專利名稱：一種時(shí)間繼電器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種時(shí)間繼電器電路，特別是用可控硅作功率開關(guān)的繼電器。
1987年12期《無線電》雜志發(fā)表了由脈沖直流電源(5)供電的可控硅時(shí)間繼電器如

圖1?？煽毓?1)的控制極和陰極之間跨接著由幾級(jí)反相器構(gòu)成的控制器，前級(jí)反相器三極管(6)的狀態(tài)使后級(jí)反相器三極管(2)或飽和或截止，從而控制可控硅(1)或關(guān)閉或?qū)?，再控制?fù)載(8)，完成繼電器功能。電容(3)經(jīng)電阻(7)和三極管(6)放電以實(shí)現(xiàn)繼電器延時(shí)。開關(guān)(4)接通充電支路以啟動(dòng)繼電器。
這種由多級(jí)反相器控制的可控硅時(shí)間繼電器，由于三極管集基極間漏電流的影響，會(huì)出現(xiàn)過度期振蕩，影響繼電器的工作可靠性。
本發(fā)明為使繼電器動(dòng)作穩(wěn)定可靠，將多級(jí)反相器化簡(jiǎn)為單級(jí)反相器，延時(shí)動(dòng)作控制方式由放電過程改為充電過程。由于充電進(jìn)行前段，可控硅導(dǎo)通，充電電流小，后段、可控硅轉(zhuǎn)入關(guān)閉的同時(shí)充電電流變大，加速三極管進(jìn)入深飽和狀態(tài)，保證可控硅可靠關(guān)斷。
圖2是本發(fā)明的電路圖。圖中(1)是可控硅，三極管(2)為單級(jí)反相器，其集、射極并接于可控硅的控制極與陰極間，電阻(7)和電容(3)用于實(shí)現(xiàn)延時(shí)，開關(guān)(4)和電容(3)與反相器(2)的基、射極并聯(lián)、開關(guān)(4)接通時(shí)提供電容放電支路以起動(dòng)繼電器。
權(quán)利要求
一種由可控硅，三極管反相器，阻容元件，開關(guān)構(gòu)成的時(shí)間繼電器，其特征是a、反相器(2)的集、射極并接于可控硅(1)的控制極與陰極之間。b、該反相器(2)的基、射極間并聯(lián)有電容(3)和開關(guān)(4)。
全文摘要
一種由可控硅，三極管反相器，阻容元件，開關(guān)組成的時(shí)間繼電器，反相器的集、射極與可控硅的控制極和陰極并聯(lián)，同時(shí)反相器的基、射極與電容和開關(guān)并聯(lián)。
文檔編號(hào)H03K17/28GK1055267SQ90101809
公開日1991年10月9日 申請(qǐng)日期1990年3月26日 優(yōu)先權(quán)日1990年3月26日
發(fā)明者高鴻飛 申請(qǐng)人:高鴻飛