1.一種nand閃存存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的nand閃存存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型晶體管結(jié)構(gòu)包括形成在所述半導(dǎo)體襯底上的第二導(dǎo)電類型電極有源層、形成在所述第二導(dǎo)電類型電極有源層表面且朝向所述第二導(dǎo)電類型電極有源層內(nèi)部延伸的第一導(dǎo)電類型第一輸入輸出電極層，以及形成在所述第二導(dǎo)電類型電極有源層上的第一控制電極層；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的nand閃存存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電類型電極有源層分別形成為所述第一導(dǎo)電類型晶體管結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電類型第一bulk電極端子和所述第一導(dǎo)電類型晶體管寄生結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電類型第二bulk電極端子；
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的nand閃存存儲(chǔ)裝置，其特征在于，當(dāng)所述第一導(dǎo)電類型晶體管結(jié)構(gòu)和所述第一導(dǎo)電類型晶體管寄生結(jié)構(gòu)均連接電壓時(shí)：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的nand閃存存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型第一源電極端子、第一導(dǎo)電類型第一漏電極端子以及所述第二導(dǎo)電類型第一bulk電極端子均連接高電平電壓，所述第一導(dǎo)電類型晶體管結(jié)構(gòu)的控制柵電極端子連接低電平電壓；
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的nand閃存存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型電極有源層分別形成為所述第二導(dǎo)電類型晶體管結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電類型第一bulk電極端子和所述第二導(dǎo)電類型晶體管結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電類型第二bulk電極端子；
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的nand閃存存儲(chǔ)裝置，其特征在于，當(dāng)所述第二導(dǎo)電類型晶體管結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電類型晶體管寄生結(jié)構(gòu)均連接電壓時(shí)：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的nand閃存存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電類型第二源電極端子、第二導(dǎo)電類型第二漏電極端子以及所述第一導(dǎo)電類型第一bulk電極端子均連接低電平電壓，所述第二導(dǎo)電類型晶體管結(jié)構(gòu)的控制柵電極端子連接高電平電壓；
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的nand閃存存儲(chǔ)裝置，其特征在于，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型為n型時(shí)，第二導(dǎo)電類型為p型；當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型為p型時(shí)，第二導(dǎo)電類型為n型。
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的nand閃存存儲(chǔ)裝置。