專利名稱:用低電流驅(qū)動三態(tài)門陣列的驅(qū)動電路的制作方法
本發(fā)明是關(guān)于一種驅(qū)動電路，它能同步并迅速地用低驅(qū)動電流使一個三態(tài)門陣列復(fù)雜輸出緩沖器進(jìn)入或脫離一種懸浮的第三態(tài)。
門陣列電路的先有技術(shù)是眾所周知的。這種電路的特征是包括標(biāo)準(zhǔn)的元件結(jié)構(gòu)，例如輸入/輸出引線端，門，輸出緩沖器和驅(qū)動器，每個驅(qū)動器都有通過一層或多層金屬層相互聯(lián)結(jié)的端點(diǎn)。這種門陣列的使用者選擇一種特別標(biāo)準(zhǔn)形態(tài)的元件，然后設(shè)計(jì)一些獨(dú)特的金屬層樣式與標(biāo)準(zhǔn)形狀的元件聯(lián)結(jié)成一種按規(guī)格改制的形狀。這種金屬層是高度密集的，因此，金屬層中的每個導(dǎo)體都需要盡可能的薄。
如下面較詳細(xì)描述的，先有技術(shù)中門陣列電路的缺點(diǎn)是要大電流的控制信號以設(shè)置每個特別組的輸出緩沖器進(jìn)入或脫離第三懸浮狀態(tài)。由于許多輸出緩沖器同時受同樣的三態(tài)控制信號所控制，所以較好的是采用一條扇出形式的控制線路，將三態(tài)控制信號提供給復(fù)雜輸出緩沖器。然而，考慮到需要較大的電流。而標(biāo)準(zhǔn)寬度的導(dǎo)體是不能承受這種扁出形式排列所需電流的，所以每一輸出緩沖器的三態(tài)控制輸入端都要有一條獨(dú)立的控制線，從而使先有技術(shù)門陣列中存在的密集度問題更顯突出了。
本發(fā)明的一個目的是給門陣列提供一個驅(qū)動電路，允許在每一組輸出緩沖器中用一單個，窄寬度扇出導(dǎo)體以控制復(fù)雜輸出緩沖器的浮動狀態(tài)。
其他目的和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，一部分將在下面闡述，另一部分從描述中可以清楚地理解或者從本發(fā)明的實(shí)踐中學(xué)到。
為達(dá)到上述目的及與在此已具體化及廣泛描述過的本發(fā)明目的相一致，提供了一個使三態(tài)門陣列的復(fù)雜輸出緩沖器同步進(jìn)入或脫離浮動三態(tài)的驅(qū)動電路，該電路包括(a)復(fù)雜緩沖器的驅(qū)動晶體管，每個輸出緩沖器有一個，每個緩沖器的驅(qū)動晶體管都有一條原電流通路接至各個輸出緩沖器的三態(tài)控制輸入端，并且每個緩沖器的驅(qū)動晶體管還有一個控制極;(b)，一個第一電組;(c)，一個共用驅(qū)動晶體管，具有一個原電流通路，經(jīng)過第一電阻器與地相接;(d)，一個導(dǎo)體，用以將共用驅(qū)動晶體管的原電流通路及第一電阻器的結(jié)點(diǎn)與每個緩沖器的驅(qū)動晶體管截止時導(dǎo)體對地放電的箝位電路，該箝位電路包括一個箝位晶體管，這個晶體管在導(dǎo)體和地之間有一條原電流通路，并且有一個控制極，該箝位電路還具有一個與共用驅(qū)動晶體管相接的微分電路，用以檢測共用驅(qū)動晶體管關(guān)斷脈沖的前沿，并且和箝位晶體管的控制極相接，在檢測到脈沖前沿時，將箝位晶體管瞬時導(dǎo)通，從而迅速使導(dǎo)體箝制接地。
圖1所示為先有技術(shù)中門陣列元件結(jié)構(gòu)的方塊圖。
圖2為先有技術(shù)中門陣列的一部分金屬層的圖示。
圖3為先有技術(shù)中門陣列的驅(qū)動器和輸出緩沖器的簡圖。
圖4為與本發(fā)明項(xiàng)目的學(xué)說相應(yīng)的驅(qū)動器電路的圖解說明。
現(xiàn)在參考附圖，包括先有技術(shù)圖1-3。
三態(tài)門陣列對于熟悉本技術(shù)領(lǐng)域：
的人來說是熟知的。一種這類陳列的符號說明示于圖1。在芯片10上包括復(fù)雜輸入/輸出引線端12-1至12-N1，復(fù)雜門14-1至14-N2，復(fù)雜輸出緩沖器16-1至16-N3及復(fù)雜驅(qū)動器18-1至18-N4。14-1至14-N2每個門具有兩個輸入端20，22及一個輸出端24。從16-1至16-N3的每個輸出緩沖器具有高/低輸入端26，一根三態(tài)控制輸入端28及一根輸出端30。從18-1至18-N4的每個驅(qū)動器有一根輸入端32及一根輸出端34。
從12-1至12-N1的引線端可以用作輸入端或輸出端，由芯片10的最終使用者自己來確定。從14-1至14-N2的每個門的輸入端20和22可以聯(lián)結(jié)成從引線端12-1至12-N1接收信號，或者聯(lián)結(jié)成從另一個門14-1至14-N2的輸出端24得到信號。相應(yīng)地，門14-1至門14-N2可以由最終使用者所選擇的方式串聯(lián)。
輸出緩沖器16-1至16-N3各自的端點(diǎn)30能傳遞輸出一個最電平，輸出一個低電平或一個懸浮狀態(tài)，對精于此技術(shù)領(lǐng)域：
的專家來說是熟知的。在輸出端30輸出高電平及輸出低電平狀態(tài)是由輸入控制端26提供的高/低的控制信號來支配的。輸出端30的第三懸浮狀態(tài)是由加在輸入端28上的三態(tài)控制信號所建立的。輸出緩沖器16-1至16-N3上任何形式的控制信號都可以直接地從引線端12-1至12-N1經(jīng)過外部電源而釋放，或者從驅(qū)動器18-1至18-N4的各自的輸入端32可以或接至門14-1至14-N2的一個輸出端24，或者接至經(jīng)過引線端12-1至12-N1的一個外部信號。
應(yīng)該理解，圖1提供的是一個簡化了的門陣列圖例，例如，事實(shí)上可以包括能使從門14-1至14-N2來的輸出信號，在輸出緩沖器16-1至16-N3的端點(diǎn)30上產(chǎn)生適宜的輸出信號的晶體管。此外，門，輸出緩沖器，驅(qū)動器及輸入/輸出引線的數(shù)目與已知的先前技術(shù)中布置相同。實(shí)際上，可以在一個芯片上使用成百個門，而且還可以在門陣列芯片10上的門，輸出緩沖器和驅(qū)動器以外附加電路。
使用如圖1中所列舉的門陣列的好處是，使用者可以用一個標(biāo)準(zhǔn)的陣列芯片，而將其上元件的互相聯(lián)結(jié)按照使用者的獨(dú)特需要布置，更特別的是，一個或多個金屬層可以在芯片上布置成與不同的引線及端點(diǎn)互相聯(lián)結(jié)的形狀如圖所示。
作為舉例而不是限制，在圖2示出金屬層36的一部分，圖2中示出金屬層36有通路至輸入/輸出引線端12-1至12-N1;門14-1至14-N2的輸入端20及22及驅(qū)動器18-1至18-N4的輸入端32及輸出端34。此外，還示出金屬層36有通至輸出緩沖器16-1至16-10的不同輸入端及輸出端的通路，作為舉例，圖2中任意選擇了輸出緩沖器的數(shù)目等于10。相應(yīng)的高/低控制輸入端26(16-1)至26(16-10)均示于圖2中。此外，第三態(tài)控制輸入端28(16-1)至28(16-10)及輸出端30(16-1)至30(16-10)也均示出。
作為舉例，假設(shè)使用者希望輸出緩沖器16-1，16-4及16-8被驅(qū)動器18-1的輸出端34所控制。為達(dá)此目的，采用了一個金屬導(dǎo)線層即導(dǎo)體40，作為金屬層36的一部分，并與端點(diǎn)34(18-1)28(16-1)，28(16-4)及28(16-8)相聯(lián)結(jié)。一般的，這種導(dǎo)線層的標(biāo)準(zhǔn)寬度約為5微米。進(jìn)一步假設(shè)輸出緩沖器16-6，16-7及16-9的第三態(tài)被施加于輸入/輸出引線端12-1的外來信號所控制，在金屬層36設(shè)置了第二個導(dǎo)線層即導(dǎo)體42，與引線端12-1及終端點(diǎn)28(16-6)，28(16-7)及28(16-9)相聯(lián)結(jié)。其次，導(dǎo)線層42一般的寬度也約為5微米。最后，假定輸出緩沖器16-2，16-3及16-5的第三態(tài)控制是由驅(qū)動器18-N4的輸出所支配，在金屬層36內(nèi)設(shè)置了另一個導(dǎo)體44，與端點(diǎn)28(16-2)，28(16-2)，28(16-3)，28(16-5)及34(18-N4)相聯(lián)結(jié)，導(dǎo)體42的一般寬度同樣約為5微米。
導(dǎo)體40，42及44的寬度對于在這方面技術(shù)熟練的人可能很贊賞，但對于如圖2所示金屬層36的門陳列導(dǎo)線層來講，由于其特有的高度密集性，則肯定是太窄，但是采用這種門陣列的使用者一般是不可隨便任意的采用過寬的導(dǎo)線層，而應(yīng)限制在使用標(biāo)準(zhǔn)寬度約為5微米的層。
圖3示出先有技術(shù)的輸出緩沖器線路16-1。圖3所示的輸出緩沖器包括電阻器50，52，54，56及58;肖特基(Schot-tky)晶體管60，62，64及66;及肖特基二極管68及70，肖特基晶體管60及62被聯(lián)結(jié)成復(fù)合晶體管的形式，它們的共集電極通過電阻54接至電源Vcc。晶體管60的發(fā)射極通過電阻56接地，同時晶體管62的發(fā)射極與輸出端30(16-1)相接。肖特基晶體管66的集電極與電阻52及晶體管60基極的結(jié)點(diǎn)相接，發(fā)射極與晶體管64的基極相接并且基極與高/低輸入終端26(16-1)相接。晶體管64的集電極接至輸出端30(16-1)，發(fā)射極接地，基極與晶體管66的發(fā)射極及電阻58的結(jié)點(diǎn)相接。電阻58將晶體管66的發(fā)射極接地。
此外，肖特基二極管68及70的負(fù)極共同與第三態(tài)控制輸入端28(16-1)相接。二極管68的正極與晶體管66的基極相接，經(jīng)過電阻50進(jìn)一步與電源Vcc相接，肖特基二極管70的正極與晶體管60的基極相接。
在輸出緩沖器16-1工作時，施于端點(diǎn)26(16-1)的高電平控制信號必須足以關(guān)斷晶體管66，加在端點(diǎn)26(16-1)上的低電平控制信號必須足以使晶體管66導(dǎo)通。在收到高電平控制信號時，晶體管66截止，晶體管64因缺乏基極電流也截止，組晶體管60的基極電位升高;并經(jīng)過電阻52從電源Vcc得到基極電流，因此，晶體管60及62均導(dǎo)通，使端點(diǎn)30(16-1)的電位升高至Vcc。
在端點(diǎn)26(16-1)接收到足以使晶體管66導(dǎo)通的低電平控制信號時，發(fā)射極電流對晶體管64起作用，使其導(dǎo)通并將端30(16-1)接地。在這同時，晶體管60的基極由于晶體管66的導(dǎo)通電位降得相當(dāng)?shù)鸵灾率咕w管60及62均截止。
為了使輸出端30(16-1)處于第三態(tài)即懸浮狀態(tài)，晶體管60及62及晶體管64必須截止。為達(dá)到這種條件，在第三狀態(tài)控制輸入端28(16-1)施加第三狀態(tài)控制信號，這實(shí)際上使端點(diǎn)28(16-1)接地，例如，可以使用一個驅(qū)動器18-1，其中包括一個肖特基晶體管80，具有與驅(qū)動器18-1的輸出端34(18-1)及地相連接的集電極-發(fā)射極線路，晶體管80的基極與驅(qū)動器輸入端32(18-1)相接，當(dāng)晶體管80導(dǎo)通時，端點(diǎn)34(18-1)接地，從而使肖特基二極管68及70的員極經(jīng)過導(dǎo)體40與地相接。隨著二極管68及70對北傳導(dǎo)，晶體管66及60被截止，使得晶體管62及64截止，因此使輸出端30(16-1)處于懸懸浮狀態(tài)。
圖3輸出緩沖器布置的顯著缺點(diǎn)是為了使每個輸出緩沖器與導(dǎo)體40相連，導(dǎo)體40必須能傳送從二極管68及70傳來的約2毫安的電流I1，按一般規(guī)則，5微米寬導(dǎo)體的容量僅為2毫安，如果超過一個以上的輸出緩沖器與導(dǎo)體40相接時，則導(dǎo)體40的寬度將顯著地增加。但是，如以上所述的門陳列裝置一般是導(dǎo)線高度密集的狀況，因此增加導(dǎo)體40的寬度是禁止的。由于多達(dá)十個(甚至更多)不同的輸出緩沖器可能與一個導(dǎo)體40相接，因此導(dǎo)體的寬度問題很重要。
增加導(dǎo)體40寬度的可取方法是為每一個與驅(qū)動器連接的輸出緩沖器各采用單獨(dú)的與微米寬度的導(dǎo)體40。再說一遍，這樣密集度會很快成為問題。
在先前技術(shù)中，為導(dǎo)通或截止一組晶體管的選擇電路，如在儲存器陳列中所使用的，是用單個肖特基二極管，肖特基晶體管的基極電流則作為控制信號作用于各個晶體管。這種在先前技術(shù)中的布置排除了如圖3布置所需要的約2毫安的高控制電流，但是像導(dǎo)體40這樣長的控制線不可免的要產(chǎn)生有效電容Ceff，這將嚴(yán)重的妨害輸出緩沖器的操作速度，因此，在高速門陣列中應(yīng)避免采用這種布置。
按照本發(fā)明，如圖4聯(lián)系具體實(shí)例所示，更為特別的是，設(shè)置了輸出緩沖器16-N，包括電阻52，54，56及58;肖特基晶體管60，62，64及66，其布置如同圖3所示的輸出緩沖器16-1，但是在輸出緩沖器16-N中肖特基二極管68及70被附加的肖特基晶體管90所代替，肖特基晶體管90的一個集電極經(jīng)過端點(diǎn)28(16-N)與晶體管60基極相連，一個發(fā)射極接地。晶體管90的基極經(jīng)過代替第三態(tài)控制輸入端28′(16-N)與導(dǎo)體40相連。如果基極電流I2存在而使晶體管90導(dǎo)通時，則晶體管60及62的基極電流將消失，這兩個晶體管即斷開。此外，晶體管90的導(dǎo)通使晶體管66的集電極接地，從而使晶體管66及晶體管64相繼斷開，使輸出端30(16-N)處于懸浮狀態(tài)。
值得贊賞的是，電流I2實(shí)質(zhì)上比輸出緩沖器16-1的電流I1為小，因此，多控制基極電流I2理論上可由一單個5微米寬的導(dǎo)體40產(chǎn)生，但是，導(dǎo)體40存在一有效電容Ceff，因此，當(dāng)電流I2停止供應(yīng)時，晶體管90不會馬上斷開，由于導(dǎo)體中電容Ceff的放電效應(yīng)而是反應(yīng)緩慢。晶體管90的這種緩慢動作是不能被接受的。因此，本發(fā)明的一個主要目的就是消除有效電容Ceff對第三態(tài)輸入控制導(dǎo)體如導(dǎo)體40的員效應(yīng)。
為達(dá)到本發(fā)明的目的，對先前技術(shù)中的肖特基二極管，如圖3中的二極管68及70被用肖特基晶體管90去代替，如圖4中所示的輸出緩沖器16-N。此外，按照本發(fā)明的學(xué)說還設(shè)置了一個驅(qū)動器，包括鉗位裝置，當(dāng)驅(qū)動器斷開時用以釋放第三態(tài)輸入控制導(dǎo)體使接地?？扇〉氖倾Q位裝置包括一個與導(dǎo)體及地相結(jié)合的原電路的鉗位晶體管，更為可取的是還包括一個微分裝置，與驅(qū)動器的共用驅(qū)動器晶體管相接，用以檢測共用驅(qū)動器晶體管截止脈沖的前沿，進(jìn)一步與鉗位晶體管的控制電極相接，當(dāng)檢測前沿時能瞬時及動力的接通鉗位晶體管，從而迅速的將第三態(tài)輸入控制導(dǎo)體鉗制接地。
用以舉例而不是限制，再次參考圖4，用以說明本發(fā)明所推薦的實(shí)物。在圖4中繪出了一個驅(qū)動器線路，用以同時地設(shè)置象復(fù)雜的輸出緩沖器如16-N這樣的三態(tài)門陣列緩沖器進(jìn)入及脫離懸浮的第三態(tài)。圖4所示的驅(qū)動器線路包括每一個輸出緩沖器16-N中有的一個緩沖器晶體管90，驅(qū)動器晶體管90有一個原電流通路，如圖4所示，包括一個在輸出緩沖器16-N的第三態(tài)控制輸入端28(16-N)及地之間相接的發(fā)射極-集電極通路，緩沖器驅(qū)動區(qū)晶體管90有一個控制電極92與一個新的端點(diǎn)相接，這實(shí)際上形成了一個新的第三態(tài)控制輸入端28′(16-N)。
圖4示出驅(qū)動器16-N，包括電阻100，102及104;肖特基晶體管106，108及110;及電容器112。晶體管108有一個原電流通路，通過電阻100與地相接，這個電流也經(jīng)過電阻102與地相接，這個電流也經(jīng)過電阻102與電源端點(diǎn)Vcc相接。導(dǎo)體40提供了使晶體管108及電阻100的原電流通路的結(jié)點(diǎn)與晶體管90的門電極92相接的通路。晶體管108的控制即門電極又與多發(fā)射極肖特基晶體管110的集電極相接。晶體管110的一個發(fā)射極與驅(qū)動器輸入端32(18-N)相接。晶體管110基極與電源Vcc相接。
當(dāng)晶體管110被斷開時，基極電流由晶體管110的集電極輸送至晶體管108的基極，使晶體管108導(dǎo)通。隨著晶體管108的導(dǎo)通，基極電流I2被輸送至晶體管90，從而使緩沖器的驅(qū)動晶體管90導(dǎo)通，使晶體管60的基極及晶體管66的集電極接地。在這種條件下，晶體管60，62，64及66都被斷開，使輸出端30(16-N)呈現(xiàn)懸浮狀態(tài)。要脫離這種懸浮狀態(tài)，必須使晶體管1110導(dǎo)通而晶體管108斷開，即使其基極電流消失。隨著晶體管108斷開，晶體管90的基極經(jīng)過電阻100接地。但是，聚集在有效電容Ceff中的電荷則經(jīng)過電阻100而釋放，從而在晶體管90上保持一股暫時的基極電流并阻止晶體管90很快的截止，這點(diǎn)在門陣列線路的正常操作時是需要的。
為克服電容器Ceff的員效應(yīng)，設(shè)置了鉗位電路，如圖4所示。其中包括電阻104，晶體管106及電容112。電容112及電阻104是串聯(lián)聯(lián)結(jié)，電阻102與晶體管108的原電流通路的結(jié)點(diǎn)在其一邊，地在另一邊，因此，當(dāng)晶體管108導(dǎo)通時，使輸出緩沖器16-N進(jìn)入懸浮狀態(tài)。電容112所保持的電荷與經(jīng)過晶體管108及電阻100的電壓降成比例。當(dāng)晶體管108斷開時，電阻104及電容112的作用如一微分器，使電阻104及電容112的結(jié)點(diǎn)的電壓立刻升高，從而晶體管106立即導(dǎo)通并使其原電流通路經(jīng)導(dǎo)體40接地，因此使電容器Ceff迅速放電。
本發(fā)明的結(jié)果是，為一個門陣列提供一種驅(qū)動器電路，在一個互相聯(lián)結(jié)的5微米標(biāo)準(zhǔn)寬度的導(dǎo)體上，可以同時驅(qū)動若干輸出緩沖器而不會產(chǎn)生與該導(dǎo)體有關(guān)的有效電容的員作用。其結(jié)果是，通過整個門陣列芯片的多路輸出緩沖器，其扇出第三態(tài)控制可以用標(biāo)準(zhǔn)的單層或多層互相聯(lián)接技術(shù)來完成。關(guān)于這方面，模擬試驗(yàn)的結(jié)果說明，本發(fā)明的驅(qū)動器中鉗位電路的存在，改進(jìn)了從懸浮狀態(tài)過渡至低電平狀態(tài)的過渡時間TZL，對于一個十路扇出元件來說比該鉗位電路不存在時，時間超過約8微毫秒，而同樣的過渡時間TZL，當(dāng)電阻104，晶體管106及電容112不存在時經(jīng)計(jì)算出約為14微毫秒。
應(yīng)該清楚知道，本發(fā)明的鉗位電路在操作上是動態(tài)的，就是說，電阻104及電容112在晶體管108斷開時瞬時的將晶體管106導(dǎo)通，這個瞬時導(dǎo)通的持續(xù)時間為電容112及電阻104所選擇的特別數(shù)值的函數(shù)。再進(jìn)一步說明，數(shù)值的選擇應(yīng)是當(dāng)鉗位電路的動態(tài)活動終結(jié)時，也正是電容器Ceff上任何電荷影響均已被消除，而在任何下一次的合理的預(yù)期懸浮狀態(tài)需要之前。特別的是，在電容器Ceff放電后，晶體管106必須再一次盡快的斷開以便導(dǎo)體40可憑晶體管108的傳導(dǎo)再一次用于傳導(dǎo)電流I2，使輸出端30(16-N)處于懸浮狀態(tài)。
其他的優(yōu)點(diǎn)及修正，對精于此道者會立即發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明有廣闊的前景，因此不僅限于所敘述及列舉的細(xì)節(jié)，有代表性的方法及圖例，因此，在不脫離本申請人的發(fā)明思路，精神或范圍時，可以根據(jù)這些細(xì)節(jié)進(jìn)行其他改變。
勘誤表
勘誤表
權(quán)利要求
1.使三態(tài)門陣列的復(fù)雜輸出緩沖器同步進(jìn)入及脫離懸浮第三態(tài)的驅(qū)動器線路，該驅(qū)動器線路的組成為二a復(fù)雜緩沖器的驅(qū)動晶體管，每個輸出緩沖器有一個，每個緩沖器的驅(qū)動晶體管有一原電流通路與各自輸出緩沖器的第三態(tài)控制輸入相聯(lián)結(jié)，每個緩沖器晶體管還有一個控制電極；b、第一電阻器；c、一個共用驅(qū)動晶體管，具有一條原電流通路，經(jīng)上述第一電阻器與地相接；d、傳輸導(dǎo)線用以使共用晶體管原電流通路及第一電阻器的結(jié)點(diǎn)與所述每個緩沖器的驅(qū)動晶體管的控制電極相聯(lián)結(jié)。e、鉗位電路用于當(dāng)共用驅(qū)動晶體管斷開時，從傳輸導(dǎo)線到地釋放電荷。鉗位電路包括一個鉗位晶體管，具有一條與傳輸導(dǎo)線及地相接的原電流通路并有一個控制電極；鉗位電路還包括微分器，與共用驅(qū)動晶體管相接，用以檢測共用驅(qū)動晶體管斷開時的前沿，還與鉗位晶體管的控制電極相接，當(dāng)對所述的前沿進(jìn)行檢測時，用以使鉗位晶體管瞬時導(dǎo)通，從而迅速的鉗制傳輸導(dǎo)線接地。
2.一個驅(qū)動器用以控制一個三態(tài)門陣列的復(fù)雜輸出緩沖器進(jìn)入及脫離懸浮第三狀態(tài)，其中每個輸出緩沖器有一個肖特基(Schot-tky)控制晶體管，該晶體管有一個控制電極，能反應(yīng)高電平及低電平狀態(tài)控制信號，使緩沖器分別進(jìn)入高及低電平狀態(tài)，所述控制信號包括a、復(fù)雜緩沖器的驅(qū)動晶體管，每個輸出緩沖器有一個，每個緩沖器的驅(qū)動晶體管有一個導(dǎo)體與各自的肖特基控制晶體管的集電極相接，一個發(fā)射極接地，還有一個門電極;b、第一電阻器;c、電源;d、一個共用驅(qū)動晶體管，其集電極與電源相接，發(fā)射極經(jīng)過第一電阻器接地，及一個門電極;e、傳輸導(dǎo)線將共用驅(qū)動晶體管的發(fā)射極與每個緩沖器的驅(qū)動晶體管的門電極相接;及f、鉗位電路當(dāng)共用驅(qū)動晶體管斷開時用以使傳輸導(dǎo)線接地放電，所述鉗位電路包括一個鉗位晶體管，其集電極與傳輸導(dǎo)線相接，其發(fā)射極接地，和一個門電極;鉗位電路還包括微分器，該微分器有一個第二電阻器與鉗位晶體管的門及地之間相接，有一個電容器與共用驅(qū)動晶體管的集電極及鉗位晶體管的門之間相接，當(dāng)共用驅(qū)動晶體管斷開時，鉗位晶體管即瞬時導(dǎo)通，因此迅速鉗制傳輸導(dǎo)線接地。
3.權(quán)利要求
1的驅(qū)動器線路其中緩沖器的驅(qū)動晶體管各為一個肖特基晶體管。
4.權(quán)利要求
2的驅(qū)動器線路其中緩沖器的驅(qū)動晶體管各為一個肖特基晶體管。
5.權(quán)利要求
1的驅(qū)動器線路其中共用驅(qū)動晶體管是一個肖特基晶體管。
6.權(quán)利要求
2的驅(qū)動器線路其中共用驅(qū)動晶體管是一個肖特基晶體管。
7.權(quán)利要求
1的驅(qū)動器線路其中鉗位晶體管是一個肖特基晶體管。
8.權(quán)利要求
2的驅(qū)動器線路其中鉗位晶體管是一個肖特基晶體管。
9.權(quán)利要求
1的驅(qū)動器線路其中緩沖器晶體管各為一個肖特基晶體管且共用驅(qū)動晶體管也是一個肖特基晶體管。
10.權(quán)利要求
2的驅(qū)動器線路其中緩沖器的驅(qū)動晶體管各為一個肖特基晶體管共用驅(qū)動晶體管也是一個肖特基晶體管。
11.權(quán)利要求
1的驅(qū)動器線路其中共用驅(qū)動晶體管及鉗位晶體管二者都為肖特基晶體管。
12.權(quán)利要求
2的驅(qū)動器線路其中共用驅(qū)動晶體管及鉗位晶體管二者都是肖特基晶體管。
13.權(quán)利要求
1的驅(qū)動器線路其中緩沖器的驅(qū)動晶體管各為一個肖特基晶體管鉗位晶體管也是一個肖特基晶體管。
14.權(quán)利要求
2的驅(qū)動器線路其中緩沖器的驅(qū)動晶體管各為一個肖特基晶體管鉗位晶體管也是一個肖特基晶體管。
15.權(quán)利要求
1的驅(qū)動器線路其中緩沖器的驅(qū)動晶體管、共用驅(qū)動晶體管及鉗位晶體管各為一個肖特基晶體管。
16.權(quán)利要求
2的驅(qū)動器線路其中緩沖器的驅(qū)動晶體管，共用驅(qū)動晶體管和鉗位晶體管各為一個肖特基晶體管。
17.權(quán)利要求
1的驅(qū)動器線路其中傳輸導(dǎo)線安設(shè)在門陣列的金屬層內(nèi)。
18.權(quán)利要求
2的驅(qū)動器線路其中傳輸導(dǎo)線安設(shè)在門陣列的金屬層內(nèi)。
19.權(quán)利要求
1的驅(qū)動器線路其中輸出緩沖器被分為N組并且所述的控制線路包括N個第一電阻器，共用驅(qū)動晶體管鉗位裝置，每個第一電阻器，共用驅(qū)動晶體管及鉗位裝置各與輸出緩沖器組中的一個相聯(lián)接。
20.權(quán)利要求
2的驅(qū)動器裝置其中輸出緩沖器被分為N組并且所述的控制線路包括N個第一電阻器，N個共用驅(qū)動晶體管及N個鉗位裝置，每個第一電阻器，共用驅(qū)動晶體管及鉗位裝置各與輸出緩沖器組中的一個相聯(lián)接。
專利摘要
一種驅(qū)動器線路能用低控制電流將一個三態(tài)門陣列的復(fù)雜輸出緩沖器同步地設(shè)置進(jìn)入或者脫離懸浮狀態(tài)。為每個輸出緩沖器設(shè)置了一個緩沖器的驅(qū)動晶體管，該晶體管的原控制通路對各自的輸出緩沖器導(dǎo)入一個控制線路。共用驅(qū)動晶體管有一條原電流通路，為復(fù)雜緩沖器的驅(qū)動晶體管的控制電極提供了一個控制信號。設(shè)置了鉗位裝置當(dāng)共用驅(qū)動晶體管斷開時用以使傳輸導(dǎo)線接地放電。
文檔編號H03K19/20GK85106480SQ85106480
公開日1987年3月18日 申請日期1985年8月29日
發(fā)明者王賢謹(jǐn) 申請人:坦德姆計(jì)算機(jī)公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan