專利名稱:熱爐控制晶體振蕩器組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及振蕩器，并且更具體地涉及高性能的、大小縮小的、低成本的熱爐控制晶體振蕩器組件。
背景技術(shù)：
振蕩器是用于提供基準(zhǔn)頻率源的公知裝置。振蕩器通常具有石英晶體或其他諧振器，并且也具有用于穩(wěn)定輸出頻率的電子補(bǔ)償電路。
現(xiàn)有技術(shù)中，有很多方法用于當(dāng)振蕩器的溫度改變時(shí)穩(wěn)定輸出頻率。溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)通常使用熱敏電阻，該熱敏電阻產(chǎn)生校正電壓，減小隨溫度變化的頻率的改變量。該校正電壓通常被應(yīng)用到在晶體電路中的變?nèi)荻?jí)管，用于微調(diào)晶體頻率。
為了獲得更穩(wěn)定的輸出，熱爐控制振蕩器(OCXO)將與周圍環(huán)境隔離的振蕩器的溫度敏感部分加熱到恒溫。熱爐控制振蕩器包含加熱器、溫度傳感器和用于控制加熱器的電路。溫度控制電路將晶體和臨界電路保持在精確的恒定溫度。最佳的控制器是按比例控制的，用于提供隨著環(huán)境溫度改變的穩(wěn)定的加熱電流，以將熱爐保持在精確的設(shè)定點(diǎn)，該設(shè)定點(diǎn)通常比最高預(yù)期的環(huán)境溫度高大約攝氏10度。雖然現(xiàn)有的振蕩器具有上述優(yōu)點(diǎn)，但是仍然需要性能更高的、體積更小的以及成本更低的熱爐控制晶體振蕩器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題為提供一種性能更高的、體積更小的以及成本更低的熱爐控制晶體振蕩器。本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種電子組件，所述電子組件包括基板，所述基板包括上表面、下表面和多個(gè)側(cè)表面；以及，在所述側(cè)表面之一內(nèi)限定的至少一個(gè)導(dǎo)電堡狀體(electrically conductivecastellation)，其包括與所述下表面隔開的下端。由所述側(cè)表面中限定的非導(dǎo)電凹槽限定所述堡狀體的下端和所述基板下表面之間的間隙，所述凹槽在所述堡狀體的下端和所述基板下表面之間延伸。
所述間隙和在導(dǎo)電堡狀體與基板下表面之間的非導(dǎo)電凹槽消除了導(dǎo)電堡狀體與耗電器母板上的任何一個(gè)導(dǎo)電連接焊盤接觸的風(fēng)險(xiǎn)，因此消除了短路的風(fēng)險(xiǎn)。
本發(fā)明的又一個(gè)目的在于提供一種振蕩器組件，包括基板，所述基板具有上表面、 下表面、相對(duì)的縱向側(cè)表面和相對(duì)的橫向側(cè)表面，并且在每一個(gè)所述相對(duì)的縱向和橫向的側(cè)表面中限定多個(gè)堡狀體。被限定在相對(duì)的縱向的每一個(gè)側(cè)表面中的堡狀體在所述基板的上表面和下表面之間延伸；被限定在橫向的每一個(gè)側(cè)表面中的多個(gè)堡狀體從所述上表面延伸，并且每一個(gè)堡狀體包括下端，所述下端在所述橫向的每一個(gè)側(cè)表面中限定的凹槽中終結(jié)，所述凹槽在所述橫向的每一個(gè)側(cè)表面中限定的多個(gè)堡狀體的下端和所述基板下表面之間延伸。
在一個(gè)實(shí)施例中，在每一個(gè)所述相對(duì)的橫向的側(cè)表面中限定一個(gè)細(xì)長(zhǎng)凹槽，并且所述凹槽的深度比在每一個(gè)橫向側(cè)表面中限定的多個(gè)堡狀體的深度大。
在另一個(gè)實(shí)施例中，在每一個(gè)所述橫向側(cè)表面中限定了多個(gè)凹槽，并且，每一個(gè)所述凹槽的的深度比在該橫向側(cè)表面中的相應(yīng)的多個(gè)堡狀體中的每一個(gè)的深度大。
本發(fā)明的又一個(gè)目的在于提供一種振蕩器電路，包括電源；連接到所述電源的振蕩器組件；加熱器控制電路；與所述加熱器控制電路進(jìn)行通信的溫度傳感器；與所述加熱器控制電路通信的加熱器；以及，根據(jù)本發(fā)明的限流電阻器，其連接在所述電源和所述加熱器控制電路之間。
存在從下面本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明、權(quán)利要求
和所附的權(quán)利要求
更容易明顯的本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)和特征。


通過如下的附圖的下面描述，可以最佳地理解本發(fā)明的這些和其他特征
圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中去除了外蓋的熱爐控制晶體振蕩器組件的放大簡(jiǎn)化分解透視圖；
圖2是在圖1中所示的熱爐控制振蕩器組件的另一個(gè)放大的簡(jiǎn)化分解透視圖；
圖3是根據(jù)本發(fā)明的熱爐控制晶體振蕩器組件的振蕩器電路的示意框圖；以及
圖4是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例中熱爐控制晶體振蕩器組件的基板的放大的仰視透視圖。
具體實(shí)施方式
在圖1和2中示出了本發(fā)明的熱爐控制晶體振蕩器組件或模塊10的電子組件的一個(gè)物理實(shí)施例。優(yōu)選的，振蕩器組件10的工作溫度范圍在大約-5°c至70°C之間。優(yōu)選的，電源電壓是直流3. 3V。
熱爐控制晶體振蕩器組件10初始包括標(biāo)準(zhǔn)玻璃環(huán)氧樹脂迭層的多層構(gòu)造的印刷電路板(PCB)或基板12，其上至少已經(jīng)安裝了并且/或者在其上表面13上限定了下面的電子/電氣部件/電路；溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)組件14，其在本實(shí)施例中包括晶體諧振器150 ；溫度補(bǔ)償集成電路(IC)16 ；以及，熱爐控制和加熱器電路20 (圖幻，其部分地包括集成電路(IC)熱爐/加熱器控制器44、加熱器元件48、50和52與電容器160、161、162 和 163。
一般矩形的印刷電路板(PCB)或基板12的尺寸小于大約5mmX7mm?；?2具有基本上平面的水平上表面13，基本上平面的水平上表面13與基本上平面的水平下表面15 相對(duì)。
基板12具有相對(duì)的大體平行的垂直橫壁或側(cè)表面110和112，以及相對(duì)的大體平行垂直縱壁或側(cè)表面114和116。在與上和下表面13和15基本上垂直的方向上布置了側(cè)表面110、112、114和116。側(cè)表面110、112、114和116圍繞PCB/基板12的外周延伸。
三個(gè)隔開的、平行的半圓堡狀體32a、32b、32c(圖1)形成在縱向延伸的側(cè)表面116，并且在上表面13和下表面15之間、一般垂直于上下表面延伸。三個(gè)隔開的、平行的半圓堡狀體34a、34b、34c(圖1和2)位于相對(duì)的縱向延伸的側(cè)表面114中，并且在上和下表面13和15之間、一般垂直于上下表面、在直徑上與堡狀體32a、32b、32c相對(duì)地延伸。
如圖1中所示，一對(duì)壁121和122形成在側(cè)表面112中。壁121和122 —般彼此垂直，并且一起在側(cè)表面112中形成內(nèi)肩，該內(nèi)肩在側(cè)表面112中限定了細(xì)長(zhǎng)、縱向延伸的凹陷、開口或凹槽120。壁121與上和下表面13和15平行，并且位于上和下表面13和15 之間。壁122與側(cè)表面112平行，但是從側(cè)表面112向內(nèi)移位。凹陷120和壁122兩者在上表面13的方向上從下表面15向上延伸，并且在壁121中終結(jié)。
5個(gè)隔開的平行的半圓堡狀體36a、36b、36c、36d和36e (圖1)位于側(cè)表面112上并且形成在側(cè)表面112中，并且在限定凹陷120的壁121和上表面13之間延伸。更具體地， 堡狀體36a-36e通常沿著側(cè)表面112從上表面13向沿著側(cè)表面112的寬度的一個(gè)點(diǎn)垂直向下地延伸，該點(diǎn)與下表面15隔開，并且凹陷或開口 120在側(cè)表面112中限定細(xì)長(zhǎng)間隙或凹口或凹槽，該細(xì)長(zhǎng)間隙或凹口或凹槽在垂直方向上在堡狀體36a_36e的每一個(gè)的下端和下表面15之間延伸。壁121位于相應(yīng)的堡狀體36a-36e的每一個(gè)的下端處，并且與該下端相交。
類似地，如圖2中所示，一對(duì)壁125和1 形成在側(cè)表面110中。壁125和1 一般彼此垂直地定位，并且一起在側(cè)表面110中形成內(nèi)肩，該內(nèi)肩在側(cè)表面110中限定細(xì)長(zhǎng)的、縱向延伸的凹陷、開口或凹槽124。壁125與上和下表面13和15平行，并且位于上和下表面13和15之間。壁126與側(cè)表面110平行，但是從側(cè)表面110向內(nèi)移位。凹陷124和壁1 在上表面13的方向上從下表面15向上延伸。
5個(gè)隔開的、平行的半圓堡狀體35a、35b、35c、35d和35e (圖2)位于側(cè)表面110 上，并且形成在側(cè)表面Iio中，并且在壁125和上表面13之間延伸。更具體地，堡狀體 35a-35e (圖2、通常沿著側(cè)表面110的寬度從上表面13向沿著側(cè)表面110的寬度的一個(gè)點(diǎn)垂直向下地延伸，該點(diǎn)與下表面15隔開，并且凹陷IM在側(cè)表面110中限定間隙或凹口或凹槽，該細(xì)長(zhǎng)間隙或凹口或凹槽在垂直方向上在相應(yīng)的堡狀體35a-35e的下端和下表面15 之間延伸。壁125位于相應(yīng)的堡狀體36a-36e的每一個(gè)的下端處，并且與該下端相交。
堡狀體32a-32c、;34a-;Mc、;35a-3k和36a_36e的每一個(gè)被一般半圓形狀的細(xì)長(zhǎng)凹槽限定，該一般半圓形狀的細(xì)長(zhǎng)凹槽形成在相應(yīng)的側(cè)表面110、112、114和116中；在一般垂直于上和下表面13和15的方向上延伸；并且，包括外表面，該外表面被覆蓋/涂布導(dǎo)電材料層，諸如銅等，以限定電信號(hào)的路徑。
堡狀體32a-32c、;34a-;Mc、;35a-3k和36a_36e的每一個(gè)具有附接的、一般半圓形狀的、導(dǎo)電材料的焊盤130(圖幻，該焊盤圍繞其上面的相應(yīng)的開口，該開口在上表面13中終結(jié)。堡狀體32a_c與34a_c的每一個(gè)進(jìn)一步具有附接的、相應(yīng)的一般矩形的、導(dǎo)電材料的焊盤132(圖1)，該焊盤圍繞其相應(yīng)的下開口，該開口在下表面15中終結(jié)。
在圖1和2的實(shí)施例中，在相應(yīng)的側(cè)表面112和110中的凹陷或凹槽120和IM 的每一個(gè)延伸到相應(yīng)的側(cè)表面112和110內(nèi)大于相應(yīng)的堡狀體36a-36e和35a_35e的半徑的深度，以建立位于相應(yīng)的堡狀體36a-36e和35a_35e的下端處的相應(yīng)水平壁121和125。 另外，在限定相應(yīng)的凹槽120和124的PCB/基板12的相應(yīng)側(cè)表面112和110中的相應(yīng)壁 121、122、125和126沒有任何導(dǎo)電材料，因此由相應(yīng)的壁121、122、125和126限定的相應(yīng)凹陷或凹槽120和124保證在相應(yīng)堡狀體35a-3k和36a_36e的導(dǎo)電下端和在耗電器的母板 (未示出)上的任何導(dǎo)電連接焊盤之間存在空間或間隙，因此沒有電接觸或連接，其中PCB/ 基板12安裝在耗電器的母板上。相應(yīng)的堡狀體35a-3k和36a_36e與下表面15之間的間隙消除了 PCB/基板12和任何一個(gè)耗電器母板上的導(dǎo)電連接焊盤之間產(chǎn)生短路的風(fēng)險(xiǎn)。
雖然在此未以任何細(xì)節(jié)描述或示出，PCB/基板12另外包括多條電路線，該多條電路線形成和定位在上表面13上和其內(nèi)部表面或?qū)又校詫⒃谏媳砻?3上的各個(gè)元件彼此電連接并且/或者電連接到堡狀體32a-32c、34a-34c、35a-3k和36a_36e的任何一個(gè)或多個(gè)。例如，在圖1和2的實(shí)施例中，覆蓋每一個(gè)相應(yīng)的35a-3k和36a_36e外表面的導(dǎo)電材料層可以耦合到導(dǎo)電材料(未示出)的層或帶，該層或帶延伸通過PCB/基板12的內(nèi)部，并且在堡狀體材料35a_3k和36a_36e的一個(gè)或多個(gè)的外表面上的導(dǎo)電材料中終結(jié)。
如上所述并且如圖1和2中所示，使用諸如表面安裝布置和焊接的傳統(tǒng)電子組件技術(shù)來(lái)在PCB/基板12的上表面13上安裝幾個(gè)電子部件。
溫度補(bǔ)償集成電路16 (圖2) —般被定位和安裝在PCB/基板12的上表面13上的中心。
在所示的實(shí)施例中具有熱敏電阻形式的溫度感測(cè)元件或傳感器40 (圖2)位于與溫度補(bǔ)償集成電路16相鄰并且在晶體150之下的PCB/基板12的上表面13上。熱敏電阻 40被設(shè)計(jì)并且定位在PCB/基板12上，以感測(cè)晶體150的溫度。
晶體150 (圖1和2、是傳統(tǒng)的AT或SC截割石英晶體諧振器，該諧振器被適配來(lái)在預(yù)定的頻率諧振。晶體150被封裝在具有底座153的金屬盒152中。電子引線IM從底座153延伸。引線巧4具有相對(duì)的端155和156。引線端155延伸到盒152內(nèi)，并且引線端 156延伸到在PCB 12的上表面13中的相應(yīng)的孔138內(nèi)。焊料158將端156保留在孔138中。
溫度傳感器40連接到熱爐控制和加熱器電路20 (圖幻，并且更具體地連接到集成電路熱爐/加熱器控制器44，集成電路熱爐/加熱器控制器44繼而連接到并且控制多個(gè)加熱器元件48、50和52 (圖幻。在所示的實(shí)施例中，加熱器元件48、50和52包括電阻器，并且集成電路熱爐/加熱器控制器44集成了放大器。
集成電路熱爐/加熱器控制器44從溫度傳感器40接收作為輸入的溫度信號(hào)，并且提供作為輸出的加熱器控制信號(hào)。當(dāng)在由外蓋72(圖1和2)的內(nèi)部限定的熱爐中的溫度降低得小于選擇值時(shí)，集成電路熱爐/加熱器控制器44提高向加熱器元件的功率，以提高在熱爐內(nèi)的溫度。當(dāng)在熱爐中的溫度提高得大于選擇值時(shí)，集成電路熱爐/加熱器控制器44減少向加熱器元件48、50和52的功率，以允許熱爐內(nèi)溫度降低。
集成電路熱爐/加熱器控制器44和多個(gè)加熱器元件48、50和52位于一般在晶體 150(圖幻下的PCB/基板12的上表面13上，以為晶體150提供均勻分布的平衡加熱。電容器160、161、162和163被布置在PCB/基板12的上表面13上，以執(zhí)行適當(dāng)?shù)臑V波和去耦合功能。
溫度傳感器40位于上表面13上中心位置，與溫度補(bǔ)償集成電路16的右側(cè)邊相鄰。集成電路熱爐/加熱器控制器44與溫度傳感器40相鄰并且在其右面。
加熱器元件48位于溫度補(bǔ)償集成電路16之下，并且與溫度補(bǔ)償集成電路16的右下角邊隔開。加熱器元件50位于溫度補(bǔ)償集成電路16之上，并且與溫度補(bǔ)償集成電路16的右上角隔開。加熱器元件52位于集成電路熱爐/加熱器控制器44之下并且與集成電路熱爐/加熱器控制器44的下邊隔開。加熱器元件M位于孔138之間朝向印刷電路板側(cè)表面 112。
加熱器元件48、50和52與加熱器160、161、162和163 —起形成熱爐控制和加熱
器電路20的一部分。振蕩器組件10的具體應(yīng)用和期望的性能決定了熱爐控制和加熱器電路20的各個(gè)元件的數(shù)量、選擇、布置、互連和值。
在圖2的實(shí)施例中，晶體150至少覆蓋溫度補(bǔ)償集成電路16、集成電路熱爐/加熱器控制器44、溫度傳感器40和加熱器元件48、60和52。在所示的實(shí)施例中，晶體150安裝在溫度補(bǔ)償集成電路16的頂部上(圖2)。
如圖1和2中所示，振蕩器組件10進(jìn)一步包括外蓋72，該外蓋72優(yōu)選地覆蓋PCB/ 基板12的全上表面13。蓋72包括上部或頂部73和四個(gè)向下靠的壁74，該向下靠的壁限定被適配來(lái)安裝在上表面13上的相應(yīng)的下外端面或邊。蓋72的壁74和上表面73 —起限定內(nèi)腔75。凹槽76(圖1)被限定在壁74的一些內(nèi)表面中并且在其中延伸?？梢詮闹T如塑料的絕緣材料構(gòu)成蓋72。蓋72，更具體地其內(nèi)腔75，限定了內(nèi)部熱爐，這有助于將振蕩器組件10及其部件保持在恒定的溫度，因此減少了振蕩器組件10的功率要求。具有蓋72的振蕩器模塊10的總高度是大約5. 5毫米。
四個(gè)隔開的、向下伸出的腳、柱或叉88從蓋72的角向下延伸。柱88被插入在PCB/ 基板12的上表面13中限定的四個(gè)相應(yīng)的孔或腔90內(nèi)。
與相應(yīng)的腔90組合的腳88用于向PCB/基板12定位和緊固蓋72。蓋72優(yōu)選地具有可以覆蓋位于上表面13上的所有電子部件的尺寸，其中包括溫度補(bǔ)償集成電路16、溫度傳感器40和晶體150。
由集成電路熱爐/加熱器控制器44和加熱器元件48、50和52產(chǎn)生的熱量被向上傳送到覆蓋的晶體150，以為晶體105提供均勻分布的熱量。
參見圖1，四個(gè)壁168延伸到PCB/基板12的下表面15內(nèi)，以在PCB/基板12的下表面15中限定凹陷或腔或袋96。袋96向下表面15內(nèi)和PCB/基板12的內(nèi)部突出。
腔或袋96優(yōu)選地位于對(duì)應(yīng)晶體150的PCB/基板12的上表面13上的區(qū)域之下的 PCB/基板12的區(qū)域中。腔或袋96中密封空氣，并且限定了在上下表面13和15之間的絕緣層或區(qū)域。
圖3描述了振蕩器組件10的振蕩器電路200的一個(gè)實(shí)施例，其中，振蕩器14連接到電源端Vcc、地端子GND和RF輸出端RF輸出。振蕩器14可以是使用AT截割石英晶體來(lái)穩(wěn)定的科耳皮茲振蕩器。振蕩器電路200在RF輸出端RF輸出產(chǎn)生穩(wěn)定的基準(zhǔn)頻率。
熱爐控制振蕩器電路200包括熱爐控制和加熱器電路20。如上所述，熱爐控制和加熱器電路20至少包括集成電路熱爐/加熱器控制器44、溫度傳感器40和加熱器電阻器 48,50和52。集成電路熱爐/加熱器控制器44連接到溫度傳感器40和加熱器電阻器48、 50和52。加熱器電阻器48、50和52繼而連接到地端子GND。溫度傳感器40向集成電路熱爐/加熱器控制器44提供溫度傳感器信號(hào)，集成電路熱爐/加熱器控制器44繼而調(diào)節(jié)向加熱器電阻器48、50和52施加的電流，并且調(diào)節(jié)由振蕩器14感測(cè)的溫度。
限流電阻器230連接在集成電路熱爐/加熱器控制器44和電源端子Vcc之間，以保證振蕩器模塊10的導(dǎo)通電流，并且更具體地集成電路熱爐/加熱器控制器44的導(dǎo)通電流，不超過耗電器的電源的額定電流能力。
具體地說(shuō)，限流電阻器230減小向集成電路熱爐/加熱器控制器44施加的電壓， 減小的量與流過電阻器230的電流乘以電阻器230的電阻值相等。例如，假定限流電阻器 230具有3. 3歐姆的值。如果集成電路熱爐/加熱器控制器44導(dǎo)通到其正常的飽和狀態(tài)， 則在加熱器電阻器48、50和52的4歐姆阻抗加上限流電阻器230的3. 3歐姆的總電阻7. 3 歐姆上可獲得大約2. 6伏特(Vcc-集成電路熱爐/加熱器控制器44的飽和電壓)。導(dǎo)通電流然后被限制到356毫安。在3. 3歐姆限流電阻器230上的電壓降將是大約1.2伏特。因此，集成電路熱爐/加熱器控制器44必須能夠在2. 1伏特的電源電壓下運(yùn)行。集成電路熱爐/加熱器控制器44被配置來(lái)在這個(gè)低電壓下運(yùn)行，以控制輸出電流。
在集成電路熱爐/加熱器控制器44和電源Vcc之間使用限流電阻器230使集成電路熱爐/加熱器控制器44比將加熱器電阻器48、50和52的值提高以將導(dǎo)通電流限制到同一值提供了超過環(huán)境溫度范圍的熱量。
分析還指出，與增加加熱器電阻器48、50和52的值相比，由加熱器元件48、50和 52產(chǎn)生的熱量可以減少50%，這包括由與電源Vcc串聯(lián)的限流電阻器230散出的熱量。
當(dāng)在由內(nèi)部蓋腔75限定的熱爐中的熱源被均勻地分布在環(huán)境溫度范圍上時(shí)，在熱爐中的振蕩器14的溫度被更精確地控制，導(dǎo)致在端子RF輸出的更穩(wěn)定的基準(zhǔn)頻率。
圖4描述了振蕩器組件或模塊10的PCB/基板312的另一個(gè)實(shí)施例。與上面詳細(xì)描述的基板12相似，基板312由標(biāo)準(zhǔn)玻璃環(huán)氧樹脂迭層的多層構(gòu)造構(gòu)成，在該多層結(jié)構(gòu)上， 與上述實(shí)施例相同的電子/電氣部件/電路已經(jīng)被安裝和/或限定在上表面13上。
通常矩形的印刷電路板(PCB)或基板312具有與大體平面的水平下表面315相對(duì)的大體平面水平上表面313。PCB/基板312也具有相對(duì)的平行的大體縱向的橫壁或側(cè)表面410和412和相對(duì)的平行的大體縱向的縱壁或側(cè)表面414和416。側(cè)表面410、412、414 和416被布置在與上和下表面313和315大致垂直的方向上。側(cè)表面410、412、414和416 圍繞基板312的外周延伸。
三個(gè)隔開的、平行的半圓堡狀體33h、332b和332c形成在縱向延伸的側(cè)表面416 中，并且在上和下表面313和315之間并且與其垂直地延伸。三個(gè)隔開的、平行的半圓堡狀體33^、334b和33 形成在相對(duì)的縱向延伸的側(cè)表面414中，并且在上和下表面313和 315之間并且一般垂直于上和下表面313和315地并且在直徑上與堡狀體33h、332b、332c 相對(duì)地延伸。
5個(gè)隔開的、平行的半圓堡狀體33fe、335b、335c、335d和33 形成在側(cè)表面410 中。5個(gè)隔開的、平行的半圓堡狀體336a、336b、336c、336d和336e形成在側(cè)表面412中。
堡狀體332a-332c、334a-334c、335a_33k 和 336a_336e 的每一個(gè)被一般半圓形狀的細(xì)長(zhǎng)凹槽限定，該一般半圓形狀的細(xì)長(zhǎng)凹槽形成在相應(yīng)的側(cè)表面410、412、414和416中； 在一般垂直于PCB/基板312的上和下表面313和315的方向上延伸；并且，被覆蓋/涂布導(dǎo)電材料層，諸如銅等，以限定電信號(hào)的路徑。
堡狀體332a-332c、334a-334c、335a_33k 和 336a_336e 的每一個(gè)具有附接的、 相應(yīng)半圓形狀的、導(dǎo)電材料的焊盤430，該焊盤圍繞其上面的相應(yīng)的開口，該開口在上表面 313中終結(jié)。堡狀體33h-332c與33如_33如另外具有附接的、相應(yīng)的一般矩形的、導(dǎo)電材料的焊盤432，該焊盤圍繞其相應(yīng)的下開口，該開口在下表面315中終結(jié)。[0062]堡狀體33^1-33 和336a_336e的每一個(gè)從上表面313向下延伸，并且在與下表面315隔開的在相應(yīng)的側(cè)表面410和412中的某點(diǎn)終結(jié)，并且由相應(yīng)的半圓形狀的垂直壁43^1-43 和436a-436e限定的相應(yīng)的半圓形狀的細(xì)長(zhǎng)凹槽或凹陷在相應(yīng)的堡狀體 335a-335e和336a_336e的下端和下表面315之間延伸。
壁和436a_436e沒有任何導(dǎo)電材料，并且具有比相應(yīng)的堡狀體 335a-335e和336a_336e的半徑更大的半徑以在相應(yīng)的側(cè)表面410和412中形成相應(yīng)的水平壁535a-53k和536a_536e，相應(yīng)的側(cè)表面410和412位于相應(yīng)的堡狀體335a_33k和 336a-336e的下端處。壁535a_53k和536a_536e的每一個(gè)與PCB/基板312的上和下表面 313和315—般平行和隔開。
根據(jù)這個(gè)基板實(shí)施例312，限定相應(yīng)的獨(dú)立凹陷或凹槽的相應(yīng)的單獨(dú)壁 435a-435e和436a_436e的形成保證了在相應(yīng)的堡狀體335a_33k和336a_336e的每一個(gè)的導(dǎo)電下端和在耗電器的母板(未示出)的上表面上的導(dǎo)電連接焊盤的任何一個(gè)之間存在空間或間隙，因此沒有接觸，其中，所述獨(dú)立凹陷或凹槽在相應(yīng)堡狀體和 336a-336e與PCB/基板312的下表面315之間延伸，PCB/基板212被適配來(lái)安裝在所述母板上。沒有接觸也就消除了在基板312和在耗電器母板的導(dǎo)電連接焊盤的任何一個(gè)之間的任何短路的風(fēng)險(xiǎn)。
雖然未以任何細(xì)節(jié)在此描述或示出，并且以與上述的PCB/基板實(shí)施例12類似的方式，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以明白，基板312限定了多條電路線，該多條電路線形成和定位在上表面313上和在基板312的其他內(nèi)部平面和層上，基板312的其他內(nèi)部平面和層被適配來(lái)將各個(gè)元件彼此電連接并且/或者電連接到堡狀體，所述其他內(nèi)部平面和層包括例如向覆蓋相應(yīng)的堡狀體和336a-336e的外部的導(dǎo)電材料的一個(gè)或多個(gè)層內(nèi)終結(jié)的導(dǎo)電材料的內(nèi)部層或帶。
雖然已經(jīng)特別參考熱爐控制振蕩器組件的上述實(shí)施例而教導(dǎo)了本發(fā)明，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行改變。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為所描述的實(shí)施例在各個(gè)方面僅是說(shuō)明性的，并且不是限定性的。因此，本發(fā)明的范圍被所附的權(quán)利要求
而不是上述的描述指示。在權(quán)利要求
的等同內(nèi)容的含義和范圍內(nèi)的所有改變要被包含在它們的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電子組件，所述電子組件包括基板，所述基板包括上表面、下表面和多個(gè)側(cè)表面；以及，在所述側(cè)表面之一內(nèi)限定的至少一個(gè)導(dǎo)電堡狀體，所述堡狀體包括與所述基板的下表面隔開的下端。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的電子組件，其中，非導(dǎo)電凹槽形成在具有所述堡狀體的基板的一個(gè)側(cè)表面中，并且所述凹槽在所述堡狀體的下端和所述基板的下表面之間延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求
2所述的電子組件，其中，所述凹槽的深度比所述堡狀體的深度大。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的電子組件，進(jìn)一步包括多個(gè)隔開的導(dǎo)電堡狀體，所述導(dǎo)電堡狀體被限定在所述基板的至少一個(gè)側(cè)表面中，并且包括與所述基板下表面隔開的相應(yīng)下端；形成在具有所述多個(gè)堡狀體的基板一個(gè)側(cè)表面中的細(xì)長(zhǎng)的非導(dǎo)電凹槽，所述細(xì)長(zhǎng)凹槽從所述基板的下表面延伸，并且在所述多個(gè)堡狀體的相應(yīng)下端中終結(jié)。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的電子組件，進(jìn)一步包括多個(gè)隔開的導(dǎo)電堡狀體，所述導(dǎo)電堡狀體被限定在所述基板的至少一個(gè)側(cè)表面中，并且包括與所述基板下表面隔開的相應(yīng)下端；以及，多個(gè)隔開的非導(dǎo)電凹槽，其形成在具有所述多個(gè)堡狀體的基板的一個(gè)側(cè)表面中， 所述多個(gè)凹槽從所述基板的下表面延伸，并且在所述多個(gè)堡狀體的相應(yīng)下端中終結(jié)。
6.一種振蕩器組件，包括基板，所述基板具有上表面、下表面、相對(duì)的縱向側(cè)表面和相對(duì)的橫向側(cè)表面；以及多個(gè)堡狀體，其被限定在每一個(gè)所述相對(duì)的縱向和橫向的側(cè)表面中，并且被導(dǎo)電材料覆蓋；被限定在相對(duì)的縱向的每一個(gè)側(cè)表面中的堡狀體在所述基板的上表面和下表面之間延伸；被限定在相對(duì)的橫向的每一個(gè)側(cè)表面中的多個(gè)堡狀體從所述上表面延伸，并且每一個(gè)堡狀體包括下端，并在每一個(gè)所述橫向的側(cè)表面中限定的凹槽中終結(jié)，所述凹槽沒有導(dǎo)電材料，并且在所述每一個(gè)橫向的側(cè)表面中限定的多個(gè)堡狀體的下端和所述基板的下表面之間延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的振蕩器組件，其中，在每一個(gè)所述相對(duì)的橫向的側(cè)表面中限定一個(gè)細(xì)長(zhǎng)凹槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求
7所述的振蕩器組件，其中，在每一個(gè)所述橫向側(cè)表面中的細(xì)長(zhǎng)凹槽的深度比在每一個(gè)橫向側(cè)表面中限定的多個(gè)堡狀體的深度大。
9.根據(jù)權(quán)利要求
6所述的振蕩器組件，其中，在每一個(gè)所述橫向側(cè)表面中限定多個(gè)凹槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求
9所述的振蕩器組件，其中，在每一個(gè)所述橫向側(cè)表面中的所述多個(gè)凹槽中的每一個(gè)的深度比在該橫向側(cè)表面中的相應(yīng)的多個(gè)堡狀體中的每一個(gè)的深度大。
11.一種振蕩器電路，包括電源；根據(jù)權(quán)利要求
6-10之一連接到所述電源的振蕩器組件；加熱器控制電路；與所述加熱器控制電路進(jìn)行通信的溫度傳感器；與所述加熱器控制電路通信的加熱器；以及，限流電阻器，其連接在所述電源和所述加熱器控制電路之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求
11所述的振蕩器電路，其中，所述加熱器控制電路是集成電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求
11所述的振蕩器電路，其中，所述限流電阻器串聯(lián)在所述電源和所述加熱器控制電路之間。
專利摘要
一種振蕩器組件包括基板，該基板具有上表面、下表面和多個(gè)側(cè)表面。側(cè)表面的至少一個(gè)具有至少一個(gè)堡狀體，所述堡狀體被導(dǎo)電材料覆蓋，并且包括與基板下表面隔開的下端。所述隔開的空間被在側(cè)表面中的細(xì)長(zhǎng)凹槽限定，該凹槽沒有導(dǎo)電材料，并且在堡狀體的下端和基板的下表面之間延伸，以消除與在耗電器的母板上任何一個(gè)連接焊盤的短路的風(fēng)險(xiǎn)。振蕩器組件進(jìn)一步包括振蕩器電路，其中，限流電阻器串聯(lián)在電源和加熱器控制電路之間。
文檔編號(hào)H03L1/04GKCN202168064 U發(fā)布類型授權(quán) 專利申請(qǐng)?zhí)朇N 200990100521
公開日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2009年10月1日
發(fā)明者J·施托爾普曼 申請(qǐng)人:Cts公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan