本技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝，具體涉及一種細(xì)線路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、在電路制作過程中，隨著尺寸要求的不斷縮小(小于2微米)，出現(xiàn)了許多在粗線路制作中未曾遇到的問題。

2、其中之一是在移除在線路之外的種子層時，線路容易被蝕刻掉一部分。在粗線路制作中，這種蝕刻對電性和可靠度的影響尚可接受，但在細(xì)線路制作中，由于能夠承受的蝕刻量大大減少，一旦線路過于細(xì)小或形狀發(fā)生改變，其發(fā)生斷線的幾率大大增加，同時其電性和抗壓能力也會受到影響。

3、因此，如何降低細(xì)線路結(jié)構(gòu)由于移除種子層導(dǎo)致線路過細(xì)、形狀改變造成的斷線、電性或者抗壓能力下降等風(fēng)險，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)岢隽艘环N細(xì)線路結(jié)構(gòu)。

2、第一方面，本申請?zhí)峁┘?xì)線路結(jié)構(gòu)，包括：

3、介電層；

4、線路層，包括黏著層、種子層、電路層和保護(hù)層，所述黏著層設(shè)置于所述介電層上，所述種子層設(shè)置于所述黏著層上，所述電路層設(shè)置于所述種子層上，所述保護(hù)層設(shè)置于所述電路層上；

5、其中，定義第一方向由所述黏著層依次經(jīng)過所述種子層、所述電路層，垂直指向所述保護(hù)層，第二方向與所述第一方向相反，所述電路層的側(cè)壁由所述電路層的頂部沿所述第二方向漸縮，所述種子層的側(cè)壁由所述種子層的底部沿所述第一方向漸縮。

6、作為一種可能的實施方式，所述黏著層的側(cè)壁由所述黏著層的頂部和底部向黏著層的側(cè)壁的中心漸縮。

7、作為一種可能的實施方式，所述電路層的側(cè)壁漸縮的斜率與所述黏著層的側(cè)壁漸縮的斜率不同。

8、作為一種可能的實施方式，所述保護(hù)層沿所述第二方向的投影覆蓋所述線路層。

9、作為一種可能的實施方式，所述保護(hù)層的水平寬度大于所述種子層的水平寬度。

10、作為一種可能的實施方式，所述保護(hù)層的水平寬度大于所述黏著層的水平寬度。

11、作為一種可能的實施方式，所述電路層的側(cè)壁漸縮的斜率與所述種子層的側(cè)壁漸縮的斜率不同。

12、作為一種可能的實施方式，所述種子層的底部和所述黏著層的頂部形成突出部分。

13、作為一種可能的實施方式，所述突出部分為銳角結(jié)構(gòu)。

14、作為一種可能的實施方式，所述細(xì)線路結(jié)構(gòu)，還包括：

15、內(nèi)線路層，所述內(nèi)線路層設(shè)置于所述介電層內(nèi)部，所述內(nèi)線路層和所述線路層電性連接。

16、作為一種可能的實施方式，所述內(nèi)線路層和所述線路層通過通孔電性連接。

17、作為一種可能的實施方式，所述細(xì)線路結(jié)構(gòu)，還包括：

18、上介電層，所述上介電層包覆所述線路層。

19、作為一種可能的實施方式，所述細(xì)線路結(jié)構(gòu)，還包括：

20、外線路層，所述外線路層設(shè)置于所述上介電層上方。

21、作為一種可能的實施方式，所述細(xì)線路結(jié)構(gòu)，還包括：

22、下介電層，所述下介電層設(shè)置于所述介電層下方。

23、作為一種可能的實施方式，所述介電層為abf(ajinomoto?build-up?film)、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、聚丙烯或丙烯酸。

24、作為一種可能的實施方式，所述電路層為銅、金、銀、鋁、鈀、鉑或鎳合金。

25、為了降低細(xì)線路結(jié)構(gòu)由于移除種子層導(dǎo)致線路過細(xì)、形狀改變造成的斷線、電性或者抗壓能力下降等風(fēng)險，本申請?zhí)岢鲆环N細(xì)線路結(jié)構(gòu)，在去除部分種子層的制程中，由于設(shè)置了保護(hù)層，濕蝕刻會沿側(cè)壁蝕刻電路層，導(dǎo)致電路層側(cè)壁靠近頂面的部分漸寬，中間的部分略窄，進(jìn)而保護(hù)電路層不被蝕刻得過于嚴(yán)重，保護(hù)線路的寬度和形狀，減少其斷線的幾率，維持其電性和抗壓能力。

技術(shù)特征：

1.一種細(xì)線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述黏著層的側(cè)壁由所述黏著層的頂部和底部向黏著層的側(cè)壁的中心漸縮。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的細(xì)線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電路層的側(cè)壁漸縮的斜率與所述黏著層的側(cè)壁漸縮的斜率不同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)層沿所述第二方向的投影覆蓋所述線路層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)層的水平寬度大于所述種子層的水平寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)層的水平寬度大于所述黏著層的水平寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電路層的側(cè)壁漸縮的斜率與所述種子層的側(cè)壁漸縮的斜率不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述種子層的底部和所述黏著層的頂部形成突出部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的細(xì)線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述突出部分為銳角結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)線路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述細(xì)線路結(jié)構(gòu)，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)岢隽艘环N細(xì)線路結(jié)構(gòu)，包括：介電層；線路層，包括黏著層、種子層、電路層和保護(hù)層，所述黏著層設(shè)置于所述介電層上，所述種子層設(shè)置于所述黏著層上，所述電路層設(shè)置于所述種子層上，所述保護(hù)層設(shè)置于所述電路層上；其中，所述電路層的側(cè)壁由所述電路層的頂部沿第二方向漸縮，所述種子層的側(cè)壁由所述種子層的底部沿第一方向漸縮。這樣，在去除部分種子層的制程中，由于設(shè)置了保護(hù)層，濕蝕刻會沿側(cè)壁蝕刻電路層，導(dǎo)致電路層側(cè)壁靠近頂面的部分漸寬，中間的部分略窄，進(jìn)而保護(hù)電路層不被蝕刻得過于嚴(yán)重，保護(hù)線路的寬度和形狀，減少其斷線的幾率，維持其電性和抗壓能力。

技術(shù)研發(fā)人員：呂文隆
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240520
技術(shù)公布日：2025/1/9