本公開的一個或多個實施方式的各個方面涉及具有提高的可靠性的顯示裝置以及制造該顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

1、近來，顯示裝置的用途變得多樣化。此外，隨著顯示裝置的厚度變得更小以及顯示裝置重量變得更輕，顯示裝置的使用范圍也變得更加廣泛。

2、通常，顯示裝置包括用于通過接收電信號發(fā)射光的多個像素以顯示圖像。有機發(fā)光顯示器(oled)裝置的像素包括作為顯示元件的有機發(fā)光二極管以及用于控制施加到顯示元件的電信號的驅(qū)動電路。驅(qū)動電路包括薄膜晶體管(tft)、存儲電容器和多條線路。多條線路為每個像素的驅(qū)動電路提供數(shù)據(jù)信號、驅(qū)動電壓、公共電壓等。

3、在本背景技術(shù)部分公開的上述信息是為了加深對本公開的背景的理解，且因此它可能包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在一個比較示例中，顯示裝置可能難以實現(xiàn)高分辨率，或者可能由于結(jié)構(gòu)和工藝的限制具有低發(fā)射效率。

2、本公開的一個或多個實施方式涉及顯示高質(zhì)量圖像的顯示裝置。然而，本公開不限于以上的方面和特征。

3、另外的方面和特征將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地將通過描述顯而易見，或者可以通過實踐本公開的呈現(xiàn)的實施方式中的一個或多個而習(xí)得。

4、根據(jù)本公開的一個或多個實施方式，顯示裝置包括：像素電極；像素限定層，在像素電極上，并且具有暴露像素電極的至少一部分的開口；堤層，在像素限定層上；懸垂層，在堤層上；中間層，在像素電極上；以及相對電極，在中間層上。懸垂層包括從懸垂層的底表面和堤層的面向像素電極的側(cè)表面彼此交匯的點向像素電極突出的尖部，以及從像素限定層的上表面到堤層的上表面的高度與從像素限定層的上表面到懸垂層的尖部的底表面的高度不同。

5、在實施方式中，懸垂層的尖部可以具有與像素電極重疊的開口；堤層可以具有與像素電極重疊的開口；以及尖部的開口的寬度可以小于堤層的開口的寬度。

6、在實施方式中，從像素限定層的上表面到懸垂層的尖部的底表面的高度可以大于從像素限定層的上表面到堤層的上表面的高度。

7、在實施方式中，相對電極可以與堤層電連接。

8、在實施方式中，相對電極可以與懸垂層電連接。

9、在實施方式中，懸垂層可以包括導(dǎo)電材料。

10、在實施方式中，從像素限定層的上表面到懸垂層的尖部的底表面的高度可以小于從像素限定層的上表面到堤層的上表面的高度。

11、在實施方式中，相對電極可以與堤層電連接。

12、在實施方式中，懸垂層可以包括有機絕緣材料或無機絕緣材料。

13、在實施方式中，相對電極可以與懸垂層電連接。

14、在實施方式中，懸垂層可以包括導(dǎo)電材料。

15、在實施方式中，顯示裝置可以進一步包括：封裝層，在懸垂層和相對電極上；虛設(shè)中間層，在懸垂層上；以及虛設(shè)相對電極，在虛設(shè)中間層上。虛設(shè)中間層和虛設(shè)相對電極可以位于懸垂層和封裝層之間；虛設(shè)中間層可以包括與中間層的材料相同的材料；以及虛設(shè)相對電極可以包括與相對電極的材料相同的材料。

16、根據(jù)本公開的一個或多個實施方式，制造顯示裝置的方法包括：在基板上形成像素電極；形成具有暴露像素電極的至少一部分的開口的像素限定層；在像素限定層和像素電極上形成初步堤層；通過圖案化初步堤層形成具有與像素限定層的開口重疊的開口的堤層；形成初步犧牲層，以填充像素限定層的開口和堤層的開口，并且覆蓋堤層；通過圖案化初步犧牲層形成犧牲層；在堤層和犧牲層上形成初步懸垂層；通過圖案化初步懸垂層形成具有與像素限定層的開口和堤層的開口重疊的開口的懸垂層；以及去除犧牲層。形成懸垂層包括去除懸垂層的一部分，使得懸垂層的開口的寬度小于堤層的開口的寬度。

17、在實施方式中，初步犧牲層可以用包括光敏化合物的材料形成。

18、在實施方式中，形成犧牲層可以包括：去除初步犧牲層，使得從像素限定層的上表面到犧牲層的上表面的高度可以大于從像素限定層的上表面到堤層的上表面的高度。

19、在實施方式中，該方法可以進一步包括：在像素電極上形成中間層；以及在中間層上形成相對電極。相對電極可以形成為與懸垂層電連接。

20、在實施方式中，形成犧牲層可以包括：去除初步犧牲層，使得從像素限定層的上表面到犧牲層的上表面的高度可以小于從像素限定層的上表面到堤層的上表面的高度。

21、在實施方式中，該方法可以進一步包括：在像素電極上形成中間層；以及在中間層上形成相對電極?？梢詫⑾鄬﹄姌O形成為與堤層電連接。

22、在實施方式中，可以將相對電極形成為與懸垂層電連接。

23、在實施方式中，形成堤層可以包括：通過干蝕刻去除初步堤層。

24、通過參考附圖、權(quán)利要求書及其等同的詳細描述，本公開的以上及其它方面和特征將變得更加明顯。

技術(shù)特征：

1.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，從所述像素限定層的所述上表面到所述懸垂層的所述尖部的所述底表面的所述高度大于從所述像素限定層的所述上表面到所述堤層的所述上表面的所述高度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，所述相對電極與所述堤層電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，所述相對電極與所述懸垂層電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，所述懸垂層包括導(dǎo)電材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，從所述像素限定層的所述上表面到所述懸垂層的所述尖部的所述底表面的所述高度小于從所述像素限定層的所述上表面到所述堤層的所述上表面的所述高度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述相對電極與所述堤層電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，所述懸垂層包括有機絕緣材料或無機絕緣材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述相對電極與所述懸垂層電連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，所述懸垂層包括導(dǎo)電材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，進一步包括：

技術(shù)總結(jié)
顯示裝置包括：像素電極；像素限定層，在像素電極上，并且具有暴露像素電極的至少一部分的開口；堤層，在像素限定層上；懸垂層，在堤層上；中間層，在像素電極上；以及相對電極，在中間層上。懸垂層包括從懸垂層的底表面和堤層的面向像素電極的側(cè)表面彼此交匯的點向像素電極突出的尖部，以及從像素限定層的上表面到堤層的上表面的高度與從像素限定層的上表面到懸垂層的尖部的底表面的高度不同。

技術(shù)研發(fā)人員：李東勳,樸京淳,金慧玟,徐榮完,李根虎
受保護的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240322
技術(shù)公布日：2025/1/9