專利名稱：：具有自毀功能的集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于一種集成電路，特別是關(guān)于一種當(dāng)特定條件發(fā)生時，能自我摧毀的集成電路。一般而言，集成電路的設(shè)計與制造必須滿足其設(shè)定的規(guī)格。于大多數(shù)的規(guī)格中，集成電路的使用壽命以及啟動次數(shù)是希望其愈長且愈多才愈好，也就是說多數(shù)的規(guī)格在使用壽命以及啟動次數(shù)是沒有上限的。傳統(tǒng)的集成電路全部具有此類的規(guī)格。但是，在少數(shù)的特殊應(yīng)用領(lǐng)域中，集成電路的制造商或其后續(xù)系統(tǒng)制造商，例如電腦游戲卡制造者，寧可于某特定條件發(fā)生時，就中止此集成電路的壽命。或者，他們希望集成電路只能被啟動某個預(yù)定的次數(shù)，例如一萬次等。例如，在電腦游戲的領(lǐng)域中，有時候希望當(dāng)特定條件發(fā)生時，此電腦游戲即不能再繼續(xù)進(jìn)行。預(yù)定的條件包括集成電路被啟動次數(shù)到達(dá)設(shè)定上限次數(shù)時，或某一特定位址被執(zhí)行的次數(shù)，或該電腦游戲累計被執(zhí)行時間到達(dá)設(shè)定上限時間等等。另外的一個例子，為電子門禁系統(tǒng)。例如當(dāng)某一個電子門禁卡片的使用者輸入密碼錯誤達(dá)設(shè)定次數(shù)時，該卡片上的集成電路立即自我摧毀，使得使用者無法再行使用此一門禁卡片。本發(fā)明的目的是提供一種集成電路，能于某設(shè)定條件發(fā)生后，失去原設(shè)計功能而自行執(zhí)行自毀的功能，以滿足上述特殊應(yīng)用的需要。本發(fā)明所提供的集成電路包含一晶體管及一熔絲型式的開關(guān)裝置。晶體管具有一控制端于起始狀態(tài)時與第一參考電壓連接，使此集成電路能正常工作。熔絲型式的開關(guān)裝置，響應(yīng)于一電壓信號，使控制端與一第二參考電壓連接，以便使集成電路的功能永久性地失效。當(dāng)預(yù)定條件發(fā)生時，該電壓信號隨之產(chǎn)生。由下述實(shí)施例的詳細(xì)說明以及相關(guān)圖示可對本發(fā)明的精神得到進(jìn)一步的了解。其中圖1為本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例。圖2為本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例。圖3為本發(fā)明中一自毀確認(rèn)電路的一較佳實(shí)施例。如圖1所示，本發(fā)明的集成電路1包含一晶體管11及一熔絲型式的開關(guān)裝置13。晶體管11具有一控制端110，于起始狀態(tài)時與一第一參考電壓V1連接，使此集成電路1啟動工作。換而言之，當(dāng)控制端110與第一參考電壓V1連接時，集成電路1如設(shè)計規(guī)格所希望的方式工作。當(dāng)一自毀確認(rèn)電路15發(fā)出一動作的電壓信號151至熔絲型式的開關(guān)裝置13，會迫使控制端110與一第二參考電壓V2連接。因而，集成電路1即被永久性失效或者產(chǎn)生無法正常工作的誤動作(malfunc-tion)?？稍诩呻娐?內(nèi)選擇任一個功率開關(guān)(powerswitch)或任一個邏輯門代替晶體管11，只要它的失效會迫使整個集成電路1失效或誤動作即可。依據(jù)集成電路1內(nèi)的細(xì)部設(shè)計，晶體管11可以是一個金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)晶體管，或一個雙極(bipolar)晶體管或是一個面結(jié)型(Junction)場效應(yīng)晶體管。而且依據(jù)集成電路1內(nèi)被選擇作為晶體管11的種類，控制端110可以是面結(jié)型或MOS場效應(yīng)晶體管的柵極、漏極或源極端，也可以是雙極晶體管的基極、發(fā)射極或是集電極端。如圖1所示，熔絲型式的開關(guān)裝置13具有一第一端131、一第二端133及一信號輸入端135。第一端131與控制端110連接，第二端133與第二參考電壓V2連接。于起始狀態(tài)時第一端131與第二端133間具有一第一類關(guān)系。信號輸入端135供以輸入電壓信號151，因而當(dāng)電壓信號151動作時，第一端131與第二端133間具有一第二類關(guān)系。第一類關(guān)系與第二類關(guān)系互成相反的狀態(tài)。當(dāng)?shù)谝活愱P(guān)系為連接關(guān)系時第二類關(guān)系即為非連接(disconnect)關(guān)系。而第一類關(guān)系為非連接關(guān)系時第二類關(guān)系即為連接關(guān)系。依據(jù)晶體管11的型態(tài)，所選擇的控制端110，以及第一及第二參考電壓V1、V2的類型，可設(shè)定第一類關(guān)系為連接或非連接。當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷篤1為高電位時，第二參考電壓V2即為低電位。而當(dāng)?shù)谝粎⒖茧妷篤1為低電位時，第二參考電壓V2即為高電位。熔絲型式開關(guān)13可以不同的型式構(gòu)成，例如以硅熔絲(siliconfuse)型式，或以非易失性(non-Volatile)存貯單元(memorycell)型式，或以硅反熔絲(anti-fuse)型式，或多晶硅(polysilicon)熔絲型式構(gòu)成。在本說明書內(nèi)所稱的熔絲，是指當(dāng)電壓信號151動作時，熔絲會被熔斷而使兩端點(diǎn)成開路(open)狀態(tài)。相反地，所稱的反熔絲，是指當(dāng)電壓信號151動作時，熔絲會被熔合而使兩端點(diǎn)成閉合(close)狀態(tài)。于各種不同的非易失性存貯單元中，較佳的選擇包含單次可編程只讀存貯(OTPROM)單元，電氣式可抹除可編程只讀存貯(EEPROM)單元，或強(qiáng)電(Ferro-Electric)隨機(jī)存取存貯(RAM)單元。而在各種不同的單次可編程只讀存貯單元中，較佳的選擇包含可抹除可編程只讀存貯(EPROM)單元。如圖1所示，響應(yīng)一事件信號150，自毀確認(rèn)裝置15產(chǎn)生所述的電壓信號151。事件信號150是由系統(tǒng)的其他電路所產(chǎn)生，此系統(tǒng)包含集成電路1、自毀確認(rèn)裝置15及其他電路。自毀確認(rèn)裝置15可以為集成電路1的一部分，也可以是為集成電路1以外的一電路。自毀確認(rèn)電路15的一較佳實(shí)施例為如圖3所示的一計數(shù)/計時器(counter/timer)3。所示的計數(shù)/計時器3為一非易失性可預(yù)設(shè)(presettable)的型式，其具有一時鐘脈沖(CLK)端輸入事件信號150，一預(yù)設(shè)端(PRESET)輸入一預(yù)設(shè)信號152，一計數(shù)值(countdata)端輸入一計數(shù)值信號153。事件信號150可以為一開機(jī)啟動(Power-up)信號，一位址比較(addresscomparison)信號，或?yàn)槿魏慰捎脕碛嫈?shù)的信號。集成電路1制造完成的最后步驟，可于預(yù)設(shè)端輸入動作(active)的預(yù)設(shè)信號152，同時將預(yù)設(shè)計數(shù)值信號153送入計數(shù)端，以便預(yù)設(shè)此計數(shù)/計時器3的計數(shù)值。如前所述，熔絲型開關(guān)裝置13包含有多種不同的型式。但是，針對這些不同型式的熔絲型式開關(guān)13，卻有不同的最低電壓值才能改變其熔斷或熔合的狀態(tài)。因此，本發(fā)明提供一第二實(shí)施例，如圖2所示，以適用某些熔絲型開關(guān)裝置13，這類裝置13都有較高的狀態(tài)變換最低電壓值。圖2中所有的元件，除了電壓升壓裝置17外，都與圖1所揭示的相同，因而其功能以及其工作方式可參考前述有關(guān)圖1的敘述，于此將不再重復(fù)描述。如圖2所示，由自毀確認(rèn)電路15產(chǎn)生的一確認(rèn)信號151發(fā)動一電壓升壓裝置17，此電壓升壓裝置17于是產(chǎn)生一高電壓值的電壓信號171。此高電壓信號171于是用來改變?nèi)劢z型式開關(guān)裝置13的狀態(tài);也就是說由熔合狀態(tài)變成熔斷狀態(tài)，或者是由熔斷狀態(tài)改變成熔合狀態(tài)。如同自毀確認(rèn)電路15，電壓升壓裝置17可安排在集成電路1之內(nèi)，亦可安排在集成電路1之外。權(quán)利要求1.一種具有自毀功能的集成電路，包含一晶體管，具有一控制端于起始狀態(tài)時與一第一參考電壓連接，使此集成電路啟動工作；及一熔絲型開關(guān)裝置，響應(yīng)一電壓信號，將所述控制端與一第二參考電壓連接，以便使所述集成電路的功能永久性地失效。2.如權(quán)利要求1所述的具有自毀功能的集成電路，其中所述晶體管為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。3.如權(quán)利要求2所述的具有自毀功能的集成電路，其中所述控制端為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的一柵極端。4.如權(quán)利要求1所述的具有自毀功能的集成電路，其中所述熔絲型的開關(guān)裝置具有一第一端、一第二端及一信號輸入端，該第一端與所述控制端連接，該第二端與所述第二參考電壓連接，于起始狀態(tài)時第一端與第二端間具有一第一類關(guān)系，所述信號輸入端供以輸入所述電壓信號，當(dāng)所述電壓信號動作時，所述第一端與第二端間具有一第二類關(guān)系。5.如權(quán)利要求1所述的具有自毀功能的集成電路，其中所述第一參考電壓為一高電位，而第二參考電壓為一低電位。6.如權(quán)利要求1所述的具有自毀功能的集成電路，其中所述熔絲型的開關(guān)裝置為一硅熔絲型開關(guān)裝置。7.如權(quán)利要求1所述的具有自毀功能的集成電路，其中所述熔絲型的開關(guān)裝置為非易失性(non-volatile)存貯單元(memorycell)型式。8.如權(quán)利要求1所述的具有自毀功能的集成電路，其中所述熔絲型的開關(guān)裝置為一硅反熔絲(anti-fuse)型開關(guān)裝置。9.如權(quán)利要求1所述的具有自毀功能的集成電路，進(jìn)一步包含一自毀確認(rèn)電路，其響應(yīng)一事件信號，產(chǎn)生所述電壓信號。10.如權(quán)利要求1所述的具有自毀功能的集成電路，進(jìn)一步包含一自毀確認(rèn)電路，其響應(yīng)一事件信號，產(chǎn)生一確認(rèn)信號;及一電壓升壓裝置，其響應(yīng)所述確認(rèn)信號，產(chǎn)生所述電壓信號。11.如權(quán)利要求4所述的具有自毀功能的集成電路，其中第一類關(guān)系為電氣式不連接，而第二類關(guān)系為電氣式連接。12.如權(quán)利要求9或10項(xiàng)所述的具有自毀功能的集成電路，其中所述自毀確認(rèn)電路為一計數(shù)/計時器，其具有一時鐘脈沖端輸入所述事件信號。全文摘要本發(fā)明提供一種具有自毀功能的集成電路。此種集成電路在某預(yù)定條件發(fā)生時，于其內(nèi)部會產(chǎn)生一電壓信號以摧毀此集成電路。此集成電路包含一晶體管及一熔絲型的開關(guān)裝置。晶體管具有一控制端于起始狀態(tài)時與一第一參考電壓連接。該熔絲型開關(guān)裝置，響應(yīng)所述的電壓信號，將控制端與一第二參考電壓連接，以便使集成電路的功能永久性地失效。當(dāng)預(yù)定條件發(fā)生時，該電壓信號隨之產(chǎn)生。文檔編號H03K17/94GK1110441SQ94104490公開日1995年10月18日申請日期1994年4月7日優(yōu)先權(quán)日1994年4月7日發(fā)明者葉垂奇申請人:華邦電子股份有限公司