1.一種二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件，其特征在于，包括襯底、二維tmdc材料層、薄膜電極和有機(jī)分子層；
2.如權(quán)利要求1所述的一種二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件，其特征在于，所述光電神經(jīng)元器件能在光脈沖刺激下做出電流改變，從而模仿人體褪黑素的產(chǎn)生與作用，并能在柵壓的調(diào)控下，實(shí)現(xiàn)明亮和黑暗環(huán)境下的視覺自適應(yīng)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件，其特征在于，所述二維tmdc材料層材料為mos2，有機(jī)分子層形成材料為n,n'-二甲基-3,4,9,10-苝四甲酰二亞胺或3,4,9,10-苝四羧酸二酐。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件的應(yīng)用方法，其特征在于，所述應(yīng)用方法是將二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用。
5.一種二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件陣列，其特征在于，其包含數(shù)個(gè)分立的如權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件，數(shù)個(gè)分立的光電神經(jīng)元器件集結(jié)在同一襯底上且呈陣列排布，能同時(shí)對(duì)數(shù)個(gè)器件進(jìn)行柵壓調(diào)控。
6.一種二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
7.如權(quán)利要求6所述的二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件的制備方法，其特征在于，所述二維tmdc材料為mos2；在將二維tmdc材料轉(zhuǎn)移至pdms薄膜上之前需利用uv?ozone處理pdms薄膜表面5?min。
8.如權(quán)利要求6所述的二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件的制備方法，其特征在于，轉(zhuǎn)移到pdms薄膜上的二維tmdc材料均勻、無氣泡，厚0.7?nm、層數(shù)為單層；進(jìn)行二維tmdc材料轉(zhuǎn)移時(shí)，以每5?s下降0.1?μm的速度勻速下降載玻片使得二維tmdc材料貼合在目標(biāo)襯底上，保持貼合狀態(tài)30?s~3?min，之后再以每5?s上升0.1?μm的速度勻速抬起載玻片使得二維tmdc材料完整轉(zhuǎn)移至目標(biāo)襯底上。
9.如權(quán)利要求6所述的二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件的制備方法，其特征在于，步驟7）中，利用電子束光刻法制備的兩條薄膜電極的平行溝道間距為5?μm。
10.如權(quán)利要求6所述的二維有機(jī)/無機(jī)異質(zhì)結(jié)光電神經(jīng)元器件的制備方法，其特征在于，步驟8）中，所述有機(jī)源材料為n,n'-二甲基-3,4,9,10-苝四甲酰二亞胺或3,4,9,10-苝四羧酸二酐；管式爐加熱溫度為190~290℃、加熱時(shí)間為15~30?min，使有機(jī)源材料蒸發(fā)以在二維tmdc材料上外延生長(zhǎng)單層有機(jī)小分子材料晶體。