專利名稱：浮式傳輸門的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種由在一共用基片內(nèi)形成的多個PN結(jié)組成的器件，具體涉及由浮式金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管即浮式MOSFET構(gòu)成的模擬信號或數(shù)字信號的傳輸門。
現(xiàn)有的CMOS傳輸門如

圖1所示。其中G1為P溝MOSFET的柵極，接電源電壓的負(fù)極VSS，故VL＝VGI＝VSS，G2為N溝MOSFET的柵極，接電源電壓的正極VDD，故VH＝VG2＝VDD，其中VL及VH為N溝及P溝MOSFET的襯底電位。它的缺點是所傳輸?shù)男盘栯妷篤in的幅值應(yīng)滿足VH＞Vin＞VL，而(VH，VL)區(qū)間的范圍通常都不大，故使CMOS傳輸門的應(yīng)用受到限制。
本實用新型的目的是要提供一種浮式傳輸門，它所允許傳輸?shù)男盘朧in的幅值將比CMOS傳輸門較為拓寬。
本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的將浮式MOSFET按相同或互補(bǔ)的關(guān)系兩兩組合二個相同的浮式MOSFET的柵極分別通過電容后，一個接往傳輸門的輸入端，另一個接往傳輸門的輸出端，而二個浮式MOSFET的襯底連在一起后，可經(jīng)過一個電容器接往浮式MOSFET的源極或漏極。二個相同的浮式MOSFET的源極和源極、漏極和漏極連在一起，并分別接往浮式傳輸門的輸入端和輸出端。如圖2、圖3。對于二個互補(bǔ)的浮式MOSFET的柵極分別通過電容器后，一同接往浮式傳輸門的輸入端或輸出端，而二個互補(bǔ)的浮式MOSFET的襯底可分別經(jīng)過電容器后一同接往浮式MOSFET的源極或漏極。二個互補(bǔ)的浮式MOSFET之一的源極和另一個浮式MOSFET的漏極連在一起，分別接往浮式傳輸門的輸入端和輸出端。如圖4。圖2圖3圖4中的傳輸門稱為浮式傳輸門。由于浮式傳輸門使用了傳輸信號Vin不受柵極(或襯底)電位限制的浮式MOSFET，故浮式傳輸門所傳輸?shù)男盘朧in將不再受(VDD，VSS)或襯底電位(VH，VL)的限制。
本實用新型的優(yōu)點是它所允許傳輸?shù)男盘朧in的幅值將比CMOS傳輸門較為拓寬。
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明圖1是現(xiàn)有的CMOS傳輸門的結(jié)構(gòu)圖。圖2是由二個相同的N溝浮式MOSFET組成的浮式傳輸門的結(jié)構(gòu)圖。圖3是由二個相同的P溝浮式MOSFET組成的浮式傳輸門的結(jié)構(gòu)圖。圖4是由二個互補(bǔ)的N溝和P溝浮式MOSFET組成的浮式傳輸門的結(jié)構(gòu)圖。
由于浮式傳輸門所傳輸?shù)男盘栯妷篤in的范圍比現(xiàn)有的CMOS傳輸門大，故浮式傳輸門在模擬電路中將可能實施應(yīng)用，例如用作雙向模擬開關(guān)等。
權(quán)利要求1.由浮式金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管即浮式MOSFET構(gòu)成的浮式傳輸門，其特征是由二個相同或互補(bǔ)的浮式MOSFET組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮式傳輸門的特征是二個相同的浮式MOSFET的柵極分別通過電容后，一個接往傳輸門的輸入端，另一個接往傳輸門的輸出端，而二個浮式MOSFET的襯底連在一起后，可經(jīng)過一個電容器接往浮式MOSFET的源極或漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的浮式傳輸門的特征是二個相同的浮式MOSFET的源極和源極、漏極和漏極連在一起，并分別接往浮式傳輸門的輸入端和輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮式傳輸門的特征是二個互補(bǔ)的浮式MOSFET的柵極分別通過電容器后，一同接往浮式傳輸門的輸入端或輸出端，而二個互補(bǔ)的浮式MOSFET的襯底可分別經(jīng)過電容器后一同接往浮式MOSFET的源極或漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1和4所述的浮式傳輸門的特征是二個互補(bǔ)的浮式MOSFET之一的源極和另一個浮式MOSFET的漏極連在一起，分別接往浮式傳輸門的輸入端和輸出端。
專利摘要本實用新型涉及一種由在一共用基片內(nèi)形成的多個PN結(jié)組成的器件,具體涉及由浮式金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管即浮式MOSFET構(gòu)成的模擬信號或數(shù)字信號的傳輸門,稱浮式傳輸門,由于浮式MOSFET的傳輸信號V
文檔編號H03H2/00GK2289349SQ96207489
公開日1998年8月26日 申請日期1996年4月8日 優(yōu)先權(quán)日1996年4月8日
發(fā)明者黃群 申請人:黃群