該描述涉及半導(dǎo)體器件。本文描述的解決方案可以被應(yīng)用于基于霍爾效應(yīng)的電流傳感器集成電路(ic)半導(dǎo)體器件以用于例如汽車或工業(yè)產(chǎn)品中的應(yīng)用。

背景技術(shù)：

1、一類用于測量電流的傳感器基于眾所周知的霍爾效應(yīng)。

2、對于低電流應(yīng)用，例如高達(dá)50a，傳統(tǒng)上，霍爾傳感器被組裝在一個封裝件中，該封裝件(例如，經(jīng)由表面安裝技術(shù)smt)被安裝在諸如印刷電路板pcb的襯底上，該襯底包括為在封裝件的下方(即包封的外部)流動的、要被測量的電流提供電流流動路徑的導(dǎo)電條帶或跡線。

3、由導(dǎo)電條帶所生成的磁場由布置在導(dǎo)電條帶附近的傳感器測量。

4、此類器件的靈敏度相對較低，并且測量可能受到噪聲的影響。這導(dǎo)致傳感器的準(zhǔn)確度較差。

5、為了提高電流傳感器的準(zhǔn)確度，可以在設(shè)計引線框架的情況下使用基于引線框架的封裝件，以便經(jīng)由引線框架引線重新引導(dǎo)來自pcb的要被測量的電流，并使該電流在ic傳感器正下方流動。

6、此類器件涉及復(fù)雜的組裝技術(shù)，并且傳感器的有源部分距離電流流動的導(dǎo)電條帶或跡線仍然相對較遠(yuǎn)，因此傳感器準(zhǔn)確度很難提高。

7、作為背景，對以下文獻(xiàn)進(jìn)行參考：美國專利第11,422,164號或第6,812,687號，作為提供具有改進(jìn)準(zhǔn)確度的電流測量器件的各種進(jìn)步的示例。

8、本領(lǐng)域中需要旨在解決前面所討論的問題的解決方案。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本公開的一個或多個方面，提供了一種電子器件，包括：絕緣包封物，包封半導(dǎo)體管芯，其中半導(dǎo)體管芯中集成有霍爾電流傳感器，霍爾電流傳感器被配置為測量在半導(dǎo)體管芯的有源表面附近流動的電流；導(dǎo)電跡線，被嵌入在絕緣包封物中，導(dǎo)電跡線具有相對端部，在相對端部之間設(shè)置有與半導(dǎo)體管芯的有源表面相鄰的電流流動路徑；第一導(dǎo)電構(gòu)造，穿過絕緣包封物朝向被嵌入在絕緣包封物中的導(dǎo)電跡線的相對端部，該第一導(dǎo)電構(gòu)造被配置為使經(jīng)受測量的電流在與半導(dǎo)體管芯的有源表面相鄰的電流流動路徑中流動；以及第二導(dǎo)電構(gòu)造，穿過絕緣包封物朝向半導(dǎo)體管芯的有源表面，該第二導(dǎo)電構(gòu)造被配置為激活被集成在半導(dǎo)體管芯中的霍爾電流傳感器。

2、在一個或多個實施例中，該電子器件還包括層壓在半導(dǎo)體管芯的有源表面上的絕緣膜，其中第二導(dǎo)電構(gòu)造包括在穿過絕緣膜而打開的過孔處的導(dǎo)電部件。

3、在一個或多個實施例中，其中被嵌入在絕緣包封物中的導(dǎo)電跡線具有環(huán)形形狀。

4、在一個或多個實施例中，其中被嵌入在絕緣包封物中的導(dǎo)電跡線具有板形形狀。

5、在一個或多個實施例中，其中被嵌入在絕緣包封物中的導(dǎo)電跡線具有位于相對端部之間的中間部分，并且其中中間部分比相對端部寬。

6、在一個或多個實施例中，其中被嵌入在絕緣包封物中的導(dǎo)電跡線具有位于相對端部之間的中間部分，并且其中在中間部分中設(shè)置有孔徑。

7、在一個或多個實施例中，其中絕緣包封物包括：絕緣膜層，在半導(dǎo)體管芯的有源表面上；包封部件的第一本體，包封半導(dǎo)體管芯，其中本體的前表面與絕緣膜層的前表面共面；包封部件的第二本體，覆蓋第一本體和絕緣膜層；其中第二導(dǎo)電構(gòu)造的部分被定位在第二本體與絕緣膜層之間，并且延伸穿過第二本體和絕緣膜層中的過孔開口；以及包封部件的第三本體，覆蓋第二本體；其中導(dǎo)電跡線被定位在第三本體與第二本體之間。其中第一導(dǎo)電構(gòu)造的部分延伸穿過第三本體；并且其中第二導(dǎo)電構(gòu)造的其他部分延伸穿過第三本體。

8、在一個或多個實施例中，其中封裝件中的電子器件不利用金屬引線框架。

9、在一個或多個實施例中，該電子器件還包括：跨第一導(dǎo)電構(gòu)造施加的經(jīng)受測量的電流，其中經(jīng)受測量的電流在與半導(dǎo)體管芯的有源表面相鄰的電流流動路徑中流動；以及施加到被集成在半導(dǎo)體管芯中的霍爾電流傳感器的第二導(dǎo)電構(gòu)造的信號，其中信號被配置為激活霍爾電流傳感器以測量在與半導(dǎo)體管芯的有源表面相鄰的電流流動路徑中流動的電流。

10、本文描述的解決方案提出了一種簡單、靈活且經(jīng)濟(jì)有效的方法來制造基于霍爾效應(yīng)的電流傳感器半導(dǎo)體器件，并且具有改進(jìn)的準(zhǔn)確度和靈敏度。

11、在本文描述的解決方案中，可以在晶片或面板級別執(zhí)行制造過程，以便促進(jìn)多個器件的并發(fā)處理。

12、在本文描述的解決方案中，被配置為攜帶要被測量的電流的導(dǎo)電跡線被嵌入在封裝件中并且靠近傳感器管芯延伸。

13、在本文描述的解決方案中，導(dǎo)電跡線的形狀可以被設(shè)計成增加/減少由電流生成并由霍爾傳感器測量的磁場的強(qiáng)度。

技術(shù)特征：

1.一種電子器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，還包括層壓在所述半導(dǎo)體管芯的所述有源表面上的絕緣膜，其中所述第二導(dǎo)電構(gòu)造包括在穿過所述絕緣膜而打開的過孔處的導(dǎo)電部件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，其中被嵌入在所述絕緣包封物中的所述導(dǎo)電跡線具有環(huán)形形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，其中被嵌入在所述絕緣包封物中的所述導(dǎo)電跡線具有板形形狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，其中被嵌入在所述絕緣包封物中的所述導(dǎo)電跡線具有位于所述相對端部之間的中間部分，并且其中所述中間部分比所述相對端部寬。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，其中被嵌入在所述絕緣包封物中的所述導(dǎo)電跡線具有位于所述相對端部之間的中間部分，并且其中在所述中間部分中設(shè)置有孔徑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，其中所述絕緣包封物包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子器件，其特征在于，其中封裝件中的所述電子器件不利用金屬引線框架。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開的各實施例涉及電子器件。電子器件包括一種絕緣包封物，包封半導(dǎo)體管芯，該半導(dǎo)體管芯具有集成的霍爾電流傳感器，該霍爾電流傳感器被配置為測量在半導(dǎo)體管芯的有源表面附近流動的電流。導(dǎo)電跡線被嵌入在絕緣包封物中。第一導(dǎo)電構(gòu)造穿過絕緣包封物朝向?qū)щ娵E線的相對端部延伸。第一導(dǎo)電構(gòu)造被配置為使經(jīng)受測量的電流在穿過導(dǎo)電跡線的電流流動路徑中流動。第二導(dǎo)電構(gòu)造穿過絕緣包封物朝向半導(dǎo)體管芯的有源表面延伸。第二導(dǎo)電構(gòu)造被配置為激活集成在半導(dǎo)體管芯中的霍爾電流傳感器。

技術(shù)研發(fā)人員：R·蒂齊亞尼,F·德維蒂
受保護(hù)的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體國際公司
技術(shù)研發(fā)日：20240328
技術(shù)公布日：2025/1/6