

21、結(jié)合第二方面，所述在所述襯底基板依次制備兩層屏蔽層包括：

22、在所述襯底基板一側(cè)制備第二屏蔽層，在所述第二屏蔽層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)制備第一屏蔽層；或者

23、在所述襯底基板一側(cè)制備第一屏蔽層，在所述第一屏蔽層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)制備第二屏蔽層；

24、優(yōu)選地，所述第二屏蔽層覆蓋所述襯底基板靠近所述第一屏蔽層一側(cè)的整個(gè)表面；

25、優(yōu)選地，所述第二屏蔽層為圖形化膜層。

26、結(jié)合第二方面，在第二方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，在襯底基板一側(cè)制備第二屏蔽層包括：

27、采用氣相沉積法制備包括導(dǎo)電摻雜材料的非晶硅層；

28、結(jié)合第二方面，在第二方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，在襯底基板一側(cè)制備第二屏蔽層包括：

29、采用氣相沉積法制備非晶硅層；

30、采用離子注入法對(duì)非晶硅層進(jìn)行摻雜；

31、結(jié)合第二方面，在第二方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，在第二屏蔽層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)制備第一屏蔽層，第一屏蔽層與第二屏蔽層層接觸，第一屏蔽層為圖形化膜層還包括：

32、對(duì)第一屏蔽層進(jìn)行蝕刻，得到圖形化的第一屏蔽層；

33、優(yōu)選的，所述對(duì)所述第一屏蔽層進(jìn)行蝕刻還包括：

34、通過(guò)控制蝕刻損失控制刻蝕程度，以使所述第二屏蔽層的厚度滿足預(yù)設(shè)需求；

35、優(yōu)選的，所述第二屏蔽層包括非圖形化膜層；

36、優(yōu)選的，所述第二屏蔽層的厚度不超過(guò)100埃；

37、優(yōu)選地，第二屏蔽層的厚度范圍為30埃-100埃。

38、第三方面，提供了一種顯示面板，包括上述任一項(xiàng)提到的陣列基板。

39、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N陣列基板及其制作方法和一種顯示面板。陣列基板包括襯底基板、多個(gè)薄膜晶體管以及第一屏蔽層和第二屏蔽層。多個(gè)薄膜晶體管位于襯底基板一側(cè)，第二屏蔽層和第一屏蔽層疊置在襯底基板和薄膜晶體管之間。且第二屏蔽層和第一屏蔽層接觸，第二屏蔽層為非晶硅層，第一屏蔽層為圖形化膜層，多個(gè)薄膜晶體管在襯底基板上的正投影位于第一屏蔽層在襯底基板上的正投影范圍內(nèi)，第一屏蔽層在襯底基板上的正投影位于第二屏蔽層在襯底基板上的正投影范圍內(nèi)；

40、優(yōu)選的，所述第二屏蔽層為非圖形化膜層。

41、本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)增加與第一屏蔽層接觸且非圖形化的第二屏蔽層，并設(shè)置所有薄膜晶體管在襯底基板上的正投影位于第二屏蔽層在襯底基板上的正投影范圍內(nèi)，使得第二屏蔽層可為所有薄膜晶體管提供屏蔽作用，阻擋襯底基板處雜質(zhì)離子、自由電荷等對(duì)所有薄膜晶體管的影響，以提高所有薄膜晶體管的電性能穩(wěn)定性，從而有效改善顯示面板的殘影等顯示問(wèn)題。

技術(shù)特征：

1.陣列基板，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二屏蔽層位于所述襯底基板和所述第一屏蔽層之間；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一屏蔽層位于所述襯底基板和所述第二屏蔽層之間；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一屏蔽層的導(dǎo)電性大于所述第二屏蔽層的導(dǎo)電性，所述第二屏蔽層的透過(guò)率大于所述第一屏蔽層的透過(guò)率；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一屏蔽層為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括恒定電壓信號(hào)線，所述第一屏蔽層與所述恒定電壓信號(hào)線電連接。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底基板依次制備兩層屏蔽層包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底基板一側(cè)制備第二屏蔽層包括：

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的陣列基板。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N陣列基板及其制作方法和一種顯示面板。陣列基板包括襯底基板、多個(gè)薄膜晶體管以及第一屏蔽層和第二屏蔽層。多個(gè)薄膜晶體管位于襯底基板一側(cè)，第二屏蔽層和第一屏蔽層疊置在襯底基板和薄膜晶體管之間。本申請(qǐng)通過(guò)增加與第一屏蔽層接觸且非圖形化的第二屏蔽層，并設(shè)置所有薄膜晶體管在基板上的正投影位于第二屏蔽層在基板上的正投影范圍內(nèi)，使得第一屏蔽層和第二屏蔽層可以為所有薄膜晶體管提供屏蔽雜質(zhì)離子、自由電荷等負(fù)面影響的功能，以提高所有薄膜晶體管的電性能穩(wěn)定性，從而有效改善顯示面板的殘影等顯示問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：張偉彬,于東亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥維信諾科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2