本發(fā)明涉及封裝，尤其是涉及一種小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板、其制備方法及封裝方法。

背景技術(shù)：

1、目前，市場(chǎng)對(duì)于sic芯片的功率模塊的需求增強(qiáng)迅速。在傳統(tǒng)的封裝過(guò)程中，錫合金焊接工藝已經(jīng)不能滿足sic芯片的優(yōu)勢(shì)，為充分發(fā)揮sic芯片的優(yōu)勢(shì)，銀燒結(jié)工藝的使用有效緩解了該項(xiàng)短板。

2、在sic芯片燒結(jié)過(guò)程中，由于amb陶瓷覆銅板的銅層、陶瓷層、芯片、燒結(jié)材料等的熱膨脹系數(shù)不同產(chǎn)生熱應(yīng)力，使得amb陶瓷覆銅板彎曲，不平整，對(duì)后續(xù)的封裝帶來(lái)較大的影響，因此需要使用尺寸較大的amb陶瓷覆銅板作為基板，以保證的強(qiáng)度同時(shí)滿足配合多電子絕緣和鍵合引線的布局。越大的陶瓷基板尺寸，在燒結(jié)封裝后會(huì)帶來(lái)越大的基板彎曲度，若單純的縮小amb陶瓷覆銅板，無(wú)法滿足配合多電子元件的絕緣與鍵合引線的布局。

3、因此，針對(duì)上述問(wèn)題本發(fā)明急需提供一種小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法及封裝方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種小尺寸增強(qiáng)抗翹曲的amb陶瓷覆銅板結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法及封裝方法，通過(guò)增小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法的提出以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的大尺寸的amb陶瓷覆銅板作為基板，限制了在小器件中的使用的技術(shù)問(wèn)題。

2、本發(fā)明提供的一種小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法，包括如下步驟：

3、根據(jù)現(xiàn)有的amb陶瓷覆銅板尺寸和設(shè)計(jì)長(zhǎng)度要求，設(shè)定amb陶瓷覆銅板長(zhǎng)度的縮小尺寸，依據(jù)縮小尺寸，制備小尺寸的amb陶瓷覆銅板；

4、按照dbc陶瓷覆銅板寬度=1/2amb陶瓷覆銅板縮小尺寸+dbc陶瓷覆銅板上銅層隔絕電路槽總寬度，dbc陶瓷覆銅板的長(zhǎng)度≤amb陶瓷覆銅板的寬度的設(shè)計(jì)，制備dbc陶瓷覆銅板；

5、將獲得的dbc陶瓷覆銅板貼裝到小尺寸的amb陶瓷覆銅板左、右兩側(cè)，獲得小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板。

6、優(yōu)選地，小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板上，各dbc陶瓷覆銅板外側(cè)邊緣距相鄰的小尺寸的amb陶瓷覆銅板外側(cè)邊緣的間距為0.2mm-1.0mm。

7、優(yōu)選地，采用粘結(jié)劑將dbc陶瓷覆銅板粘接于小尺寸的amb陶瓷覆銅板上。

8、優(yōu)選地，粘結(jié)劑層厚度為0.5±0.2mm；粘結(jié)劑涂覆面積≥dbc陶瓷覆銅板表面積。

9、優(yōu)選地，粘結(jié)劑為uv膠；

10、使用365nm的紫外光均勻的照射在粘結(jié)劑表面，光線強(qiáng)度為400mw/cm2，室溫下照射不小于3s后移除近紫外光，激活粘結(jié)劑。

11、優(yōu)選地，小尺寸的amb陶瓷覆銅板分為上、中、下三層，分別為amb上銅層、sin陶瓷層和amb下銅層組成，在amb上銅層上刻蝕有電路隔絕槽；dbc陶瓷覆銅板粘接于小尺寸的amb陶瓷覆銅板上銅層上。

12、優(yōu)選地，dbc陶瓷覆銅板分為上、中、下三層，分別為dbc上銅層、al2o3陶瓷層和dbc1下銅層組成，在dbc上銅層上刻蝕有隔絕電路槽。

13、優(yōu)選地，采用吸嘴下壓貼裝dbc陶瓷覆銅板，吸嘴施加壓力為20±5n，吸嘴停留1-10s。

14、本發(fā)明還提供了一種基于如上述中任一項(xiàng)所述的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法獲得的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板。

15、本發(fā)明還提供了一種封裝方法，包括如下步驟：

16、將芯片貼裝到如上述所述的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板上；通過(guò)導(dǎo)線將各芯片與對(duì)應(yīng)的dbc陶瓷覆銅板的銅層或小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板上銅層連接。

17、本發(fā)明提供的一種小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板、其制備方法及封裝方法與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下進(jìn)步：

18、本發(fā)明通過(guò)小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法的提出，通過(guò)dbc陶瓷覆銅板輔助，可以避免amb陶瓷覆銅板受熱及受力下發(fā)生形變的問(wèn)題，起到加固amb陶瓷覆銅板短側(cè)邊的作用，防止amb陶瓷覆銅板發(fā)生彎曲現(xiàn)象的發(fā)生。同時(shí)，dbc陶瓷覆銅板可以提供鍵合點(diǎn)位，滿足配合多電子絕緣和鍵合引線的布局，無(wú)需對(duì)amb側(cè)短邊進(jìn)行刻蝕，在同等面積下增加了amb的銅層面積，提高了通流能力。

技術(shù)特征：

1.一種小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法，其特征在于：小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板上，各dbc陶瓷覆銅板（2）外側(cè)邊緣距相鄰的小尺寸的amb陶瓷覆銅板（1）外側(cè)邊緣的間距為0.2mm-1.0mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法，其特征在于：粘結(jié)劑為uv膠；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法，其特征在于：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法，其特征在于：采用吸嘴下壓貼裝dbc陶瓷覆銅板（2），吸嘴施加壓力為20±5n，吸嘴停留1-10s。

9.一種基于如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板的制備方法獲得的小尺寸抗翹曲的amb陶瓷覆銅板。

10.一種封裝方法，其特征在于：包括如下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種小尺寸抗翹曲的AMB陶瓷覆銅板、其制備方法及封裝方法；包括如下步驟：根據(jù)現(xiàn)有的AMB陶瓷覆銅板尺寸和設(shè)計(jì)長(zhǎng)度要求，設(shè)定AMB陶瓷覆銅板長(zhǎng)度的縮小尺寸，依據(jù)縮小尺寸，制備小尺寸的AMB陶瓷覆銅板；按照DBC陶瓷覆銅板寬度=1/2AMB陶瓷覆銅板縮小尺寸+DBC陶瓷覆銅板上銅層隔絕電路槽總寬度，DBC陶瓷覆銅板的長(zhǎng)度≤AMB陶瓷覆銅板的寬度的設(shè)計(jì)，制備DBC陶瓷覆銅板；將獲得的DBC陶瓷覆銅板貼裝到小尺寸的AMB陶瓷覆銅板左、右兩側(cè)，獲得小尺寸抗翹曲的AMB陶瓷覆銅板；通過(guò)小尺寸抗翹曲的AMB陶瓷覆銅板的制備方法的以解決大尺寸的AMB陶瓷覆銅板作為基板，限制了在小器件中的使用的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：高曉斌,雷米·阿蘭·吉列明,梁杰,王軼,滕楊楊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：賽晶亞太半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30