技術(shù)特征：

1.一種光電二極管，其特征在于，所述光電二極管包括：襯底、第一深阱、第二阱和摻雜區(qū)域；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電二極管，其特征在于，其中，相鄰的所述第一類寬摻雜區(qū)與所述第二類窄摻雜區(qū)之間設(shè)置有隔離區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電二極管，其特征在于，其中，在所述第一類寬摻雜區(qū)與所述第二類窄摻雜區(qū)分布的光通信面上，所述摻雜區(qū)域的邊緣為所述第二類窄摻雜區(qū)；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電二極管，其特征在于，其中，在所述光通信面上，邊緣的所述第二類窄摻雜區(qū)與所述第一深阱的深阱摻雜區(qū)域之間設(shè)置有所述隔離區(qū)域；

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電二極管，其特征在于，其中，若具有多個(gè)所述第一類寬摻雜區(qū)，每個(gè)所述第二類窄摻雜區(qū)相鄰的兩個(gè)所述第一類寬摻雜區(qū)上所述電極結(jié)構(gòu)的偏壓不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電二極管，其特征在于，其中，所述第一類寬摻雜區(qū)上的所述電極結(jié)構(gòu)不同的偏壓包括v1和v2，v1為所述摻雜區(qū)域中處于中心區(qū)域的所述第一類寬摻雜區(qū)上的所述電極結(jié)構(gòu)的偏壓，v2為所述第一類寬摻雜區(qū)上的所述電極結(jié)構(gòu)的與v1不同的另一偏壓，所述第二類窄摻雜區(qū)上的所述電極結(jié)構(gòu)的偏壓為v3，v2＞v1＞v3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的光電二極管，其特征在于，其中，所述第一類寬摻雜區(qū)與所述第二類窄摻雜區(qū)的數(shù)量和尺寸參數(shù)基于所述光電二極管的光通信面的面積參數(shù)確定；

8.一種二極管組件，其特征在于，所述二極管組件包括權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的光電二極管；

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二極管組件，其特征在于，其中，所述二極管組件包括第一面和第二面；

10.一種光濾波器，其特征在于，所述光濾波器包括時(shí)間讀取電路、時(shí)鐘電路，以及權(quán)利要求8-9中任一項(xiàng)所述的二極管組件；

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光電二極管、二極管組件及光濾波器，涉及技術(shù)光通信領(lǐng)域。光電二極管包括：襯底、第一深阱、第二阱和摻雜區(qū)域；其中，第一深阱設(shè)置在襯底上，第二阱設(shè)置在第一深阱上，摻雜區(qū)域設(shè)置在第二阱上；摻雜區(qū)域包括第一類寬摻雜區(qū)和第二類窄摻雜區(qū)，第一類寬摻雜區(qū)與第二類窄摻雜區(qū)交替分布在第二阱上，第一類寬摻雜區(qū)或第二類窄摻雜區(qū)與第二阱形成電極結(jié)構(gòu)。二極管組件包括光電二極管；多個(gè)光電二極管組成全差分陣列。光濾波器包括時(shí)間讀取電路、時(shí)鐘電路，以及二極管組件；二極管組件用于對(duì)接收的光信號(hào)進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，得到電流信號(hào)；時(shí)間讀取電路用于基于電流信號(hào)進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，得到傳輸信號(hào)；時(shí)鐘電路用于對(duì)時(shí)鐘相位進(jìn)行校準(zhǔn)。

技術(shù)研發(fā)人員：曾耿華,吳峰,鄒小波,林海川
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都中微達(dá)信科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/28