本技術(shù)涉及pcb板bonding焊接，具體為一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、引線鍵合（bonding）是把金屬引線連接到焊盤上的一種方法，即是把內(nèi)外部的芯片連接起來的一種技術(shù)。從結(jié)構(gòu)上看，金屬引線在芯片的焊盤（一次鍵合）和載體焊盤（二次鍵合）之間充當(dāng)著橋梁的作用。

2、相對(duì)于手機(jī)的oled面板，硅基oled芯片由于面積小、像素單元更小，ppi更高，電極引腳焊盤（pad）相對(duì)尺寸較小，而電路板（pcb）工藝最小線寬線距無法達(dá)到硅基芯片的要求，pcb的電極線寬線距會(huì)比硅基芯片更大，導(dǎo)致pcb電極和芯片電極會(huì)產(chǎn)生一定角度，而鋁線楔形焊接工藝，焊點(diǎn)一般呈橢球形，表面呈橢圓形，在bonding工藝中會(huì)因角度過大導(dǎo)致焊接不上，焊接良率過低。為此，針對(duì)上樹背景技術(shù)中提出的問題，本領(lǐng)域技術(shù)人員提出一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)及其bonding工藝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：

3、一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)，包括電路板、硅基芯片和前玻璃蓋板，所述硅基芯片裝配在電路板的上端，所述前玻璃蓋板設(shè)置在硅基芯片的上端，所述電路板上設(shè)置有多層電極引腳焊盤，所述硅基芯片上設(shè)置有芯片電極引腳焊盤，所述多層電極引腳焊盤中每層的電極引腳焊盤均與芯片電極引腳焊盤垂直對(duì)應(yīng)，所述多層電極引腳焊盤中每層電極引腳焊盤之間相互間隔錯(cuò)開。

4、優(yōu)選的，所述多層電極引腳焊盤到硅基芯片距離從近到遠(yuǎn)依次包括第一層電極引腳焊盤和第二層電極引腳焊盤，所述第一層電極引腳焊盤與第二層電極引腳焊盤之間相互間隔錯(cuò)開。

5、優(yōu)選的，所述第一層電極引腳焊盤和第二層電極引腳焊盤均與芯片電極引腳焊盤垂直對(duì)應(yīng)。

6、優(yōu)選的，所述多層電極引腳焊盤到硅基芯片距離從近到遠(yuǎn)依次包括第一層電極引腳焊盤、第二層電極引腳焊盤和第三層電極引腳焊盤，所述第一層電極引腳焊盤、第二層電極引腳焊盤和第三層電極引腳焊盤之間相互間隔錯(cuò)開。

7、優(yōu)選的，所述第一層電極引腳焊盤、第二層電極引腳焊盤和第三層電極引腳焊盤均與芯片電極引腳焊盤垂直對(duì)應(yīng)，所述第三層電極引腳焊盤與第二層電極引腳焊盤之間的距離為0.5-1mm。

8、優(yōu)選的，所述第二層電極引腳焊盤與第一層電極引腳焊盤4之間的距離為0.5-1mm，所述第一層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間的距離為1-1.5mm。

9、優(yōu)選的，所述第一層電極引腳焊盤和第二層電極引腳焊盤分別與芯片電極引腳焊盤通過金屬引線連接，所述第二層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間的金屬引線弧高比第一層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間的金屬引線弧高高150-200um。

10、優(yōu)選的，所述第三層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間通過金屬引線連接，所述第三層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間的金屬引線弧高比第二層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間的金屬引線弧高高150-200um。

11、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：

12、本實(shí)用新型，通過設(shè)置多層電極引腳焊盤，且多層電極引腳焊盤之間相互交錯(cuò)設(shè)置，每層電極引腳焊盤均與位于硅基芯片上的芯片電極引腳焊盤相互垂直對(duì)應(yīng)，在對(duì)pcb板上的電極引腳焊盤與硅基芯片表面上的芯片電極引腳焊盤通過金屬引線進(jìn)行焊接的時(shí)候，兩者之間保持垂直，可有效解決鋁線楔形焊接角度過大焊接不上的問題，有效提升bonding品質(zhì)。

技術(shù)特征：

1.一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括電路板、硅基芯片和前玻璃蓋板，所述硅基芯片裝配在電路板的上端，所述前玻璃蓋板設(shè)置在硅基芯片的上端，所述電路板上設(shè)置有多層電極引腳焊盤，所述硅基芯片上設(shè)置有芯片電極引腳焊盤，所述多層電極引腳焊盤中每層的電極引腳焊盤均與芯片電極引腳焊盤垂直對(duì)應(yīng)，所述多層電極引腳焊盤中每層電極引腳焊盤之間相互間隔錯(cuò)開。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述多層電極引腳焊盤到硅基芯片距離從近到遠(yuǎn)依次包括第一層電極引腳焊盤和第二層電極引腳焊盤，所述第一層電極引腳焊盤與第二層電極引腳焊盤之間相互間隔錯(cuò)開。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一層電極引腳焊盤和第二層電極引腳焊盤均與芯片電極引腳焊盤垂直對(duì)應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述多層電極引腳焊盤到硅基芯片距離從近到遠(yuǎn)依次包括第一層電極引腳焊盤、第二層電極引腳焊盤和第三層電極引腳焊盤，所述第一層電極引腳焊盤、第二層電極引腳焊盤和第三層電極引腳焊盤之間相互間隔錯(cuò)開。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一層電極引腳焊盤、第二層電極引腳焊盤和第三層電極引腳焊盤均與芯片電極引腳焊盤垂直對(duì)應(yīng)，所述第三層電極引腳焊盤與第二層電極引腳焊盤之間的距離為0.5-1mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二層電極引腳焊盤與第一層電極引腳焊盤之間的距離為0.5-1mm，所述第一層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間的距離為1-1.5mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一層電極引腳焊盤和第二層電極引腳焊盤分別與芯片電極引腳焊盤通過金屬引線連接，所述第二層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間的金屬引線弧高比第一層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間的金屬引線弧高高150-200um。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于改善鋁線bonding焊接的pcb板結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第三層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間通過金屬引線連接，所述第三層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間的金屬引線弧高比第二層電極引腳焊盤與芯片電極引腳焊盤之間的金屬引線弧高高150-200um。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及PCB板bonding焊接技術(shù)領(lǐng)域，尤其為一種用于改善鋁線bonding焊接的PCB板結(jié)構(gòu)，包括電路板、硅基芯片和前玻璃蓋板，所述硅基芯片裝配在電路板的上端，所述前玻璃蓋板設(shè)置在硅基芯片的上端，所述電路板上設(shè)置有多層電極引腳焊盤，所述硅基芯片上設(shè)置有芯片電極引腳焊盤，所述多層電極引腳焊盤中每層的電極引腳焊盤均與芯片電極引腳焊盤垂直對(duì)應(yīng)，所述多層電極引腳焊盤中每層電極引腳焊盤之間相互間隔錯(cuò)開。本裝置中在對(duì)電路板上的電極引腳焊盤與硅基芯片表面上的芯片電極引腳焊盤通過金屬引線進(jìn)行焊接的時(shí)候，兩者之間保持垂直，可有效解決鋁線楔形焊接角度過大焊接不上的問題，有效提升bonding品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：王華,鄒成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：昀光科技（南通）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240403
技術(shù)公布日：2025/1/2