本公開涉及顯示裝置。

背景技術：

1、發(fā)光元件是其中從陽極提供的空穴和從陰極提供的電子在發(fā)射層中結合以形成激子并且在激子穩(wěn)定的同時發(fā)射光的元件。

2、發(fā)光元件具有諸如寬視角、快響應速度、薄厚度和低功耗的幾個優(yōu)點，使得發(fā)光二極管廣泛地應用于諸如電視機、監(jiān)視器、移動電話等的各種電氣和電子裝置。

3、在本背景技術部分中公開的以上信息僅用于增強對本公開的背景技術的理解，并且因此其可以包含不形成本領域普通技術人員在本國家中已知的現(xiàn)有技術的信息。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開致力于提供包括具有高反射率和優(yōu)異的界面接觸特性的第一金屬層的顯示裝置。

2、根據(jù)本公開的實施例，顯示裝置可以包括設置在襯底上的晶體管、電連接至晶體管的第一導電層、電連接至第一導電層的第一金屬層、電連接至第一金屬層的第一電極以及電連接至第一電極的發(fā)射層。第一金屬層可以包括包含zn-ito的第一層、包含ag的第二層和包含zn-ito的第三層。

3、顯示裝置可以包括顯示區(qū)域和焊盤區(qū)域，并且第一導電層、第一金屬層和第一電極可以在焊盤區(qū)域中彼此接觸。

4、第一導電層可以包括包含鈦的第一層和包含銅的第二層，并且第一導電層的第二層可以接觸第一金屬層的第一層。

5、第一導電層可以包括包含鈦的第一層、包含銅的第二層和包含銦錫氧化物的第三層，并且第一導電層的第三層可以接觸第一金屬層的第一層。

6、第一電極可以包括銦錫氧化物，并且第一金屬層的第三層可以接觸第一電極。

7、第一金屬層的第二層可以在襯底的厚度方向上比第一金屬層的第一層和第一金屬層的第三層厚。

8、在襯底的厚度方向上，第一金屬層的第一層的厚度可以在約至約的范圍內(nèi)。

9、在襯底的厚度方向上，第一金屬層的第二層的厚度可以在約至約的范圍內(nèi)。

10、在厚度方向上，第一金屬層的第三層的厚度可以在約至約的范圍內(nèi)。

11、第一層和第三層的zn-ito中所包括的zn的含量可以等于或大于約10at％。

12、第一層和第三層的zn-ito中所包括的zn的含量可以在約18at％至約20at％的范圍內(nèi)。

13、包括在第一層和第三層中的zn-ito可以是非晶的。

14、在執(zhí)行約250℃的熱處理的情況下，包括在第一金屬層中的zn-ito可以是非晶的。

15、第一金屬層可以不被tmah和koh蝕刻。

16、第一金屬層在約400nm至約800nm的范圍內(nèi)的波長上的反射率可以等于或大于約80％。

17、發(fā)射層可以包括納米棒。

18、晶體管可以包括半導體層和柵電極。顯示裝置還可以包括設置在半導體層和第一導電層之間并且電連接半導體層和第一導電層的第二導電層。

19、顯示裝置還可以包括設置在第一導電層和第一金屬層之間的單元阻隔。單元阻隔可以包括在平面圖中與發(fā)射層重疊的開口。

20、由發(fā)射層發(fā)射的光可以由第一金屬層反射。

21、半導體層可以包括氧化物半導體。

22、根據(jù)實施例，提供了包括具有高反射率和優(yōu)異的界面接觸特性的第一金屬層的顯示裝置。

技術特征：

1.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

3.根據(jù)權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

5.根據(jù)權利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，

6.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一金屬層的所述第二層在所述襯底的厚度方向上比所述第一金屬層的所述第一層和所述第一金屬層的所述第三層厚。

7.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，在所述襯底的厚度方向上，所述第一金屬層的所述第一層的厚度在至的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，在所述襯底的所述厚度方向上，所述第一金屬層的所述第二層的厚度在至的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，在所述厚度方向上，所述第一金屬層的所述第三層的厚度在至的范圍內(nèi)。

技術總結
根據(jù)實施例的顯示裝置包括設置在襯底上的晶體管、電連接至晶體管的第一導電層、電連接至第一導電層的第一金屬層、電連接至第一金屬層的第一電極以及電連接至第一電極的發(fā)射層。第一金屬層包括包含Zn?ITO的第一層、包含Ag的第二層和包含Zn?ITO的第三層。

技術研發(fā)人員：申鉉億,樸俊龍
受保護的技術使用者：三星顯示有限公司
技術研發(fā)日：20240109
技術公布日：2025/1/2