本揭露是關(guān)于一種半導(dǎo)體元件。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體集成電路(integrated?circuit；ic)工業(yè)歷經(jīng)了指數(shù)性的成長。集成電路材料及設(shè)計(jì)的技術(shù)發(fā)展已創(chuàng)造了數(shù)代集成電路，每一代皆有比上一代更小且更復(fù)雜的電路。集成電路的演化的過程中，功能密度(如每個晶片內(nèi)的互連接元件的數(shù)量)不斷提升，而元件尺寸(如工藝所能制造出的最小組件)則不斷縮小。尺寸縮小的工藝一般提供了生產(chǎn)效率的提升以及減少相關(guān)的浪費(fèi)。然而，隨著特征的尺寸縮小，工藝持續(xù)地變得更難。因此，隨著尺寸越來越小，形成可靠的半導(dǎo)體元件是一挑戰(zhàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例，一種半導(dǎo)體元件包含第一晶體管和第二晶體管。一第一晶體管包含第一半導(dǎo)體通道層、第一柵極結(jié)構(gòu)，和第一源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體通道層具有第一晶向。第一柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一半導(dǎo)體通道層。第一源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)位于第一半導(dǎo)體通道層的相對兩端。第二晶體管位于第一晶體管上方，且具有和第一晶體管不同的導(dǎo)電類型，其中第二晶體管包含第二半導(dǎo)體通道層、第二柵極結(jié)構(gòu)和第二源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)。第二半導(dǎo)體通道層具有不同于第一晶向的第二晶向。第二柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞第二半導(dǎo)體通道層。第二源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)位于第二半導(dǎo)體通道層的相對兩端。

2、根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例，一種半導(dǎo)體元件包含第一晶體管、第二晶體管、介電層，和隔離結(jié)構(gòu)。第一晶體管包含第一半導(dǎo)體通道層、第一柵極結(jié)構(gòu)和第一源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)。第一柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一半導(dǎo)體通道層。第一源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)位于第一半導(dǎo)體通道層的相對兩端。第二晶體管位于第一晶體管上方，包含第二半導(dǎo)體通道層、第二柵極結(jié)構(gòu)和第二源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)。第二半導(dǎo)體通道層具有第一晶向。第二柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞第二半導(dǎo)體通道層。第二源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)位于第二半導(dǎo)體通道層的相對兩端。介電層垂直地位于第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)之間，其中介電層具有相同于第一晶向的第二晶向。隔離結(jié)構(gòu)位于第一源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)其中一者和第二源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)其中一者之間。

3、根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例，一種半導(dǎo)體元件包含第一晶體管和第二晶體管。一第一晶體管包含第一半導(dǎo)體通道層、第一柵極結(jié)構(gòu)，和第一源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體通道層具有第一晶向。第一柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一半導(dǎo)體通道層。第一源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)位于第一半導(dǎo)體通道層的相對兩端。第二晶體管位于第一晶體管上方，且具有和第一晶體管不同的導(dǎo)電類型，其中第二晶體管包含第二半導(dǎo)體通道層、第二柵極結(jié)構(gòu)和第二源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)。第二半導(dǎo)體通道層具有不同于第一晶向的第二晶向。第二柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞第二半導(dǎo)體通道層。第二源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)位于第二半導(dǎo)體通道層的相對兩端。一介電層垂直地位于第一晶體管和第二晶體管之間。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該第一晶向?yàn)?00晶向且該第一晶體管為一n型晶體管，而該第二晶向?yàn)?10晶向且該第一晶體管為一p型晶體管。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該第一晶向?yàn)?10晶向且該第一晶體管為一p型晶體管，而該第二晶向?yàn)?00晶向且該第一晶體管為一n型晶體管。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，其中該第一晶體管垂直地位于一基板和該第二晶體管之間，其中該基板具有相同于該第一晶向的一第三晶向。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，還包含一介電層垂直地位于該第一晶體管和該第二晶體管之間。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，還包含：

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，還包含一隔離層，位于該第一半導(dǎo)體層和該第二半導(dǎo)體層之間，且接觸該隔離結(jié)構(gòu)的該側(cè)壁。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，還包含一金屬氧化物層，垂直地位于該第一晶體管和該第二晶體管之間，其中該金屬氧化物層具有相同于該第二晶向的一第三晶向。

9.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：

10.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體元件包含第一晶體管和第二晶體管。一第一晶體管包含第一半導(dǎo)體通道層、第一柵極結(jié)構(gòu)，和第一源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體通道層具有第一晶向。第一柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一半導(dǎo)體通道層。第一源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)位于第一半導(dǎo)體通道層的相對兩端。第二晶體管位于第一晶體管上方，且具有和第一晶體管不同的導(dǎo)電類型，其中第二晶體管包含第二半導(dǎo)體通道層、第二柵極結(jié)構(gòu)和第二源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)。第二半導(dǎo)體通道層具有不同于第一晶向的第二晶向。第二柵極結(jié)構(gòu)環(huán)繞第二半導(dǎo)體通道層。第二源/漏極磊晶結(jié)構(gòu)位于第二半導(dǎo)體通道層的相對兩端。

技術(shù)研發(fā)人員：白佳靈,黃智揚(yáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240424
技術(shù)公布日：2025/1/9